日本政府研擬修正「能源使用合理化法」以提升能源效率

  日本經濟產業省於3月13日將「能源使用合理化法(エネルギーの使用の合理化に関する法律,簡稱節能法)」修正草案送交國會審議,節能法對於日本之能源供需之穩定具有重大貢獻,也是永續發展之必要法制,由於近年來民生及產業部門之能源消耗持續增加,提升該部門之能源使用效率成為當務之急。

  本次修正草案主要內容如下:在因應民生用電尖峰時刻之電力需求上,除了原本之節能政策外,強化電池及能源管理系統(含建築及家庭能源管理系統:Building Energy. Manager System&Home Energy Management System, 簡稱BEMS、HEMS)之運用、自主發電設備之建構、蓄熱式與天然氣式空調及建築節能改造,以減少尖峰時期之用電需求;在建築材料節能要求上,制定各種建築材料之節能標準,使新建築達成低能源消耗之節能標準;並擴大Top Runner制度(凡適用品項欲上市之新產品均須優於現行市面上所有能源產品之耗能標準)之機器設備適用對象。

  由於日本於福島核災後面臨供電吃緊之情況,提升能源效率並節約能源消耗成為當務之急,新修正草案課予建築材料之節能義務標準,希望藉由該草案之通過實行,有效抑制電能消耗。

