美國國家創新與創業諮詢委員會(National Advisory Council on Innovation and Entrepreneurship, NACIE)於2024年2月8日發布「透過創業提高競爭力:美國創新策略」(Competitiveness Through Entrepreneurship: A Strategy For U.S. Innovation)報告,其確定改善與協助美國創業精神之三大關鍵領域,並提出十項建議,敦促政府消除創業活動障礙,增加新創公司獲得人才、資金之機會。
NACIE由企業家、創新者、投資人、學者與經濟發展領導者組成。由商務部長責成其確定如何使美國繼續成為改變典範之創新來源、以及將創新推向市場之泉源。NACIE於此報告中所確認之三大關鍵領域與十項建議之內涵簡述如下:
(1)關鍵領域1:發展未來產業(Growing the Industries of the Future)
美國雖於能源、自動化、人工智慧、量子科學與生物科技等創新領域取得商業上之成功,但對於產業創新仍存有四大威脅,包括國家機關間之協調、研發投資之持續減少、大學研發產品商業化受阻與境外製造之風險。
建議1:
成立國家創新委員會(National Innovation Council),由科學技術政策辦公室主任(Director of the Office of Science & Technology Policy)擔任主席,成員包括相關內閣秘書、國家科學基金會(NSF)主任、美國專利商標局(USPTO)局長與美國首席技術長(Chief Technology Officer, CTO),倡導全國創新與創業並協調相關聯邦政府活動。
建議2:
恢復與擴大國家投資,使創新登月計畫成為可能—大幅增加聯邦對關鍵技術之研發投資,使美國在未來成長產業中發揮領導作用。
建議3:
啟動國家創新加速器網路(National Innovation Accelerator Network, NIAN)—一個由加速器、輔導、投資計畫與創業支持組織組成之虛擬“網路中之網路”(“network of networks”),旨在大規模增強社會各方面之包容性創業能力。
建議4:
為聯邦資助之研究與開發提供智慧財產權激勵措施;制定政策與激勵措施,促進聯邦政府資助之創新廣泛傳播與商業化;並促進將聯邦資助創新進行國內製造。
建議5:
積極與創新者、企業家與資助者合作,確保其擁有足夠之智慧財產權與網路安全教育與資源來保護其之想法與業務,並接受培訓以能夠識別與防止外國公司或國家潛在之智慧財產權盜竊。
(2)關鍵領域2:獲取資本(Accessing Capital)
美國前七大上市公司全部皆由創投所支持,於1990至2020年間,相較於私部門之雇用率上升40%,同一時期由創投支持之公司雇用率成長達960%;美國創投規模亦居於全球之冠,甚至某些城市之創投規模已超過其他國家,如2021年紐約之創投規模即相當於印度全國之規模。惟美國創投之問題在於投資機會未能平等,如女性、有色人種、非都會區較難獲得創投投資。
建議6:
透過制定新聯邦計畫,擴大企業家之成長資金管道,以支持各地更多企業家,特別是通常未受足夠服務之企業家。
建議7:
透過擴大直接資助與基於激勵(incentive-based)之聯邦計畫,增加資金並為新興基金經理提供機會,以便於全國更多處皆能有更多具有各種人口背景與專業之投資人。
建議8:
向投資於研發、種子輪或A 輪融資新創公司、女性與少數族群擁有之新創公司、以及保護與授權智慧財產權之公司與個人提供年度稅收抵免與激勵措施。
(3)關鍵領域3:培養創業人才(Developing Entrepreneurial Talent)
人才對於創業生態系之完整建構至為重要,美國一半以上之10億美元公司由移民創辦,三分之二之獨角獸公司由移民創辦或共同創辦,這些公司之創辦人中有25%是國際學生。
建議9:
透過提供導師、支持服務資金以及幫助吸引與培養關鍵人才,全面支持新高潛力企業家,旨在增加美國新創公司之數量與影響力。
建議10:
有系統地提供支持創業之工具與資源,打破任何人、任何地方之障礙,為新創業企業做出貢獻,以便美國未來能更快地創新。
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
