許多玩家所引頸期待的遊戲:『橫行霸道:聖安地列斯』( Grand Theft Auto: San Andreas )在今年風光上市。其遊戲的內容不僅可以欣賞到 洛杉磯、舊金山與拉斯維加斯等地維妙維肖的城市風景外,更可以滿足玩家瘋狂的想像,如:殺人放火、參與幫派火拼等。但也由於遊戲內容充斥過多的血腥、暴力與色情情節, 根據美國分級制度 Entertainment Software Rating Board ( ESRB )的分類,本遊戲應該是屬於「只限成人( AO, Adults Only )」,不過本遊戲在說明書上只有標示 M ( Mature )等級,意指適合十七歲以上的人購買。 Rockstar 公司的行動違反廠商自律以及欺騙消費者。對 FTC 來說,這是非常嚴重的問題, FTC 並且警告 Rockstar 公司須對產品重新包裝並標示,如不改善,將處以高額的罰款
法國政府考慮強制業者公布使用奈米材料之相關資訊茲因回應2008年針對環境議題所召開之國家諮詢會議,並考量整體環境變遷快速,有待解決之相關問題與過往相較已有所不同,法國政府於2009年1月7日公布新修正之環保法令草案,力求與時俱進;其新環境法規草案著重以下主題:建築與都市計畫、交通、能源與氣候、生物多樣性、風險、健康與廢棄物處理。 其中值得注意者,係針對可能導致危害環境或人體健康的奈米粒子材料,於新法中加以規範。依該新環保法草案第73條,除非個案內容有損國家安全因而為特例之外,現行製造、輸入與使用奈米粒子材料於產品之業者,必須就該奈米材料之性質、數量與使用方式加以揭露,使公眾周知;此外,於主管機關的要求下,業者應評估並呈報該奈米材料之暴露程度與所潛藏之風險。 之所以將奈米粒子納入規範當中,係參考「化學物質登記、評估、授權和管制法」(Registration, Evaluation, Authorisation and Restriction of Chemical substances,REACH),基於永續發展之目標,因而於產品製造及銷售的過程中,賦予製造商與進口商特定之責任與義務;亦即業者必須以負責任之態度製造、進口或使用化學物質,進而取得該化學物質之相關資訊,使之透明化,以確保人體健康和環境免於受到負面影響,促成風險管理措施之順利運行。 該等觀念彰顯了本次法國環境法規修改之特色,其六大主題之規範更需要諸多政府部門的通力合作;再者,法國於積極發展奈米科技的同時,以客觀之態度審視其優缺點,試圖掌握奈米粒子材料之特性,作為管理潛在風險之判斷基準。該法案於2009年2月10日送至議會待表決,後續發展仍值得注意。
歐洲化學品管理署(ECHA)下的社會經濟分析委員會已開始針對限制性措施展開風險管理及成本利益分析等相關工作今年(2008)4月2-3號,歐洲化學品管理署(ECHA)下,為社會經濟分析(Socio-economic)目的所設置之委員會,於赫爾辛基(Helsinki)舉行了首次的會議。歐洲化學品管理署執行長Geert Dancet在其公開聲明中提到:「對社會經濟分析委員會(SEAC)之挑戰,是因其被REACH法規範所引用而產生;而此種模式,亦將成為歐盟化學物質立法制度下的一項新工具。其還強調,應同時平等地考量並兼顧到產業、環境及健康等三方面因素,並以前三項因素皆已臻衡平之方式來進行交易」。 此外,於REACH法規範下,該委員會於限制與管理流程上,亦扮演著重要角色。其將掮負起為該署準備關於:申請管理、限制措施建議案提出、以及其他在REACH法規範下與化學物質管理有關之立法措施所將可能導致歐洲社會經濟方面之影響與衝擊等問題,提出相關意見。而目前,就於化學品範圍內,對可能之立法措施未來所將產生的衝擊進行社會經濟面之評估而言,此舉,實為一新且未知的一塊領域。 此外,透過此次會議,除決定了該委員會日後運作之模式外,也達成共識ㄧ致認為:透過此種模式,將能夠保障委員會運作之透明性;同時,還一併能兼顧到它的獨立性,及相關資料的隱密性。目前,該運作模式將待歐洲化學品管理署董事會議正式審核通過後,即開始生效。最後,社會經濟分析委員會於2008年間規畫,擬將舉行兩次會議,而下一次的會議則已預定將於10月份召開。
美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制美國商務部(Department of Commerce, DOC)旗下國家標準及技術研究院(National Institute of Standards and Technology, NIST)於2023年2月28日發布《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)補助具體內容,重點如下: 一、申請時間:補助採滾動式錄取模式(rolling basis),先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請(pre-application)與正式申請(full application);成熟製程與其他相關生產設施的製造補助,將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額:補助分為直接補助(direct funding)、聯邦政府貸款(federal loans)或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保(federal guarantees of third-party loans)。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15%。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助,然整體補助金額不得超出預估資本支出的35%。 三、申請流程 1.意向聲明(statement of interest):申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明,俾利NIST旗下晶片計畫辦公室(CHIPS Program Office)為未來審查進行準備。 2.預先申請:申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請:依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後,申請人應遞交完整的計畫申請書,內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後,會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄(non-binding Preliminary Memorandum of Terms),記載補助方式與金額。 4.盡職調查(due diligence):在經過上述程序後,晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能(reasonably likely)取得補助,將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放:通過盡職調查後,DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股(stock buybacks):受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫:申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元,須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限:受補助者必須於DOC所決定的特定日期(target dates)前開始或完成廠房建造,否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤:補助金額超過1億5千萬美元時,受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益,但最高不超過直接補助金額的75%。 5.不得於特定國家擴產與進行研究:受補助者於10年內或與DOC合意的期間內,除特定情況下(15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)),不得於特定國家,如中國,進行大規模半導體製造的擴產(material expansion)、聯合研究(joint research)或技術授權(technology licensing),違反者將會被DOC收回全額補助。