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研析經濟部智慧財產局因應TPP所提商標法修法草案 資策會科技法律研究所 法律研究員 林昭如 105年06月20日 壹、前言   我國智慧財產相關法規與時俱進,順應國際法規趨勢及實務發展,不定期檢視、修正相關法規內容,以期完善智慧財產法制,健全產業競爭環境。今更因應跨太平洋夥伴協定(Trans-Pacific Partnership Agreement,以下簡稱TPP)智慧財產章(以下簡稱IP章)全面化、高標準、細緻化的規範,重新檢視我國智慧財產相關法規。其中,商標法現行條文大部分符合TPP IP章的規範,如:商標法有關非傳統商標、著名商標保護、地理標示等等[1]。惟有關製造、進口仿冒標籤、包裝等行為之侵權責任,與TPP IP章的規定,尚有落差,即有調整必要。我國TPP/RCEP專案小組第16次會議,已就智慧財產法規相關議題,確認修法方向及內容,向國際社會展現我國爭取加入TPP第二輪談判的決心[2]。   經濟部智慧財產局於105年5月10日將因應TPP規定的商標法修正草案送交行政院,其修正重點包括:1.擴大仿冒商標標籤等行為的民事責任,以故意或過失為主觀要件(不限於明知);2.新增仿冒商標或團體商標標籤等行為的刑罰規定;3.擴大仿冒證明標章標籤等行為之刑事責任主觀要件,以故意(不限於明知)為限,並增訂處罰「輸出或輸入」前述仿冒證明標章標籤的行為;4.擴大販賣及意圖販賣他人所為侵權商品等行為之刑責,以故意(不限於明知)為主觀要件。本文將分析我國商標法現行條文(以下簡稱現行條文)及因應TPP規定的修正條文內容,並提出對於我國產業可能造成之影響。 貳、因應TPP修法重點內容 一、擴大仿冒商標標籤等行為的民事責任,以故意或過失為主觀要件(不限於明知)   因應TPP IP章第18‧74條第三項規定,商標侵權民事責任以明知或可得而知(knowing, or with reasonable grounds to know)為主觀要件,負擔損害賠償責任。考量我國現行條文第七十條第三款規定:「…三、明知有第六十八條侵害商標權之虞,而製造、持有、陳列、販賣、輸出或輸入尚未與商品或服務結合之標籤、吊牌、包裝容器或與服務有關之物品。」有關侵權之民事責任限於「明知」,不符合前述 TPP規定,故刪除「明知」文字,回歸一般民事侵權責任,以故意過失為主觀歸責條件。   此外,亦強化現行條文意旨,明確規範民事賠償責任範圍,包含意圖供自己或他人侵害商標權,而為製造或販賣等尚未與商品或服務結合的標籤、吊牌、包裝容器或與服務有關的物品之準備或輔助行為。 二、新增仿冒商標或團體商標標籤等行為的刑罰規定   因應TPP IP章第18‧77條第三項規定,對於具商業規模之仿冒相同或無法相區別商標之標籤或包裝而為用於他人註冊商標同一商品或服務者,應訂有刑事處罰規定。考量現行條文無相關規範,不符合前述TPP規定。故新增修正條文第九十五條第二項:「未得商標權人或團體商標權人同意,為行銷目的而製造、販賣、持有、陳列、輸出或輸入附有相同或近似於註冊商標或團體商標之標籤、吊牌、包裝容器或與服務有關之物品,意圖供自己或他人用於與註冊商標或團體商標同一商品或服務者,處一年以下有期徒刑、拘役或科或併科新臺幣五萬元以下罰金。」並依我國刑罰明確性原則,明定「以行銷目的」而為製造、販賣仿冒商標標籤等行為,始為刑罰範圍。 三、調整仿冒證明標章標籤等行為之刑事主觀要件,以故意(不限於明知)為限,並增訂處罰「輸出或輸入」前述仿冒證明標章標籤的行為   因應 TPP IP章第18‧77條第三項刑事處罰「故意」之行為。考量現行條文第九十六條第二項:「明知有前項侵害證明標章權之虞,販賣或意圖販賣而製造、持有、陳列附有相同或近似於他人註冊證明標章標識之標籤、包裝容器或其他物品者,亦同。」有關刑事處罰的主觀要件限於「明知」,依我國實務見解僅限於直接故意,不包含間接故意,不符合前述 TPP規定,故刪除「明知」文字,回歸一般刑事處罰以故意為要件的原則;並依我國刑罰明確性原則,明定「以行銷目的」而為製造、販賣仿冒證明標章標籤等行為,始為刑罰範圍。   此外,亦因應TPP IP章第18‧77條第三項刑事處罰包含「輸入」之行為。考量現行條文僅將「販賣、意圖販賣而製造、持有、陳列」仿冒證明標章的標籤等不法行為納入刑罰,不符合前述TPP規定,故調整如修正條文第九十六條第二項:「未得證明標章權人同意,為行銷目的而製造、販賣、持有、陳列、輸出或輸入附有相同或近似於註冊證明標章之標籤、吊牌、包裝容器或與服務有關之物品,意圖供自己或他人用於同一商品或服務者,處三年以下有期徒刑、拘役或科或併科新臺幣二十萬元以下罰金。」增訂處罰「輸出或輸入」仿冒證明標章標籤、吊牌等之不法行為。 四、擴大販賣或意圖販賣而持有、陳列、輸出/入他人所為侵權商品等行為之刑責,以故意(不限於明知)為主觀要件   因應 TPP IP章第18‧77條第三項刑事處罰「故意」之行為。考量現行條文第九十七條:「明知他人所為之前二條商品而販賣,或意圖販賣而持有、陳列、輸出或輸入者,處一年以下有期徒刑、拘役或科或併科新臺幣五萬元以下罰金…。」有關刑事處罰的主觀要件限於「明知」,依我國實務見解僅限於直接故意,不包含間接故意,不符合前述 TPP規定,故刪除「明知」文字,回歸一般刑事處罰以故意為要件的原則。 參、修法影響   由商標法修正草案整體觀之,對於商標、團體商標、證明標章權利人的保障更加明確、完善,將有助於我國品牌企業從仿冒製假鍊源頭防止損害發生,在侵權、不法行為前階段,遏阻仿冒品流入市場,順遂品牌產品的國際拓銷。具體而言包含下列二面向: 一、擴大仿冒商標標籤、吊牌等行為之民事責任主觀要件,有助阻斷劣質仿品   擴大商標侵權之準備或輔助行為賠償責任的主觀要件,不以行為人明知(故意)為限,只要可得而知(過失)有侵害商標權的可能,未得商標權人同意,意圖供自己或他人侵害商標權而為之準備或輔助行為,即應負擔損害賠償責任,此將有助於權利人更全面、完整保護註冊商標。並明確現行條文意旨,賠償責任範圍包含製造、販賣、持有、陳列、輸出或輸入附有相同或近似於註冊商標的標籤、吊牌、包裝容器或服務有關的物品。此將有助於權利人從仿冒製假源頭,阻斷仿品流通銷售。   相對而言,若企業非商標權人的情況,而是接受其他企業委託製造其產品的商標標籤、吊牌、包裝容器或服務相關的物品,即應在接受委託前,善盡調查義務,確認委託企業是否擁有合法商標權源,避免過失供他人為侵害商標權的準備或輔助行為,而必須負擔民事賠償責任。 二、增訂仿冒商標標籤刑罰、擴大仿冒證明標章標籤刑責範圍,有助打擊犯罪源頭   現行條文僅處罰侵害證明標章標籤的準備或輔助行為,並未處罰侵害商標或團體商標權的準備或輔助行為,修正條文增訂處罰意圖供自己或他人侵害商標或團體商標權,而為行銷目的之準備或輔助行為,包含:製造、販賣、持有、陳列、輸出或輸入附有相同或近似於註冊商標的標籤、吊牌、包裝容器或服務有關的物品。此將有助於品牌企業運用國家公權力的手段,從仿冒的源頭切斷相關準備或輔導仿冒之行為,透過刑罰從仿冒前端即抑制此揭不法行為,遏止侵權仿冒,鞏固品牌企業經年累月的品牌知名度及經營效益。   擴大仿冒證明標章標籤的刑責,一是將刑事處罰主觀要件,回歸一般刑事處罰以故意為原則,不限於明知。二是擴及處罰「輸入或輸出」仿冒證明標章標籤、吊牌等之不法行為。以國家公權力遏阻仿冒證明標章標籤的輸出入行為,避免濫用於劣質產品或服務。將有助於維護我國食品、農漁畜產品、工業產品、觀光旅宿、商業服務等之商品或服務的優良品質、精密度、製造方法等,如:台灣精品標誌、MIT微笑標章等,以及特定地區產品或服務的品質、聲譽,如:文山包種茶、關山米等,向世界各地推展我國優良產品及服務,促進我國經貿發展。 本文同步刊登於TIPS網站(http://www.tips.org.tw) [1] 經濟部智慧財產局說明會:TPP 智慧財產章https://www.tipo.gov.tw/public/Attachment/5122917315547.pdf(最後瀏覽日:2016/6/14) [2] 政院:展現爭取加入TPP第二輪談判決心 持續進行法規落差盤點及體制調和工作(2016/4/15) https://www.moea.gov.tw/MNS/populace/news/News.aspx?kind=2&menu_id=41&news_id=52423 (最後瀏覽日:2016/6/14)

