為落實推動可謂污染源主要大宗之大型工業設施,積極改善並導入符合綠色環保、效率節能等新興技術或措施,美國環保署(Environmental Protection Agency,EPA)於2010年12月完成「溫室氣體排放量許可方案(Framework for Greenhouse Gas Permitting Programs)」以確保未來國內新設置大型工業設施,其溫室氣體排放量能取得認定,並符合聯邦「清潔空氣法案(Clean Air Act)」許可規範。環保署並將推動各項行動,協助州地方政府調整法令及措施,屆時符合聯邦法規相關要求標準。 依據此方案,自2011年1月起美國境內大型工業設施若有興建或進行重大修改計畫,必須使用能源效率措施、符合效率成本科技來興建,確保能減少溫室氣體排放,並取得符合許可證明,以此模式控制達成美國溫室氣體減量目標。 並且,環保署並同時公佈制訂「特定產業新污染源排放標準(New Source Performance Standards,NSPS)」,而特定產業將包括石化燃料發電廠與煉油廠,兩項目前可謂最大工業污染源;並且所管制的空氣污染源,擴及包括溫室氣體、毒性化學物質,以及六種於「清潔空氣法案(Clean Air Act)」明定指標污染物(Criteria Pollutant)的重大常見空氣污染物。這些NSPS將設立特定產業新工業設施污染物之排放標準限制,並規範控制既有工業設施之空氣污染。美國環保署表示,未來將定期更新這些標準限制,以因應相關科學技術革新。 環保署官員認為,這些推動措施將引領美國企業永續升級,開發更多綠色能源技術,吸引更多投資,並增加整體產業競爭力。然而,環保署這些措施,卻引起美國石油協會(American Petroleum Institute)代表的反彈,並認為環保署這項強制措施是史無前例,亦不符合「清潔空氣法案(Clean Air Act)」立法意旨及規範用意。環保署近來積極推動「溫室氣體排放量許可方案」,以及制訂「特定產業新污染源排放標準」,未來成效如何,及是否得以落實實施,有待後續觀察。
美國國會推動研擬國家潔淨能源標準法案美國參議員院能源與自然資源委員會(U.S. Senate Committee on Energy and Natural Resources)主席Jeff Bingaman於2012年3月7日向國會提出推動建立潔淨能源標準(The Clean Energy Standard,CES)法案。該提案的主要內容為,自2015年開始,所有電力業者(electric utility)的能源必須最少有24%是來自於潔淨能源,並且每年增加3%直至2035年達到84%。 潔淨能源發電除了風力、太陽能等再生能源發電之外,還包括核能、天然氣和碳捕集與儲存(Carbon capture and storage, CCS)技術的燃煤火力發電等。同時,為了鼓勵發電廠採用再生能源,零碳發電機將可以得到全額的信貸,低碳發電機則可依其碳濃度(carbon intensity)(與最高效的燃煤火力發電廠的之比較)的比例獲得部分貸款。為使提案獲得支持,提案中並沒有對總量排放或是發電量成長上做出限制。至目前為止,共有八位民主黨參議員為該法案的共同提案人,Bingaman預計將在未來幾週內與行政官員和公用事業官員舉行聽證,並尋求支持。 歐巴馬總統在2011和2012年的國情咨文中皆呼籲國會通過潔淨能源標準,並且在2013年的預算提案中提到,確保美國在潔淨能源經濟的領導地位是政府的戰略核心之一,此法案的推動便是為了呼應美國目前重要的政策走向,因此政府對國會通過該法案亦表達了支持的立場。,潔淨能源標準將會驅動潔淨能源領域中的創新和投資,並且帶來大量的就業機會,幫助美國維持在潔淨能源經濟中的領先地位,因此,潔淨能源標準建立的討論是重要且必須的,而可以預期的是,除了吸引大量投資者、發展美國的多元化電力發電態樣和碳排放量的大幅下降以外,更重要的是,將引起世界各國對此議題的廣泛討論,因而值得持續關注。
全球四大晶片業者共同研發奈米蝕刻技術世界四大電腦晶片業者決定與紐約州合作,在今後五年內出資 5.8億美元,研究發展下一代電腦微晶片製造技術。紐約州預定出資1.8億美元,美國IBM、超微半導體(AMD)、美光科技(Micron)與德國英飛凌預定各出五千萬美元的現金與設備,另2億美元由多家提供物料與設備的廠商提供。惟世界最大晶片廠商英特爾(Intel)並未參與此計畫,英特爾目前在x86微處理器市場中,占有銷售量的80%、銷售額的90%。 此國際奈米蝕刻事業( International Venture for Nanolithography, INVENT)計畫的基地,預定設在奧伯尼紐約州立大學奈米科學與工程學院,預期共有500多位研究人員、工程師與其他人員,投入此計畫。 奈米科技是研究分子與原子級的科學,此一計畫研究重心是利用光線,蝕刻大約頭髮直徑十萬分之一大小的電路,讓參與公司及早取得與學習應用研究出來的蝕刻工具。由於近年半導體速度與複雜性快速提高,晶片業者製造更小、更快晶片的難度增加,研究發展成本飛躍上升,業界體認到必須合作,才能負擔。一具蝕刻工具成本可能高達 2500萬美元,蝕刻工具進步攸關晶片廠商繼續縮小晶片規模,使每個晶片具有更多運算與儲存能力。目前生產的最先進晶片運用90奈米科技,晶片廠商希望從2006或2007年起,生產65奈米晶片。
美國提出加速營業秘密盜竊調查的相關立法2021年6月,美國有多位參議員針對營業秘密保護提出立法建議,目的是要讓認為自己的智慧財產權受到竊取的企業,可阻擋盜竊其營業秘密者的相關產品進口到美國。 參議員John Cornyn和Christopher Coons提出藉由修改1930 年的關稅法(Tariff Act),在美國國際貿易委員會(International Trade Commission,簡稱ITC)中設立新的委員會,並由美國司法部長(Attorney General)領導,負責調查背後為國外政府支持之競爭對手的智慧財產權盜竊指控。智慧財產權所有者可透過提交經宣誓的聲明書提出指控,或由司法部長辦公室提出指控。此立法設定30天的調查期限讓調查人員決定是否在冗長的審查展開時停止其產品進口。該法案將適用於來自任何國家的進口產品,但據了解,目前大部分的智慧財產盜竊指控都是來自於中國大陸公司。 雖然在ITC已有類似的程序可提出救濟,但在現行制度下需要的時間過長,最近一年在ITC進行的調查平均時長為19個月。透過此法案設計的制度,將使有關當局在調查營業秘密盜竊指控時,可更容易地阻止因竊取營業秘密而製造出的產品進口到美國。 「本文同步刊登於TIPS網站(https://www.tips.org.tw)」