ECODIR之線上爭端解決機制介紹
韓國2013年智財施行計畫檢討評估作法介紹 科技法律研究所 法律研究員 陳聖薇 2014年12月23日 壹、事件摘要 依據韓國智慧財產基本法第10條，韓國針對國家智慧財產施行計畫之執行成果，應定期進行整體檢討評估，以作為往後計畫之參考指標。為此，韓國於2014年8月11日公布「2013年度國家智財施行計畫之檢討評估結果」[1](以下簡稱2013檢討評估結果)。本文以下將簡要說明之。 如同「2012年度國家智財施行計畫之檢討評估結果」(以下簡稱：2012檢討評估結果)，2013檢討評估結果針對2013年度國家智財施行計畫(以下簡稱2013年施行計畫)之5大政策面向：創造、保護、運用、基礎環境、新智慧財產，以及地方自治團體等六個面向挑選出重點推動之35課題，由民間專家組成「政策評估團」，以確保評估之專業性及客觀性。而具體評估方式與指標以下分別說明之。 貳、評估方式與指標 一、評估方式 韓國考量到智財施行計畫之特殊性，再者，評估國家層級智財政策之成效，不僅需要評估政策成果，同時也要對政策形成、執行等政策基礎環境之確保等相關要素進行評估，以作為下一年度計畫政策之參考。 為確保評估之專業性及客觀性，由韓國智財委員會之民間委員、及下設之創造、保護、運用、基礎環境、新智慧財產等專門委員會之專門委員，以及地方自治團體代表等30位成員組成政策評估團。每位評估委員就各機關提出之實績報告書內容為判斷依據，再依照不同指標之特性，進行定量和定性評估。政策評估團第1次評估完畢後，就會召開調整會議，決定各推動課題之評估等級(分成優秀、普通、需要改善3個等級)為何。最後，本智財施行計畫之最終評估結果會告知相關機關，供其制定、執行政策之參考，並且運用於智慧財產財政分配方向及下年度施行計畫之制定上。 二、評估指標 在評估指標設計上，韓國一大特色在於其不以行政機關別為政策評估，而是以創造、保護、運用、基礎環境、新智慧財產等五大政策領域以及加上地方自治團體面向作為評估框架[2]。進一步之細部評估指標則運用國務總理室之政府業務評估(特定評估[3])基本架構，針對「政策形成–執行–成果」整個過程，分階段進行評估。此外，2013檢討評估結果是以2012檢討評估結果為基礎，將既有之指標統合、刪減後，再依據地方政策特殊性，增加地方自治團體之評估指標。指標變更事項有：依據各地方特殊性需要有針對地方量身訂作之「地方自治團體政策差別性」指標；針對識別性較弱之「推動日程之適當性」與「監督與情況變化之對應性」之指標整合。配分變更事項有：因應政策是否實際有感於民的比重日亦加重，「政策效果」之指標也加重配分；就新的指標針對中央與地方分別進行評估。詳細指標內容如下表所示 : 表1：2013年智財施行計畫之中央(地方)機關政策評估指標 區分 評估項目 評估基準 政策形成(30%/35%) 1.計畫確立之適切性(15%) 1-1.事前分析、意見蒐集之充實性(5%) 1-2.成果指標及目標值之適當性(10%) 2.政策基礎環境之確保水準(15%/20%) 2-1.推動體系之充實性(5%/10%) 2-2.資源分配之適當性(10%) 政策執行(30%) 3.推動過程之效率性(20%) 3-1. 與有關機關、政策之連結性(10%) 3-2.監督與情況變化之對應性(10%) 4.政策擴散之努力水準(10%) 4-1.政策溝通、宣傳、教育之充實性(10%) 政策成果(40%/35%) 5.政策成果及效果(40%/35%) 5-1.成果目標達成度(20%/15%) 5-2.政策效果(20%) 資料來源：韓國國家智財委員會，http://www.ipkorea.go.kr/index.do。 參、代結論 在前述評估機制運作下，2013檢討評估結果共列出8個優秀課題與4個待改善之課題。後續針對待改進課題，該主管機關在接受評估委員之改善意見後，會提出補充之改善計畫，表示其要如何解決政策推動之障礙因素，而國家智財委員會則會隨時檢視其執行狀況，並且適時給予政策支援。至於優秀課題部分，韓國將會提供細節資訊與相關機關共享，讓機關之間互相學習，樹立一個學習標準(benchmarking)。 從施行計畫、檢討評估到提供量身訂做之改善建議，顯示韓國對於建構智慧財產強國的企圖。而2012、2013檢討評估結果之經驗，也將持續提供為2014年檢討評估之參考，使智慧財產施行計畫之檢討評估能更具效率。 [1]韓國國家智慧財產委員會，2014年8月11日公布之第11回國家智財委員會決議〈13년 시행계획 점검평가결과〉。 [2]依據政策領域評估的課題計有 :創造(2)、保護(4)、活用(5)、基礎(3)、新智慧財產(4)以及地方自治課題(17)。 [3]韓國政府業務評估基本法第2條第4款，所謂特定評估，指國務總理以中央行政機關為對象，為統合管理國政，對必要之政策進行評估。