日本發布2020年統合創新戰略,聚焦疫後科研與創新政策

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.Pindent{text-indent: 2em;} .Noindent{margin-left: 2em;} .NoPindent{text-indent: 2em; margin-left: 2em;} .No2indent{margin-left: 3em;} .No2Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 3em} .No3indent{margin-left: 4em;} .No3Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 4em} 美國商務部產業安全局(Bureau of Industry and Security,簡稱BIS)於2024年12月2日發布《外國生產的直接產品規則補充以及先進運算及半導體製造項目管制精進》(Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items),並於同日(12月2日)生效,部分管制措施的法律遵循延後至2024年12月31日。BIS開放公眾可以就本次管制提出意見。 因中國的半導體戰略旨在進一步推進中國的軍事現代化、大規模殺傷性武器(WMD)的發展,美國政府認為中國的相關政策與措施,將可能侵害美國及其友盟之國家安全。因此,本次管制之目的旨在進一步削弱中國生產先進節點半導體的能力,包括下一個世代的先進武器系統,以及具有重要軍事應用的人工智慧與先進運算。 為達上述目的,本次管制修正具體擴大的管制項目概述如下: 1. 24種半導體製造設備,包括某些蝕刻(etch)、沉積(deposition)、微影(lithography)、離子注入(ion implantation)、退火(annealing)、計量(metrology)和檢驗(inspection)以及清潔(cleaning)工具。 2. 3種用於開發或生產半導體的軟體工具。 3. 管制源自美國的高頻寬記憶體,以及於美國境外生產且美國管制清單中所列之高頻寬記憶體。 4. 新增對電子電腦輔助設計(Electronic Computer Aided Design)與技術電腦輔助設計(Technology Computer Aided Design)軟體及技術的限制。

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