關於中國大陸商標不予註冊事由—在先著作權的認定
科技法律研究所
法律研究員 林昭如
2014年12月26日
壹、前言
《中華人民共和國商標法》(下稱《商標法》)第32條規定,申請商標註冊不得損害他人現有的在先權利。中國大陸的商標確權案件中,常有以著作權登記證書主張在先著作權。然實務上,在部分情況,單以著作權登記證書證明著作權歸屬,其證明力仍嫌不足。
有一文化用品,將其完成幾乎與畢卡索名畫「夢」完全相同的作品,向上海市版權局申請著作權登記。隨後,亦向國家工商行政管理總局商標局申請商標註冊,指定使用於筆類等商品。國家工商行政管理總局商標評審委員會認為,該商標侵害他人的在先著作權,因而裁定不予核准註冊。該文化用品公司不服,因此向北京市第一中級人民法院提起行政訴訟,主張被異議的商標圖形為原創作品,且已取得上海市版權局之著作權登記證書,然法院表示,畢卡索的《夢》世界聞名,推定有接觸可能;且以被異議商標圖形的著作權登記證書為單一證據,尚無法證明系爭圖形之著作權歸屬於該公司[1]。
由於畢卡索的《夢》世界聞名,法院推定有接觸可能,較無疑問,故本文將分析除了著作權登記證書外,其他可作為著作權歸屬的佐證資料,提供台灣企業為著作產出過程的證據保存與管理之參考。
貳、重點說明
由上述事例案可知,當被推定有接觸據爭著作可能時,縱使已取得著作權登記證書,仍不足證明著作權歸屬。實務上,除了以著作權登記證書證明在先著作權外,亦有以在先商標註冊證,證明在先著作權者,關於其證據力分述如下。
一、著作權登記證書之證據力
最高人民法院《關於審理著作權民事糾紛案件適用法律若干問題的解釋》第7條規定,當事人提供的涉及著作權的底稿、原件、合法出版物、著作權登記證書、認證機構出具的證明、取得權利的合同等,可以作為證據。但,此僅作為登記人擁有該登記作品著作權的初步證明,因登記機關是根據登記人主張的創作完成時間為登記,並未進行創作歷程、有無抄襲等實質審查。
當作品早於系爭商標註冊申請日的著作權登記,若無反證推翻,即可能認定在先著作權成立,具有相對高的證明力。問題在於,晚於系爭商標註冊申請日的著作登記,又無法提出其他證據時,如:創作歷程佐證,即使著作權登記證書所載之創作完成時間,早於系爭商標註冊申請日,仍無法證明為著作人。
二、在先商標註冊證之證據力
實務上,有些圖形商標亦構成《中華人民共和國著作權法》(下稱著作權法)第3條的作品。惟原定既是作為商標使用,故通常僅取得商標註冊證,未另為著作權登記。有依據《著作權法》第11條第4款規定,如無相反證明,在作品上署名的公民、法人或者其他組織為作者。主張以商標註冊證所載之註冊人等資訊,為上揭條文之「署名」。有多件法院判決認為,在先商標註冊不足證明在先著作權成立[2],原因在於《著作權法》中的「署名」為作者的姓名表示,然商標註冊證所載之註冊人則在於表示商標專用權人,與《著作權法》的姓名表示權意義不同。
參、事件評析
由上述重點說明可知,儘管有著作權登記證書或在先商標權註冊證,在多數情況下,如無其他佐證,仍無法證明在先著作權。著作權登記制度僅具公示力,證明某個著作在某個時點的特定人主張著作權,登記機關以登記人主張的創作完成時點、首次發表時點為準,並不進行實質審查,有可能發生非真正的著作權人進行登記。
故當對造當事人提出證據推翻著作權登記證書的公示資訊時,尚須再提出其他證據,證明作品為自行創作,其方式有:
一、在著作原件署名
依據《著作權法》第11條第4款規定,如無相反證明,即推定作品上之署名為作者。因此推定的效果,對於著作權人而言,在主張在先著作權利時,可以降低舉證責任。
二、保留創作紀錄
此為證明著作為自行創作的最直接證據,例如:工作會議紀錄、草稿、創作使用的素材、創意發想紀錄、依照日期進行不同階段的存檔…等。這些紀錄除可證明為原創,亦可證明是獨立創作而非抄襲他人。
最後,通常原規劃作為商標使用的圖形設計,大多不會進行創作歷程紀錄,甚或在作品署名,他日如有第三人主張在先著作權,往往面臨無法提出證據推翻之窘境,故建議針對具備創作高度而該當著作權保護之標的,比照上述方式,進行創作歷程保留並進行著作權登記,確保權利之取得與維護。
[1]谭乃文,〈商标确权案中的在先著作权〉,国家知识产权战略网,2014/08/29,http://www.nipso.cn/onews.asp?id=22682 (最後瀏覽日:2014/8/29)
[2]徐琳,〈商標圖樣的著作權保護之困境與出路—《商標法》保護在先著作權條款的立法精神與審理標準探析〉,《電子知識產權》,第278期,頁54(2014)。
