中國大陸能源基金會副主席楊富強日前透露,能源基金會、世界自然基金會與國家財政部正在研討開徵「生態稅」。目前,正在為能源對環境的影響成本進行核算,年內相關草案將出爐。
據中國大陸媒體報道,世界自然基金會氣候變化與能源項目負責人甘霖表示,生態稅主要目的就是為了保護生態環境和自然資源,向所有因其生產和消費而造成外部不經濟的納稅人課徵的稅收。
生態稅涉及所有消費化學能源的行業,讓企業去承擔環境成本,實現生態和資源價值的合理補償。目前,生態稅的標準正在研討中,不同的行業對應不同的稅收標準。這個標準與企業的排放有關。根據企業排放量的多少,制定一個限定的比例,再乘以企業的年生產量。也就是說,「企業污染的越多,承擔的環境成本就會越高。」
甘霖指出,目前綠色能源的環境績效還不能完全轉化為經濟效益,綠色能源單位建設投資高及利用率偏低,造成綠色能源價格較高,從而無法與傳統能源競爭,成為影響綠色能源發展的一個瓶頸。現在運用稅收手段,徵收生態稅,就是要使傳統能源價格升高,從而縮小傳統能源與綠色能源之間的差價,推動全社會積極使用綠色能源。
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
為了持續維持日本國內以及與東京奧運舉辦相關的關鍵基礎設施服務的安全性,日本內閣網路中心於2017年4月19日公布關鍵基礎設施資訊安全對策第4次行動計畫。 在第4次行動計畫,關鍵基礎設施防護目的主要是以關鍵基礎設施的功能保證為考量,盡量減少關鍵基礎設施IT故障的發生,並提升從事故中恢復的速度。因此,第4次行動計畫除持續檢討並改善第3次行動計畫原有政策外,較重要的變革為OT(Operation Technology)的重視與風險對應機制整備。在安全基準整備與落實情況方面,要求關鍵基礎設施產業須將OT的觀點融入人才培育。在資訊分享制度方面,分享的資訊範圍應包含IT、OT與IoT的資訊,並排除資訊分享的障礙。而在風險管理部分,日本從功能保證的觀點出發,新增風險情況對應準備的要求,包含事業持續計畫的提出與緊急應變措施的制定等。而在防護基礎強化上,該行動計畫認為關鍵基礎設施產業的IT、OT人員及法務部門必須依其內部資訊安全策略共同為關鍵基礎設施安全而跨組織合作。 另外,第4次行動計畫變更電力領域關鍵基礎設施的重要系統,從原有的運轉監視系統變更為智慧電表,以及新增化學、信用卡與石油三大關鍵基礎設施領域的業者、關鍵系統與因IT故障對關鍵基礎設施可能造成的危害影響。
中國大陸公布專利法修正草案對外徵詢意見中國大陸國家知識產權局於2015年4月1日,公佈第四次《中華人民共和國專利法修改草案(徵求意見稿)》,其中涉及實質性修改條文共30條,包括修改現有條文18條、新增11條、刪除1條,並增加「專利的實施和運用」章。 具體修改重要內容包括: 一、強化外觀設計保護:1、產品局部外觀設計納入專利法保護範圍。2、增加外觀設計專利國內優先權制度。3、將外觀設計專利權之保護期限由10年延長到15年。4、鑒於實用新型和外觀設計專利權的授予沒有經過實質審查,具有不穩定性,草案增訂「專利權評價報告」作為侵權糾紛審理和處理過程中必須提交的「證據」,當事人無正當理由不提交,需自行承擔訴訟上不利後果。 二、提升發明人地位:1、草案規定「利用本單位物質技術條件完成的發明創造」,權利歸屬優先適用約定原則,若未約定時,申請專利權利歸屬於發明人或設計人。2、為解決國家設立之研究機構、高等院校專利技術移轉率低問題,允許發明人或設計人在單位怠於實施發明情形下,可與單位協商自行實施或者授權他人實施該專利,並按照協議享有相應權益,藉以激勵發明人積極進行技轉實施。 本次意見徵集時間已於4月28日截止,上述強化外觀設計保護及發明人地位作法,得否順利通過,有待後續持續追蹤。
從交易成本概念談智慧財產資訊揭露的原則與效益 美國簽署晶片和科技法案,全球科技業將掀起波瀾美國近日為防堵中國、其他受關注國家如俄羅斯等國掌握半導體等高科技行業關鍵技術,遂致力於加強培養其本土之半導體及高科技通訊產業。於美國時間2022年8月9日美國總統拜登簽署 「2022年晶片和科技法案」 (CHIPS and Science Act 2022),該法案除可作為2021年頒布之「美國電信法案」之補助資金來源,發展開放式無線電接取網路(Open Radio Access Network, ORAN)外,亦有望大幅度提升美國本土晶片生產量。 本法案提高美國聯邦政府對科學技術研究及開發專案之授權,除授權美國商務部(Department of Commerce , DOC)、國防部(Department of Defense, DOD)外,還結合國務院(Department of State, DOS)透過資金補助之方式,發展影響美國競爭力及國家安全至關重要之半導體製造等高科技產業、人工智慧、量子計算等科學研究,本法案整體編列之預算高達2800億美元,至2027年時,授權金額預計將達1740億美元,而其中將挹注超過520億美元之資金用於發展美國本土晶片之生產及研發。 此外,該法案設有靜態限制,禁止接受補助之半導體企業投資以電子設計自動化(Electronic design automation, EDA)工具設計或製造晶片之中國公司,換句話言,即受補助之企業不得於十年內投資或擴大生產中國製低於28奈米之先進晶片。本法案亦提供25%之稅收優惠予於美國建造、裝設晶片廠之業者,以鼓勵企業進駐美國藉以提升美國生產之晶片總量,同時藉由企業之投資帶動美國各地經濟發展,提高就業率。 藉由本法案之制定,有望降低美國對其他國家晶片之依賴,並得藉此發展科技研究,對未來全球高科技產業供應鏈將造成偌大影響,值得持續關注。