車聯網「V2V」簡介V2V（Vehicle-to-vehicle）通訊使用短程無線通訊技術（dedicated short-range radio communication, DSRC）交換周邊車輛速度與位置等相關訊息，並協助採取相對應措施，如警告駕駛前方車輛正在剎車，或於駕駛視線死角處有其他車輛正高速接近。因此，使用V2V通訊技術可有效避免車輛間相互碰撞、紓解交通壅塞之問題，對環保方面亦有所助益，然而，此技術於多數車輛間得以相互通訊時，方能最大化其效益。 V2V通訊技術可以每秒約10次之頻率，使車輛間相互廣播並接收全面之訊息，從而在一定距離範圍內360度「感知」其他車輛並與其他車輛進行「對話」。若將搭載V2V通訊技術之車輛配備適當的軟體或安全設備，車輛間即可利用接收到的有效訊息來避免潛在的事故威脅。V2V通訊技術可偵測出超過300公尺範圍之交通情況，包括因交通、地形或天氣影響而受人類駕駛忽略之危險，較傳統使用雷達系統或攝影鏡頭進行偵測之方式更為精準。 無論是機車、汽車、卡車及公車皆可使用V2V通訊技術以提升車輛安全系統的性能，車輛間之連接技術將成為協助駕駛發現潛在交通危機的輔助工具，有助於顯著減少每年因交通事故喪生之人數。
韓國最高法院判決以虛擬貨幣買賣現金之交易為合法韓國最高法院於2010年1月10日，針對一項以線上遊戲貨幣換取現金所構成之刑事案件做出最終判決，認定此一行為並不違反韓國遊戲產業振興法施行令第18條 之3之禁止交易規定，從而不構成犯罪。 本案事實為兩名知名線上遊戲「天堂」(Lineage)之玩家陸續於2007-2008年間，以其於該遊戲中所購得，約值2億3千4百萬韓圜之虛擬貨幣「天幣」(Aden)，陸續轉賣給其他約2000位遊戲玩家，以賺取價差。該案於2008年經釜山檢察廳依違反遊戲產業振興法施行令起訴，並聲請簡易判決後，兩名玩家分別被處以5百萬及3百萬韓圜之罰金。經兩名玩家提起正式裁判請求後，釜山地方法院仍維持簡易判決之結果，僅將罰金降至4百萬及2百萬韓圜。兩名玩家仍以不服判決為理由上訴至釜山高等法院。於此一上訴審中，釜山高等法院即以該交易所使用之虛擬貨幣並非來自於線上賭博遊戲或其他射悻性之途徑，故不違反韓國遊戲產業振興法施行令第18條 之3之規定，改判兩名玩家無罪。就此一上訴審判決，檢察廳另以該知名線上遊戲仍帶有諸多射悻或運氣成分，從而其取得虛擬貨幣之方式與賭博遊戲相似為理由，向最高法院提起上訴；唯最高法院認釜山高等法院之判決認事用法並無違誤，從而駁回檢察廳上訴，本案判決確定。 對於此一判決，各方反應並不一致。於最高法院判決出爐後，韓國文化觀光體育部即發表正式聲明，表示此一無罪判決係基於法院認定本案缺乏相關認定「不正常遊戲管道」是否存在之證據，而並非一律認定虛擬貨幣與現金之間的買賣或兌換交易均為合法。但一般遊戲產業界均認為，此一判決之作成確實開啟了線上遊戲中另一種獲利市場之可能性。如再配合2009年9月韓國法院所作成對於線上遊戲中的虛擬貨幣交易須課徵10%加值稅的判決進行觀察，則此種交易方式是否會對於韓國整體遊戲產業發生結構性之重大影響，應值得期待。
美國商務部產業安全局擴大對中國半導體製造設備、軟體工具、高頻記憶體等項目之出口管制.Pindent{text-indent: 2em;} .Noindent{margin-left: 2em;} .NoPindent{text-indent: 2em; margin-left: 2em;} .No2indent{margin-left: 3em;} .No2Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 3em} .No3indent{margin-left: 4em;} .No3Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 4em} 美國商務部產業安全局（Bureau of Industry and Security，簡稱BIS）於2024年12月2日發布《外國生產的直接產品規則補充以及先進運算及半導體製造項目管制精進》（Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items），並於同日（12月2日）生效，部分管制措施的法律遵循延後至2024年12月31日。BIS開放公眾可以就本次管制提出意見。 因中國的半導體戰略旨在進一步推進中國的軍事現代化、大規模殺傷性武器（WMD）的發展，美國政府認為中國的相關政策與措施，將可能侵害美國及其友盟之國家安全。因此，本次管制之目的旨在進一步削弱中國生產先進節點半導體的能力，包括下一個世代的先進武器系統，以及具有重要軍事應用的人工智慧與先進運算。 為達上述目的，本次管制修正具體擴大的管制項目概述如下： 1. 24種半導體製造設備，包括某些蝕刻（etch）、沉積（deposition）、微影（lithography）、離子注入（ion implantation）、退火（annealing）、計量（metrology）和檢驗（inspection）以及清潔（cleaning）工具。 2. 3種用於開發或生產半導體的軟體工具。 3. 管制源自美國的高頻寬記憶體，以及於美國境外生產且美國管制清單中所列之高頻寬記憶體。 4. 新增對電子電腦輔助設計（Electronic Computer Aided Design）與技術電腦輔助設計（Technology Computer Aided Design）軟體及技術的限制。