英國先進材料研發之促進輔助法制政策介紹
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
英國醫學總會（General Medical Council, GMC）在2009年9月公佈了一份有關醫師保密義務的指南（Guidance for doctors - Confidentiality），該指南針對基因檢測資訊的部份指出，病患的基因資訊和一些其他的資訊，有時也會是和病患擁有共同基因或其它連結的其他人的資訊，因為，在病患身上所診斷出來的因有缺陷基因所造成的疾病，可能也就指出了和病患有血緣關係的親屬的發病可能性，或甚至是幾乎可以確定他們未來也會發病。此時，醫師要提醒病患應該立即通知也有可能有此有缺陷基因的親屬，以期能夠協助那些親屬接受預防治療或作更進一步的檢查，對潛在的健康問題有所準備。 然而，若是病患表示了反對的意思，例如病患是來自一個破碎的家庭，和親屬的關係並不良好，或是基於其它個人的理由，所以不願意告知親屬相關有缺陷基因的風險時，則指南提醒醫師應該要自行衡量身為醫師對於保護病患所需遵守的義務，以及協助保護他人免於嚴重傷害兩者之間孰輕孰重。此外，若經過醫師的判斷之後，決定要向那些親屬告知他們所可能面對的健康風險時，醫師必須要採行不會透露病患身份的方式為之。 當然此種基因檢測資訊的通知，引起了正反兩極的評價，反對者主張此舉將嚴重侵害病患隱私權，也可能損害了醫師與病患間資訊保密的原理原則。唯贊成者則指出，許多的基因疾病，如亨丁頓舞蹈症、囊狀纖維化(Cystic fibrosis)、血友病(Haemophilia)、及乳癌(Breast cancer)等，都有著極高的遺傳性及致死率，透過此一機制所能達到的早期警告的效果，或可使得帶有相同有缺陷基因的病患親屬，能夠對潛在的健康問題及早有所準備。且若該等親屬正要或未來要透過試管嬰兒取得下一代時，亦可在執行試管嬰兒的程序中進行篩檢，防止下一代的人生繼續遭受此種有缺陷基因所帶來的疾病。
美國最高法院判決單離DNA片段不具專利標的適格性2013年6月13日美國最高法院（the Supreme Court of the United States）就備受矚目之Association for Molecular Pathology v. Myriad Genetics, Inc.一案做出判決，認定如乳癌易感基因BRCA1、BRCA2等經單離（isolated）的人類DNA片段不具美國專利法第101條（35 U.S.C. §101）所規定之專利標的適格性。 美國最高法院指出，雖然專利權人發現了BRCA1與BRCA2基因的位置與序列，但是其並未創造或改變BRCA1與BRCA2基因上的任何遺傳資訊，亦並未創造或改變該DNA片段的基因結構，所以即使其是發現了一個重要而有用的基因，但僅是將其從周遭其他基因材料中分離出來，並非為一項發明行為。亦即是說，突破性、創新或卓越的發現並不必然符合美國專利法第101條之要件要求。 不過，美國最高法院認為，cDNA片段可以具備專利標的適格性，因為其為從mRNA所創造出來、僅具備外顯子（exons-only）的分子，而非自然發生之自然產物。然而美國最高法院對於cDNA是否符合其他可專利要件之要求並不表示意見。 美國最高法院亦強調，本案判決並未涉及任何方法發明，亦未就將有關BRCA1與BRCA2基因之知識予以應用的發明做出判斷，且未判斷自然發生之核苷酸順序經改變的DNA片段是否具備專利標的適格性的問題。
美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制美國商務部（Department of Commerce, DOC）旗下國家標準及技術研究院（National Institute of Standards and Technology, NIST）於2023年2月28日發布《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act）補助具體內容，重點如下： 一、申請時間：補助採滾動式錄取模式（rolling basis），先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請（pre-application）與正式申請（full application）；成熟製程與其他相關生產設施的製造補助，將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額：補助分為直接補助（direct funding）、聯邦政府貸款（federal loans）或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保（federal guarantees of third-party loans）。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15％。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助，然整體補助金額不得超出預估資本支出的35％。 三、申請流程 1.意向聲明（statement of interest）：申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明，俾利NIST旗下晶片計畫辦公室（CHIPS Program Office）為未來審查進行準備。 2.預先申請：申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請：依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後，申請人應遞交完整的計畫申請書，內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後，會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄（non-binding Preliminary Memorandum of Terms），記載補助方式與金額。 4.盡職調查（due diligence）：在經過上述程序後，晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能（reasonably likely）取得補助，將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放：通過盡職調查後，DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股（stock buybacks）：受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫：申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元，須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限：受補助者必須於DOC所決定的特定日期（target dates）前開始或完成廠房建造，否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤：補助金額超過1億5千萬美元時，受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益，但最高不超過直接補助金額的75％。 5.不得於特定國家擴產與進行研究：受補助者於10年內或與DOC合意的期間內，除特定情況下（15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)），不得於特定國家，如中國，進行大規模半導體製造的擴產（material expansion）、聯合研究（joint research）或技術授權（technology licensing），違反者將會被DOC收回全額補助。
內政部、經濟部發佈「新建建築物節約能源設計標準」，自七月一日施行