根據中國大陸最高人民法院(以下簡稱高法)2014年11月3日公布之《最高人民法院關於北京、上海、廣州知識產權法院案件管轄的規定》,大陸地區將陸續於北京、上海、廣州成立知識產權法院(即我國的智慧財產法院)。另據高法6日新聞報導,北京知識產權法院已於同月6日掛牌成立,至於上海、廣州兩地法院也將於年內正式成立。
大陸地區成立知識產權法院係本年8月31日由其第12屆全國人民代表大會常務委員會第10次會議所決定的,初步將於北京、上海、廣州三地成立專責法院。根據前開規定第1條,知識產權法院管轄的第一審案件包括三類:一、專利、植物新品種、集成電路布圖設計(即我國之積體電路布局)、技術秘密、計算機軟件等技術類民事和行政案件;二、對國務院部門或者縣級以上地方人民政府涉及著作權、商標、不正當競爭等行政行為提起訴訟的行政案件;三、涉及馳名商標認定的民事案件。
北京、上海、廣州知識產權法院的管轄範圍分別為北京、上海兩直轄市,以及廣東省,前述提及三類相關案件由三地知識產權法院專屬管轄。如有上訴,相關案件均由法院所在地的高級人民法院知識產權審判庭審理,而不再透過該地中級人民法院。且相關法院之法官除依專業進行分類、配置外,亦將設有技術調查官等,以強化專業審判的能力。
隨著科技的日新月異,以及智慧財產相關糾紛或訴訟案件的高度專業化,有關大陸地區成立知識產權法院,或許是為因應趨勢所不得不為之措施,然其具體運作及成效,後續仍值持續關切。
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
作為企業競爭力泉源的技術資訊其價值日趨高漲,日本經濟產業省(以下簡稱經產省)以企業界為對象,於2020年7月到2021年9月召開超過20場線上「技術外洩防止管理說明會」,以技術資訊管理為核心,推動3種技術資訊管理制度: 一、技術資訊管理認證制度 基於2018年「產業競爭力強化法」修法,推動「技術資訊管理認證制度」,促進企業通過認證,強化企業取得合作夥伴信賴之能力。 二、營業秘密管理制度 基於日本「不正競爭防止法」,推動「營業秘密管理制度」,防止企業外洩自己的機密資訊,強化企業自我保護之能力。 三、安全保障貿易管理制度 基於企業對於「外國交易行為與外國貿易法」或相關法令知識不足,推動「安全保障貿易管理制度」,避免企業輸出高階技術、高性能產品被作為軍事利用而違法,進而面臨被處刑罰、行政罰之風險,強化企業承擔責任之能力。 全球新興科技發展以及嚴峻疫情驅使之下,我國許多企業投入數位轉型、採取遠距辦公,與客戶間傳遞或保管重要技術資訊時,將增加一定程度的資訊外洩風險,日本3種技術資訊管理制度可供我國企業建構技術資訊管理機制、強化企業技術保護力之參考。
照相手機成為助長青少年犯罪之工具?青少年間的打架尋仇事件會因為照相手機的誕生而變本加厲嗎? 發源於英國流行於青少年之間的一種犯罪活動「 happy slapping 」 ( 藉由公開掌摑不認識之被害人,並由加害人之一以手機全程拍攝,並將照片以手機傳送或上網流傳之犯罪行為 ) ,目前已逐漸蔓延於整個歐洲,且犯行甚至包括重傷害或是性侵案件,引起各國當局高度重視。在法國甚至發生一起學生攻擊教師並以手機拍照的案件,使得警方對於此種原本被單純視為是青少年間挑釁尋仇行為,已重新定義為「預謀暴力犯罪」;法國教育部長更公開表示希望能夠禁止學生在教室內使用手機。 至於歐洲其他國家也針對此種暴力犯罪行為採取進一步行動。德國巴伐利亞省及愛爾蘭許多學校已明令禁止學生在教室內使用手機;今年四月初,丹麥法院則針對兩名青少年學生傷害路人之行為做出有罪判決;而在荷蘭也傳出類似案例。在英國甚至有受辱的學生,因無法承受外界異樣眼光而上吊自殺的個案。 照相手機因為其強大傳輸、上網及存證功能,成為激發青少年逞血氣之勇並滿足個人英雄慾望之工具,這樣的發展途徑恐怕是照相手機原創者始料所未及。台灣目前似乎尚未受到此股歪風影響,但是,如何灌輸青少年正確享受科技進步的便利,似乎是相關當局應該關注的議題。
美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制美國商務部(Department of Commerce, DOC)旗下國家標準及技術研究院(National Institute of Standards and Technology, NIST)於2023年2月28日發布《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)補助具體內容,重點如下: 一、申請時間:補助採滾動式錄取模式(rolling basis),先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請(pre-application)與正式申請(full application);成熟製程與其他相關生產設施的製造補助,將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額:補助分為直接補助(direct funding)、聯邦政府貸款(federal loans)或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保(federal guarantees of third-party loans)。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15%。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助,然整體補助金額不得超出預估資本支出的35%。 三、申請流程 1.意向聲明(statement of interest):申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明,俾利NIST旗下晶片計畫辦公室(CHIPS Program Office)為未來審查進行準備。 2.預先申請:申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請:依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後,申請人應遞交完整的計畫申請書,內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後,會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄(non-binding Preliminary Memorandum of Terms),記載補助方式與金額。 4.盡職調查(due diligence):在經過上述程序後,晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能(reasonably likely)取得補助,將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放:通過盡職調查後,DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股(stock buybacks):受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫:申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元,須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限:受補助者必須於DOC所決定的特定日期(target dates)前開始或完成廠房建造,否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤:補助金額超過1億5千萬美元時,受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益,但最高不超過直接補助金額的75%。 5.不得於特定國家擴產與進行研究:受補助者於10年內或與DOC合意的期間內,除特定情況下(15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)),不得於特定國家,如中國,進行大規模半導體製造的擴產(material expansion)、聯合研究(joint research)或技術授權(technology licensing),違反者將會被DOC收回全額補助。
美國創新戰略推動下科技政策與重要法案之觀察