美國擬推聯邦私密隱私保護法案，防治情色報復將邁向聯邦法位階
美國加州第14屆國會選區眾議院議員Jackie Speier於2016年7月中旬提出私密隱私保護法案(Intimate Privacy Protection Act, IPPA)，本法案之草擬耗時兩年多，以聯邦法的法律位階之姿誕生，在美國各州政府紛紛將違反本人意願散布性隱私內容入罪化的高峰期，可望能統一各州州法分歧的法律落差。由於目前全美已有超過半數的州政府已分別頒布所謂的情色報復法案(Revenge Porn Act)，造成各地方政府就此行為之定義和條文適用有所歧異，對無國界的網路生態來說，產生許多法律適用之衝突和迥異。
私密隱私保護法案規定，違反本人意願散布性隱私內容者，將處五年以下有期徒刑，得併科罰金，適用主體包含具有侵害故意和意圖藉此營利之人。然而，有反對聲浪認為，由於條文僅限欠缺本人同意，但未限於行為人具有侵害他人的故意，故認為此聯邦法位階的法案適用範圍過於廣泛，恐侵害憲法保障的言論自由。美國公民自由聯盟(American Civil Liberties Union, ACLU)長期關注此項法律議題，要求構成要件應限於行為人具有侵害他人之故意，否則將嚴重影響媒體產業。私密隱私保護法案條文內容特別明列排除適用之條款，如因法律或訴訟執行上的需要、基於公共利益或合法的商業利益之情事，以及網路服務提供者的豁免責任(意圖藉由散布性隱私內容而營利之網路服務提供者除外)。目前本法案同時獲得多數民主黨議員、共和黨議員，以及網路服務提供者巨擘Facebook和Twitter的支持。
蕭郁溏
法律研究員 編譯整理
Intimate Privacy Protection Act, H.R., 114th Cong. (2nd Sess. 2016).
Kristen V. Brown, Whoa, We Might Finally Get a Federal Law Making Revenge Porn Illegal, FUSION, July 16, 2016, http://fusion.net/story/325638/jackie-speier-revenge-porn-bill/ (last visited Aug. 5, 2016).
Steven Nelson, Lawmakers Unveil Proposal to Take Nip Out of Revenge Porn, U.S. NEWS, July 14, 2016, http://www.usnews.com/news/articles/2016-07-14/lawmakers-lay-bare-proposal-to-take-nip-out-of-revenge-porn (last visited Aug. 5, 2016).
韓國中小企業暨新創事業部（Ministry of SMEs and Startups, MSS）於2024年7月31日，在首爾江南區TIPS Town的「國際創業中心」（the Global Startup Center）開幕典禮上宣布將推出「特殊創業家簽證」（Startup Korea Special Visa），計劃年底前實施。此計畫旨在擴大對國際新創的支持，延攬國際創新創業人才，以加速韓國新創生態系統國際化。 中小企業暨新創事業部部長指出，將與法務部（Ministry of Justice）跨部會合作推出此一新簽證，讓具有創新和商業潛力的國際新創更容易在韓國落地發展創立新事業。部長更進一步向國際新創喊話，韓國過去幾年成功孕育出多家重量級獨角獸企業，極具協助新創發展為獨角獸企業之優勢。 推出此一「特殊創業家簽證」措施，係為因應去年公布之「韓國新創政策」（Startup Korea）中提出對於現行創業家簽證（startup visa）進行改進之策略。 蓋韓國現行的創業家簽證相較於其他先進國家有較嚴格的條件，通常有學歷限制以及各式佐證資料的要求，對不少外國創業家構成申請之阻礙。 而新的「特殊創業家簽證」著眼於外國新創的創新與商業潛力。若外國新創被認定具創新性與獲利能力，則不考慮其學歷或是否取得相關智慧財產權等制式標準，將直接發給「特殊創業家簽證」。至於認定外國新創是否具備創新性和商業可行性的評估，將由民間甄審委員會而非公共機構負責。 韓國中小企業暨新創事業部與法務部預計年底前完成細節實施計畫，以順利啟動「特殊創業家簽證」制度。此一新簽證制度預計將顯著促進韓國新創生態系統發展，使來自世界各地具有創新和商業頭腦的創業家更容易在韓國落地生根。 後疫情時代，因應產業快速調整，各國政府無不努力擘劃一系列攬才留才策略，以促進國家經濟創新轉型發展。我國政府亦應從國際動向觀察政策趨勢，韓國中小企業暨新創事業部本次發布之新簽證制度，非常值得我國參考借鏡。
美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制美國商務部（Department of Commerce, DOC）旗下國家標準及技術研究院（National Institute of Standards and Technology, NIST）於2023年2月28日發布《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act）補助具體內容，重點如下： 一、申請時間：補助採滾動式錄取模式（rolling basis），先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請（pre-application）與正式申請（full application）；成熟製程與其他相關生產設施的製造補助，將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額：補助分為直接補助（direct funding）、聯邦政府貸款（federal loans）或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保（federal guarantees of third-party loans）。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15％。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助，然整體補助金額不得超出預估資本支出的35％。 三、申請流程 1.意向聲明（statement of interest）：申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明，俾利NIST旗下晶片計畫辦公室（CHIPS Program Office）為未來審查進行準備。 2.預先申請：申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請：依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後，申請人應遞交完整的計畫申請書，內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後，會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄（non-binding Preliminary Memorandum of Terms），記載補助方式與金額。 4.盡職調查（due diligence）：在經過上述程序後，晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能（reasonably likely）取得補助，將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放：通過盡職調查後，DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股（stock buybacks）：受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫：申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元，須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限：受補助者必須於DOC所決定的特定日期（target dates）前開始或完成廠房建造，否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤：補助金額超過1億5千萬美元時，受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益，但最高不超過直接補助金額的75％。 5.不得於特定國家擴產與進行研究：受補助者於10年內或與DOC合意的期間內，除特定情況下（15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)），不得於特定國家，如中國，進行大規模半導體製造的擴產（material expansion）、聯合研究（joint research）或技術授權（technology licensing），違反者將會被DOC收回全額補助。
何謂「“十三五”技術市場發展專項規劃」？中國大陸發布「“十三五”技術市場發展專項規劃」，在十二五時期，中國大陸不斷的推動技術市場的進步與發展，在政策上，不斷的更新法規，包括修訂《中國大陸促進科技成果轉化法》，進而促使《中國大陸促進科技成果轉化法》、《中國大陸科技進步法》、《中國大陸合同法》和地方技術市場法規共同規範了對中國大陸技術市場的保障。 在十三五時期，中國大陸提出六項主要任務，分述如下：(一)使保障技術市場的法規更為完整；(二)完整技術市場體系的建構；(三)加速促進成果轉化的步調；(四)利用技術平台，使創新創意相互流動；(五)提高技術市場人才的專業能力；(六)合理化的監督管理機制。