美國「能源效率改革法案」簡介

刊登期別
第26卷第5期,2014年05月
 

※ 美國「能源效率改革法案」簡介, 資訊工業策進會科技法律研究所, https://stli.iii.org.tw/article-detail.aspx?d=6577&no=64&tp=1 (最後瀏覽日:2026/09/21)
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日本修訂《教育資訊安全政策指引》以建構安全的校園ICT環境

  日本文部科學省於2022年3月發布「教育資訊安全政策指引」(教育情報セキュリティポリシーに関するガイドライン)修訂版本,該指引於2017年10月訂定,主要希望能作為各教育委員會或學校作成或修正資訊安全政策時的參考,本次修訂則是希望能具體、明確化之前的指引內容。本次修訂主要內容如下。 (1)增加校務用裝置安全措施的詳細說明: 充實「以風險為基礎的認證」(リスクベース認証)、「異常活動檢測」(ふるまい検知)、「惡意軟體之措施」(マルウェア対策)、「加密」(暗号化)、「單一登入的有效性」(SSOの有効性)等校務用裝置安全措施內容敘述。 (2)明確敘述如何實施網路隔離與控制存取權的相關措施: 對於校務用裝置實施網路隔離措施,並將網路分成校務系統或學習系統等不同系統,若運用精簡型電腦技術(シンクライアント技術)則可於同一裝置執行網路隔離。另外,針對校務用裝置攜入、攜出管理執行紀錄,並依實務運作調整控制存取權措施,例如安全侵害影響輕微者則可放寬限制以減輕管理者負擔。

何謂「美國專利審理暨訴願委員會(PTAB)」?

  專利審理暨訴願委員會(Patent Trial and Appeal Board, PTAB)成立於2012年9月16號。其成立之法源為《美國發明法案》(Leahy-Smith America Invents Act, AIA),承接「專利訴願暨衝突委員會」(Board of Patent Appeals and Interferences, BPAI)事務,成為美國專利商標局(United States Patent and Trademark Office,USPTO)下轄職司專利審理與訴願等相關程序的組織。PTAB主要可以分成「專利審理部門」(Trials)和「專利訴願部門」(Appeals)。   「專利審理部門」處理有爭議的案件,囊括四種處理方式: 專利授予後複審(Post-Grant Review, PGR)   除了專利所有權人的任何人,可以在專利公告或發證後9個月內提出,惟之前不得就專利無效提出訴訟。無效理由只要一項請求不具專利性即可,不需要是實質新問題(Substantial New Questions, SNQ)。但不可匿名,需揭露實質利益關係人。 多方複審程序(Inter Partes Review, IPR)   在發證後9個月後才可提出,且必須是PGR終結後、提出確認之訴(Declaratory Judgment)之前、或被控侵權的1年內提出申請。且僅能以核准專利及公開文獻作為證據。 含商業方法專利的過渡性方案(Transitional Program for Covered Business Method Patents, CBM)   這是對所授予的商業方法專利的過渡型條款,將商業先使用抗辯(Prior Commercial Use Defense)擴大適用到所有專利的商業使用行為,不再侷限在方法專利。IPR、CBM類似於我國的舉發制度,只是 CBM 僅能就商業方法專利提出。 申請人/發明人調查程序(Derivation Proceedings)   以往發明人身分爭議多仍以訴訟解決,原因之一為,過去程序係釐清誰先想到該構想或實踐該構想而非釐清原創者為誰。申請人調查程序將俾利身分的釐清。   「專利訴願部門」則是由超過一百位專利行政法官(Administrative Patent Judges)所組成,處理與被駁回專利申請相關的訴願。按 35 U.S.C. § 141(a),訴願人可以就PTAB的訴願結果,向美國聯邦上訴法院(United States Court of Appeals for the Federal Circuit, CAFC)提起訴訟;後續,可就聯邦上訴法院之判決,再上訴至最高法院(Supreme Court)。

美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制

美國商務部(Department of Commerce, DOC)旗下國家標準及技術研究院(National Institute of Standards and Technology, NIST)於2023年2月28日發布《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)補助具體內容,重點如下: 一、申請時間:補助採滾動式錄取模式(rolling basis),先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請(pre-application)與正式申請(full application);成熟製程與其他相關生產設施的製造補助,將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額:補助分為直接補助(direct funding)、聯邦政府貸款(federal loans)或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保(federal guarantees of third-party loans)。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15%。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助,然整體補助金額不得超出預估資本支出的35%。 三、申請流程 1.意向聲明(statement of interest):申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明,俾利NIST旗下晶片計畫辦公室(CHIPS Program Office)為未來審查進行準備。 2.預先申請:申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請:依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後,申請人應遞交完整的計畫申請書,內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後,會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄(non-binding Preliminary Memorandum of Terms),記載補助方式與金額。 4.盡職調查(due diligence):在經過上述程序後,晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能(reasonably likely)取得補助,將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放:通過盡職調查後,DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股(stock buybacks):受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫:申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元,須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限:受補助者必須於DOC所決定的特定日期(target dates)前開始或完成廠房建造,否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤:補助金額超過1億5千萬美元時,受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益,但最高不超過直接補助金額的75%。 5.不得於特定國家擴產與進行研究:受補助者於10年內或與DOC合意的期間內,除特定情況下(15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)),不得於特定國家,如中國,進行大規模半導體製造的擴產(material expansion)、聯合研究(joint research)或技術授權(technology licensing),違反者將會被DOC收回全額補助。

美國國會提出「不被追蹤網路資訊保護法案」

  「不被追蹤網路資訊保護法」(Do Not Track Me Online Act of 2011)的內容為法律規定企業必須提供選項給消費者選擇退出不被網路追蹤的機制,例如廣告商為了廣告的行銷,以網路技術追蹤消費者軌跡,廣告商必須提供消費者退出被追蹤的選項,給消費者作選擇,主要的目的在保護消費者資訊不被網路技術追蹤而洩漏隱私,若是此法案通過後,可以藉此保護消費者的網路隱私權。   在2010年12月由美國聯邦交易委員會(U.S Federal Trade Commission, FTC)的網路隱私報告中初步提出Do Not Track Me Online Act,美國國會議員在2011年提出此法案進行討論,若是通過後,將會有效限制線上廣告及社群媒體追蹤消費者使用網路的行為,並且防免其將個人資料分享予其他企業,及有效限制線上廣告及社群媒體追蹤消費者使用網路。對於行政機關來說,能夠藉此協助美國聯邦交易委員會建構整體的不被追蹤網路法案標準。若業者未遵守此法案提供退出機制,美國聯邦交易委員會將可能提起不公正及詐欺訴訟,而發動此一訴訟的人員為各州檢察總長。   為了保護隱私,不被追蹤網路資訊法案的提出十分需要,對於企業是否能追蹤消費者的網路活動,消費者因此擁有選擇權。在美國聯邦交易委員會去年12月初步提出此法案後,許多網路瀏覽器例如Mozilla及Explorer紛紛改進技術,以提早因應不被追蹤法案的實施,而廣大消費者團體的也紛紛支持此法案,認為可以因此保護消費者的網路隱私權。

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