USPTO日前針對「第三人先前技術意見書提呈制度」,於7月17日發布最終規則( Final Rules)。此項規則的頒佈,主要是因應2011年9月「Leahy-Smith 美國發明法案」(Leahy-Smith America Invents Act,簡稱AIA)的修法,所為的配套措施。 所謂「第三人先前技術意見書提呈制度」是指:賦予第三人權利,得於專利審查程序中提供專利審查員相關先前技術文獻,作為審查核駁之參考。美國在2011年討論AIA修法之際,大多肯定此制度可提升專利審查之品質,因而修法放寬了第三人可提呈的文獻類型、期限。而本次USPTO發布的最終規則,便以此修正為背景,進一步具體說明相關程序適用規則,主要包括: (1)可提呈的文獻包含專利案、已公開的專利申請案、及其他與審查核駁相關並已公開之文獻;但不包含法院機密文件、商業機密文件及其他內部未公開之訊息;(2)第三人得利用USPTO現有的電子申請系統(EFS-Web)申請;(3)第三人得保持匿名,例如透過律師提呈文獻;(4)縱使USPTO駁回其申請,第三人仍可在法定期限內重新提交新的申請;(5)提呈之文獻如為外文文獻,第三人須提供英文翻譯本。 如同2011年修訂通過的「Leahy-Smith 美國發明法案」,此次USPTO所頒布的最終規則亦將於2012年9月16日起施行。預計將擴大第三人提呈先前技術意見書之比例,但對於專利申請人將造成甚麼影響,值得持續觀察。
加拿大修正專利法,於2019年正式生效2018年12月1日,加拿大智慧財產局公告了新專利法,並立2018年12月1日起至31日為公衆諮詢期,該法於2019年正式生效。 本次專利法修改多屬鬆綁權利人之期日限制,包括: 恢復優先權主張:在新專利法上路後,在非故意錯過了12個月的優先權期限的情況下,可允許將優先權期限延長至14個月; 更容易取得申請日:針對直接申請加拿大專利而非透過專利合作條約(Patent Cooperation Treaty,PCT)的申請案,即使尚未繳納申請費,或是相關申請文件非英文和法文,一樣可以取得申請日; 允許補交在主張優先權申請遺漏的內容; 獲核准通知後提出修改作業的程序順暢化; 採用電子送件,排序列表不會被徵收超頁費; 對特定的錯誤有更明確的修正截止日:移除因「行政作業」上疏失而提出修正請求的規定,在其他規定上增加了明確的截止日; 採PCT途徑進入國家階段已經不再有42個月的期限; 維持費用制度較為複雜,錯過實質審查期限影響也較嚴重; 如果已遞交之申請案並非英文或法文版本,那未來修改申請案必須要能自合理的從原本外語版本中合理推論而出; 需提出優先權證明文件:申請人必須向加拿大專利局遞交每一件先前申請的優先權證明文件,特殊情況下才能豁免提交; 部分申請期限變短:新專利制度縮短申請人部分申請程序及時間,例如申請實體審查期限從申請日起5年內降為4年等。
英國民眾請願禁止使用DRM超過1400位英國民眾共同連署後,於英國政府電子請願網站上,請求英國政府禁止「數位版權管理」(digital rights management, DRM)之使用。該項請願中引用去年英國國會獨立組織-All Party Parliamentary Internet Group(APIG)所發表之調查結果。該項調查結果中指出,為避免如2005年Sony所使用之數位版權管理程式般具有侵入性的科技侵害人民權利,應針對此類科技建立消費者保護機制。 除此之外,該份請願亦主張,數位版權管理使得消費者無法自由在CD或數位下載等不同競爭產品間自由選擇。而在不久之前,蘋果電腦之執行長Steve Jobs亦曾提倡無數位版權管理之合法數位音樂下載,Steve Jobs認為若能提供無數位版權管理之合法數位音樂下載,將可增加不同業者所提供音樂下載服務的相容性,進而促使數位音樂下載市場更為蓬勃發展。 不過對於該項請願,英國政府回應中認為數位版權管理不僅透過科技保護措施扮演著警察的角色,同時亦使得內容提供業者得以各種消費者期望的方式提供數位內容服務。因此,數位版權管理的存在仍有其貢獻,不應加以廢除。當然在使用數位版權管理的同時,亦應注意消費者權益之保護,合理的方式乃是在消費者購買產品前,清楚告知產品所提供之服務內容、消費者購買後可被允許之使用方式和各種使用限制。
全球四大晶片業者共同研發奈米蝕刻技術世界四大電腦晶片業者決定與紐約州合作,在今後五年內出資 5.8億美元,研究發展下一代電腦微晶片製造技術。紐約州預定出資1.8億美元,美國IBM、超微半導體(AMD)、美光科技(Micron)與德國英飛凌預定各出五千萬美元的現金與設備,另2億美元由多家提供物料與設備的廠商提供。惟世界最大晶片廠商英特爾(Intel)並未參與此計畫,英特爾目前在x86微處理器市場中,占有銷售量的80%、銷售額的90%。 此國際奈米蝕刻事業( International Venture for Nanolithography, INVENT)計畫的基地,預定設在奧伯尼紐約州立大學奈米科學與工程學院,預期共有500多位研究人員、工程師與其他人員,投入此計畫。 奈米科技是研究分子與原子級的科學,此一計畫研究重心是利用光線,蝕刻大約頭髮直徑十萬分之一大小的電路,讓參與公司及早取得與學習應用研究出來的蝕刻工具。由於近年半導體速度與複雜性快速提高,晶片業者製造更小、更快晶片的難度增加,研究發展成本飛躍上升,業界體認到必須合作,才能負擔。一具蝕刻工具成本可能高達 2500萬美元,蝕刻工具進步攸關晶片廠商繼續縮小晶片規模,使每個晶片具有更多運算與儲存能力。目前生產的最先進晶片運用90奈米科技,晶片廠商希望從2006或2007年起,生產65奈米晶片。