美國白宮於2024年2月9日宣布從《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)撥款110億美元執行「CHIPS研發計畫」(CHIPS Research and Development (R&D) programs),並將設立投資基金,協助美國新興半導體公司技術商業化發展。 CHIPS研發計畫源係於美國國會於2022年8月通過《晶片與科學法》,提供527億美元的經費支持美國半導體產業,其中390億美元用於補助半導體生產,110億美元用於半導體研發。此次CHIPS研發計畫的具體作法如下: (1)建置國家半導體技術中心(National Semiconductor Technology Center,簡稱NSTC):為CHIPS研發計畫的核心項目,將投資50億美元建置NSTC,協助美國先進半導體研發與設計,確保美國於半導體領域的領先地位。NSTC將向公眾共享設施與專業知識,幫助創新者取得相關專業知識與能力。此外NSTC亦將推動利益團體(Community of Interest),將開放所有利益相關者就NSTC的規劃提供意見。 (2)投資半導體人才(Investing in the Semiconductor Workforce):創建人才勞動卓越中心(Workforce Center of Excellence),以培育、訓練美國半導體產業所需人才,並促進產業界與學術界的合作。 (3)投資其他關鍵領域研發之需求(Investing in Other Key R&D Needs):向美國晶片製造研究所(CHIPS Manufacturing USA Institute)投資至少2億美元,以創建美國首座半導體製造數位孿生研究所(Semiconductor Manufacturing Digital Twin Institute),以降低晶片研發製造的成本,加速創新技術商業化之週期;以及投資3億美元於先進封裝產業,以提升半導體系統之效能。以外亦投資1億美元資助「CHIPS量測計畫」(CHIPS Metrology Program)的29個項目,幫助研發新型測量設備與方法,以滿足為電子產業的技術需求。
美國法院判定新聞報導中嵌入來自第三方、含受著作權保護攝影著作之發文屬合理使用網球選手「丹麥甜心」Caroline Wozniacki在2019年底於社群媒體Instagram發布退休文章並附上一張其青少年職業賽之發球特寫照片,該爭議照片為丹麥攝影師 Michael Barrett Boesen(後稱Boesen)所拍攝,爾後聯合體育出版社United Sports Publications(後稱USP)以嵌入含有該爭議照片之發文截圖報導該選手退休的新聞並刊載於長島網球雜誌(Long Island Tennis Magazine)之網站上,然而USP並未獲得Boesen之允許或授權使用,因此Boesen於2020年3月對USP提出著作權侵權訴訟。 美國紐約東區聯邦地區法院法官根據美國著作權法第107條(17 U.S.C. § 107)之合理使用原則:(1)使用的目的和性質、(2)受著作權保護作品的性質、(3)實質使用原始作品的比例、以及(4)該著作權物的使用對市場的影響等四項判斷要素,逐一檢視本爭議。 針對要素一,法官參酌相似前案,認為USP之新聞並非單純使用Boesen的照片,而是嵌入該爭議照片之發文截圖,且未針對該爭議照片內容描述該選手之青少年網球生涯,已賦予既有著作新的或不同元素或有其他使用目的,而非替代既有著作之原始用途,而認定USP充分地轉化該攝影著作、屬合理使用;而要素二,法官認為該爭議照片同時具資訊性與創造性元素,而該爭議照片除了在網球選手發文中公開之外,Boesen亦已公開於其社群媒體與網站中,使該爭議照片之資訊性成份相對較高、其合理使用範圍較大;至於要素三,USP之新聞係嵌入網球選手之退休發文,且保留選手頭像簡介、發文內容等社群媒體之所有標記,並未直接對該爭議照片進行編輯,因此使用該攝影著作之比例相對低;最後要素四,USP之報導非單獨呈現該爭議照片而係連同網球選手退休發文一同展現,此外該爭議照片係經過裁切且解析度低,實質上難以取代原始攝影著作之市場價值。綜上所述,法官最終於同年11月初作出判決,認定USP嵌入具Boesen攝影著作發文之報導屬合理使用。
