為加強歐盟及各成員國的研究基礎設施合作,從發展政策方面,於2002年成立「歐洲研究基礎設施策略論壇」(European Strategy Forum on Research Infrastructures, ESFRI)協助各會員國統籌規劃RIs(Research Infrastructures, RIs)的發展藍圖。在法律層面,於2009年通過「第723/2009號歐盟研究基礎設施聯盟法律架構規則」(COUNCIL REGULATION (EU) No 723/2009 of 25 June 2009 on the Community legal framework for European Research Infrastructure Consortium (ERIC),使各歐盟會員國、夥伴國家、非夥伴國家之第三國家或跨政府國際組織等對於分散的RIs整合起來後,可向歐盟執委會提出申請,依該號規則取得法律人格,成立「歐盟研究基礎設施聯盟」(European Research Infrastructure Consortium, ERIC),且可為權利得喪變更之主體,更可與他方簽訂契約或成為訴訟當事人,使其具有自我經營管理之能力。
截至目前為止(2015年9月),歐盟的RIs正式成立11個ERIC,並且透過國際間合作將RIs做更有效率之使用。國際上近年來創新研發競爭激烈,歐盟執委會為了持續推動建置世界級歐洲研究區域(European Research Area, ERA),無論在資金面、政策面及法律層面均有積極作為,在強化歐盟RIs同時促進國際科技研發合作,俾使歐盟於研發創新的領域保持世界領導之地位,歐盟未來仍會持續推動各個重要研發領域的ERIC,ERIC對於整合歐盟各國重大RIs負有重要使命。
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
歐盟執委會於2022年2月8日提出《歐洲晶片法案》(European Chips Act),以確保歐盟在半導體技術和應用的供應鏈安全、彈性和技術領先地位。近來全球半導體短缺,迫使汽車及醫療保健設備等眾多領域工廠關閉,部分歐盟成員國的汽車產量於2021年下降三分之一,顯示在複雜的全球地緣政治背景下,半導體價值鏈極度依賴數量有限的參與者。《歐洲晶片法案》將動員公共及私人投資歐洲半導體產業,金額超過430億歐元;並制定政策措施以預防、準備、預測和迅速應對未來任何供應鏈中斷情形,幫助歐盟實現2030年將現行晶片市場占比提升至20%的願景。《歐洲晶片法案》共分成八大章節,涵蓋歐洲晶片倡議、供應安全、監測和危機應對、治理模式、保密處罰及程序等議題。其中《歐洲晶片法案》主要由三大支柱組成,規範內容如下: 支柱一:歐洲晶片倡議(法案第3條至第9條)。歐洲晶片倡議將對現有關鍵數位技術重新進行戰略定位,以強化歐盟成員國和相關第三國及私營部門的「晶片聯合資源承諾」。歐盟預計將投入110億歐元用於加強研究、開發和創新,以確保部署先進半導體工具、原型設計實驗產線、測試和用於創新生活應用的新設備,培訓員工深入了解半導體生態系統和價值鏈。 支柱二:供應安全(法案第10條至第14條)。建立半導體「集成生產設施(Integrated Production Facility, IPF)」和「開放歐盟代工廠(Open EU Foundry, OEF)」,透過吸引投資與提高生產能力來建立供應安全的新框架,用以發展先進節點創新及節能晶片。此外,晶片基金將為新創企業提供融資管道,協助技術成熟並吸引投資者;投資歐洲基金(Invest EU)將設置專屬半導體股權投資的選項,以擴大歐洲半導體研發規模。 支柱三:監測和危機應對(法案第15條至第22條)。建立歐盟成員國和執委會間的協調機制,用以監測半導體供應、估計需求和預測短缺。透過蒐集企業的關鍵情報能發現歐洲主要弱點和瓶頸,從而監控半導體價值鏈穩定。歐盟將彙整危機評估報告並協調各成員國採取歐盟建議的應對方案,以便共同做出迅速正確的決定。
從國外案例談軟體漏洞資訊公布與著作權防盜拷措施 首批奈米標章三月核發國內推出的「奈米標章」日前開放申請,第一批受理的奈米產品是與人體未直接碰觸的奈米光觸媒脫臭塗料、光觸媒抗菌瓷磚、及光觸媒抗菌燈管等三項產品,經濟部可望在今年3月核發第一批標章,並在今年內再開放五項奈米產品申請。 目前國內生產相關奈米磁磚廠商有泉耀科技等、奈米燈管業者有台灣日光燈及東亞照明等、奈米塗料廠商有台灣富萊寶科技等都可望提出申請,有機會成為第一 批拿到奈米標章的廠商,因我國也是全球第一個推出奈米標章國家,對政府積極推動發展奈米產業助益大。 經濟部指出,第一批僅開放三項奈米產品,是基於安全起見,以未與人體直接碰觸的產品為主,其他與人體直接接觸的奈米紡織品、奈米化妝品及保養品等尚未納入,第二批開放五項奈米產品也還未敲定。
標準制定組織成員之專利揭露義務標準制定組織為了提高產業競爭,防止標準制定組織之會員們,在獲得涵蓋產業標準的專利權後,以壟斷性手段壓迫其他競爭對手,故通常會以智慧財產權政策要求參加的會員揭露其被標準制定組織選擇寫入標準的專利。其重要內容通常包括: 1. 必要專利揭露 許多標準制定組織皆有規定,標準必要專利權人應依以誠實信用及適當方式進行揭露之義務,例如IEEE及ETSI 。即對於討論中的技術標準,必須對標準制定組織及其參與者公開揭露所持有的必要專利。揭露的基本目的主要有三項 : (1) 使標準開發相關工作小組會員可以掌握納入標準之多項候選技術的基本資訊(例如專利技術價值、成本及可行性等等),並做出適當選擇。 (2) 藉此得知須提出授權聲明或承諾的必要專利權人。 (3) 藉此讓必要專利的潛在實施者得知應向那些必要專利權人獲取必要專利相關資訊。 2. 事前揭露授權條款(ex-ante disclosure of licensing terms) 事前揭露授權條款係一種受保護之技術在被採納為標準必要專利前,將授權條件的揭露的機制,目前IEEE及ETSI採行自願性揭露方式。與必要智財權的揭露及授權聲明不同,其主要的目的在於讓標準制定委員會將技術採納為標準前,可以根據所揭露的授權條件來決定有那些技術在符合權利人授權條件下,有哪些技術可以納入標準,又有哪些不同替代技術,並據以作成決定 。