宏碁起訴代工廠 反擊惠普侵權控訴
宏碁(Acer)歷經惠普(HP)今年相繼兩次之侵權控訴，於向惠普尋求和解未獲得回應後，宏碁之美國子公司於5月9日在美國德州聯邦法院遞狀，向其代工廠鴻海、緯創及廣達等三家廠商提起訴訟，要求下游代工廠商共同負責，協助其與惠普的官司訴訟。
此三家廠商在擔任Acer的供應商之同時，亦是HP的設計代工製造(ODM)廠商。宏碁為回擊惠普在美國對其專利侵權之訴訟，因而使出該絕招，並要求此三家供應廠商「共同履行訴訟保證責任」負起連帶保證之責任，並對惠普之侵權訴訟案給予協助。
宏碁表示，此一訴訟僅為配合美國法律程序而採取之必要行動。鴻海則表示，宏碁、惠普兩大客戶都是依據法律途徑正當保障並維護本身的權益，鴻海會依法律程序配合。廣達表示，此案已進入法律程序，未來將依法律途徑，尋求圓滿的解決。緯創則不予置評。
宏碁今年登上全球第三大PC寶座，而惠普連續兩次向美國法院控告宏碁涉嫌侵權之舉，被認為係意圖阻擋宏碁在美國市場之發展。宏碁表明，代工廠挨告的原因係由於與其合作模式為宏碁負責銷售，代工廠負責研發設計，和代工廠在合作之初，即已確保其所有提供給宏碁的技術，不會侵犯其他公司的專利，也約定廠商有義務負責相關專利訴訟賠償。
「地方創生」之概念源於2014年日本安倍內閣所提出的地方治理新模式，又稱「激勵地方小經濟圈再生」政策（ちほうそうせい），其施政重點主要為解決三大問題：人口高齡化和負成長造成的勞動力人口的減少、人口過度集中都會區（尤其是東京）以及地方人口外流以致人力資源不足而使地方經濟發展面臨困境之情形。 自2008年以來，日本人口開始加劇下降，導致消費和經濟實力下降，成為日本經濟和社會的沉重負擔。為解決該情況，國家與地方合作對地區發展持續落實、檢討、修正相關政策。政策原則為自立性、未來性、區域性、直接性、結果導向；政策內容亦稱為地方創生三支箭（地方創生版・三本の矢），包含： 資訊支援（情報支援）：推廣區域經濟分析系統（Regional Economy Society Analyzing System, RESAS），使各地區能對產業、人口、社會進行必要的數據分析，並能依據分析結果解決地方問題。 人才支援：維持地方生活在地化、就學在地化、服務在地化，並派駐國家公務員至小規模的地方政府機關，輔佐地方機關首長。 財政支援：補助地方創生政策執行、補助地方基礎建設、施行地方稅制改革。 地方創生之目標，在於鼓勵日本國民維持在當地工作，為地區創造新人潮，並使地方年輕人能在家鄉安心結婚育兒，此外，讓各地結合地理及人文特色，發展出最適合地方的產業，中央和地方持續合作以實現地方政府的永續發展目標。
台幹入股台資企業亦屬在大陸大區從事投資，必須事前向投審會提出申請近幾年來，為了增加台籍員工向心力，不少台商都辦過「增資認股」，多數的情況是，企業辦理增資時，讓出一部分股權，開放員工入股。不論，員工入股是否自行買單，企業辦理「增資入股」時，都會先由台灣母公司辦理增資海外控股公司，再將計畫入股的員工載入控股公司名冊。 隨著台資企業開放員工入股漸成風潮，士林電機董事會日前通過，將以士電蘇州恆通增資為首例，讓台籍幹部入股百分之二十，未來海外子公司，都將循相同模式，這是首次有上市櫃台商清楚表明，增資用途是讓員工入股，引起外界關注。 經濟部投資審議委員指出，依「在大陸地區從事投資或技術合作許可辦法」第４條第１項第３款規定，台灣地區人民在大陸地區取得當地現有公司股權，視為「在大陸地區從事投資」，必須在行為發生前，依同法第７條第１ 項備具申請書件向投審會申請許可，縱投資金額在公告限額以下，亦應填具申報書並檢附相關文件向投審會申報。 根據上開規定，台幹入股台資企業，視為「投資」行為，必須事前提出申請，否則恐將挨罰。另員工入股之後，按在大陸地區從事投資或技術合作審查原則第３點規定，也必須遵守台灣地區個人對大陸投資累計金額不得超過八千萬元的上限。
『採購單位執行下單評估與廠商智慧財產管理要件之關連性』研究調查 美國商務部產業安全局擴大對中國半導體製造設備、軟體工具、高頻記憶體等項目之出口管制.Pindent{text-indent: 2em;} .Noindent{margin-left: 2em;} .NoPindent{text-indent: 2em; margin-left: 2em;} .No2indent{margin-left: 3em;} .No2Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 3em} .No3indent{margin-left: 4em;} .No3Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 4em} 美國商務部產業安全局（Bureau of Industry and Security，簡稱BIS）於2024年12月2日發布《外國生產的直接產品規則補充以及先進運算及半導體製造項目管制精進》（Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items），並於同日（12月2日）生效，部分管制措施的法律遵循延後至2024年12月31日。BIS開放公眾可以就本次管制提出意見。 因中國的半導體戰略旨在進一步推進中國的軍事現代化、大規模殺傷性武器（WMD）的發展，美國政府認為中國的相關政策與措施，將可能侵害美國及其友盟之國家安全。因此，本次管制之目的旨在進一步削弱中國生產先進節點半導體的能力，包括下一個世代的先進武器系統，以及具有重要軍事應用的人工智慧與先進運算。 為達上述目的，本次管制修正具體擴大的管制項目概述如下： 1. 24種半導體製造設備，包括某些蝕刻（etch）、沉積（deposition）、微影（lithography）、離子注入（ion implantation）、退火（annealing）、計量（metrology）和檢驗（inspection）以及清潔（cleaning）工具。 2. 3種用於開發或生產半導體的軟體工具。 3. 管制源自美國的高頻寬記憶體，以及於美國境外生產且美國管制清單中所列之高頻寬記憶體。 4. 新增對電子電腦輔助設計（Electronic Computer Aided Design）與技術電腦輔助設計（Technology Computer Aided Design）軟體及技術的限制。