美國商務部產業安全局擴大對中國半導體製造設備、軟體工具、高頻記憶體等項目之出口管制.Pindent{text-indent: 2em;} .Noindent{margin-left: 2em;} .NoPindent{text-indent: 2em; margin-left: 2em;} .No2indent{margin-left: 3em;} .No2Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 3em} .No3indent{margin-left: 4em;} .No3Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 4em} 美國商務部產業安全局(Bureau of Industry and Security,簡稱BIS)於2024年12月2日發布《外國生產的直接產品規則補充以及先進運算及半導體製造項目管制精進》(Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items),並於同日(12月2日)生效,部分管制措施的法律遵循延後至2024年12月31日。BIS開放公眾可以就本次管制提出意見。 因中國的半導體戰略旨在進一步推進中國的軍事現代化、大規模殺傷性武器(WMD)的發展,美國政府認為中國的相關政策與措施,將可能侵害美國及其友盟之國家安全。因此,本次管制之目的旨在進一步削弱中國生產先進節點半導體的能力,包括下一個世代的先進武器系統,以及具有重要軍事應用的人工智慧與先進運算。 為達上述目的,本次管制修正具體擴大的管制項目概述如下: 1. 24種半導體製造設備,包括某些蝕刻(etch)、沉積(deposition)、微影(lithography)、離子注入(ion implantation)、退火(annealing)、計量(metrology)和檢驗(inspection)以及清潔(cleaning)工具。 2. 3種用於開發或生產半導體的軟體工具。 3. 管制源自美國的高頻寬記憶體,以及於美國境外生產且美國管制清單中所列之高頻寬記憶體。 4. 新增對電子電腦輔助設計(Electronic Computer Aided Design)與技術電腦輔助設計(Technology Computer Aided Design)軟體及技術的限制。
印度為促進新創公司發展 將不予受理軟體專利申請案印度「專利設計與商標管理局」(Controller General of Patents, Designs and Trademarks)於2016年2月19日發佈最新的「審查電腦相關之發明專利準則」(Guidelines for Examination of Computer Related Inventions, CRIs),決定在專利申請之審查程序中落實印度於1970年所制定的專利法(Patents Act, 1970)之意旨,未來當局將不再受理與電腦相關的軟體專利申請案。印度《專利法》第3條第k項排除本質上為數學演算法、商業方法與電腦程式運算法則等申請案之可專利性(Patentable)。該規定在印度《專利法》於2002年、2004年與2005年修法過程中,雖面臨各方利益團體試圖影響國會立法放寬法定可專利性範圍的壓力,但仍然為印度國會(Bhārat kī Sansad)所保留。 然而,印度「專利設計與商標管理局」卻於2015年8月21日發佈違反《專利法》意旨的CRIs,導致軟體專利的可專利性被實質上放寬。一般認為開放申請軟體專利的政策將會阻礙新創公司的發展,並有利於所謂「專利主張實體」(Patent Assertion Entity, PAE)藉大量軟體專利向一般公司提起訴訟或請求授權金,導致印度當局遭受國內新創軟體公司與相關非政府組織的激烈抗議。 「自由軟體法律中心」(Software Freedom Law Center, SFLC)與「印度軟體產品圓桌會議」(Indian Software Product Industry Round Table, iSPIRT)等機構即代表眾多新創公司與學術界人士上書印度「總理辦公室」(Prime Minister’s Office),請求政府對2015年8月發佈的CRIs進行檢討。SFLC等組織的積極作為,成功說服印度當局作出暫緩該高度爭議的CRIs生效之決定。代表SFLC等組織的專家表示,印度的軟體已受到《著作權法》與《營業秘密法》的足夠保障,進一步開放發明人申請軟體專利只會對該國軟體產業並無助益。 印度當局與相關團體在數個月間密集的進行研議,終於在2016年2月決定修正原先發佈的CRIs,使其回歸印度《專利法》不開放軟體專利申請的立法意旨。