美國歐盟貿易和技術委員會發布第四次聯合聲明，強化高科技技術及貿易安全合作
美國歐盟貿易和技術委員會（Trade and Technology Council，簡稱TTC）第四次部長級會議於2023年5月31日發布聯合聲明。TTC繼續作為美國和歐盟對俄羅斯在烏克蘭戰爭中協調及有效反應的平台，處理包括與制裁相關的出口限制、打擊外國資訊操縱和干擾，以及破壞人權並威脅到當事國及第三國民主制度的運作和社會福祉等議題。
本次TTC聯合聲明之五大議題重點介紹如下：
（1）強化跨大西洋新興技術合作以實現美歐共同領導：包括監控與衡量現有和新出現的人工智慧風險；發展智慧電網下智慧移動標準及互通性（Interoperability）；提升半導體供應鏈的合作，包括鼓勵研發、資訊共享；建立工作小組共同處理量子技術問題。
（2）促進貿易及投資的永續性與新機會：乾淨能源補助；避免關鍵礦物供應受地緣政治影響；藉由數位工具提升貿易便捷的合作；相互承認醫藥品製造實務作法等。
（3）貿易、安全和經濟繁榮：出口管制與制裁相關出口限制的合作；交換對於與國安風險有關的特定敏感技術及關鍵設施投資審查的看法；重視對外投資管制，以保護敏感技術不流於對國際和平與安全有疑慮的用途；討論非市場政策與實務、及經濟脅迫（Coercion）的威脅與挑戰。
（4）連結性（Connectivity）和數位基礎設施：加速合作發展6G無線通訊系統；國際連通性與海底電纜計畫。
（5）在不斷變化的地緣政治數位環境中捍衛人權和價值觀：建構具透明性與可問責之線上平台；處理在第三國進行外國資料操縱與干預議題。
TTC將透過各工作小組，持續關注、研究上述議題的發展，並預計於2023年底於美國再次召開會議，檢視合作的成果。
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
陳奕夫
專案經理 編譯整理
The White House, U.S.-EU Joint Statement of the Trade and Technology Council (2023), https://www.whitehouse.gov/briefing-room/statements-releases/2023/05/31/u-s-eu-joint-statement-of-the-trade-and-technology-council-2/ (last visited July 7, 2023).
European Commission, EU-US Trade and Technology Council enhances cooperation in emerging technologies, sustainable trade and economic security (2023), https://ec.europa.eu/commission/presscorner/detail/en/ip_23_2922 (last visited July 7, 2023).
許祐寧，〈美國與歐盟成立貿易與科技理事會TTC，藉由十大領域工作小組強化雙方貿易與技術合作〉，資訊工業策進會科技法律研究所，2022/01，https://stli.iii.org.tw/article-detail.aspx?tp=1&d=8776&no=64（最後瀏覽日：2023/07/07）。
美國商務部（Department of Commerce, DOC）旗下國家標準及技術研究院（National Institute of Standards and Technology, NIST）於2023年2月28日發布《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act）補助具體內容，重點如下： 一、申請時間：補助採滾動式錄取模式（rolling basis），先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請（pre-application）與正式申請（full application）；成熟製程與其他相關生產設施的製造補助，將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額：補助分為直接補助（direct funding）、聯邦政府貸款（federal loans）或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保（federal guarantees of third-party loans）。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15％。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助，然整體補助金額不得超出預估資本支出的35％。 三、申請流程 1.意向聲明（statement of interest）：申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明，俾利NIST旗下晶片計畫辦公室（CHIPS Program Office）為未來審查進行準備。 2.預先申請：申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請：依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後，申請人應遞交完整的計畫申請書，內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後，會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄（non-binding Preliminary Memorandum of Terms），記載補助方式與金額。 4.盡職調查（due diligence）：在經過上述程序後，晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能（reasonably likely）取得補助，將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放：通過盡職調查後，DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股（stock buybacks）：受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫：申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元，須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限：受補助者必須於DOC所決定的特定日期（target dates）前開始或完成廠房建造，否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤：補助金額超過1億5千萬美元時，受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益，但最高不超過直接補助金額的75％。 5.不得於特定國家擴產與進行研究：受補助者於10年內或與DOC合意的期間內，除特定情況下（15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)），不得於特定國家，如中國，進行大規模半導體製造的擴產（material expansion）、聯合研究（joint research）或技術授權（technology licensing），違反者將會被DOC收回全額補助。