中華人民共和國發布「電子認證服務管理辦法」
中國大陸國家知識產權局於2015年4月1日，公佈第四次《中華人民共和國專利法修改草案（徵求意見稿）》，其中涉及實質性修改條文共30條，包括修改現有條文18條、新增11條、刪除1條，並增加「專利的實施和運用」章。 具體修改重要內容包括： 一、強化外觀設計保護：1、產品局部外觀設計納入專利法保護範圍。2、增加外觀設計專利國內優先權制度。3、將外觀設計專利權之保護期限由10年延長到15年。4、鑒於實用新型和外觀設計專利權的授予沒有經過實質審查，具有不穩定性，草案增訂「專利權評價報告」作為侵權糾紛審理和處理過程中必須提交的「證據」，當事人無正當理由不提交，需自行承擔訴訟上不利後果。 二、提升發明人地位：1、草案規定「利用本單位物質技術條件完成的發明創造」，權利歸屬優先適用約定原則，若未約定時，申請專利權利歸屬於發明人或設計人。2、為解決國家設立之研究機構、高等院校專利技術移轉率低問題，允許發明人或設計人在單位怠於實施發明情形下，可與單位協商自行實施或者授權他人實施該專利，並按照協議享有相應權益，藉以激勵發明人積極進行技轉實施。 本次意見徵集時間已於4月28日截止，上述強化外觀設計保護及發明人地位作法，得否順利通過，有待後續持續追蹤。
從交易成本概念談智慧財產資訊揭露的原則與效益 經濟部選定八大產業發展綠色能源經濟部所擬定的「綠色能源產業發展計劃」可分為兩大領域，一是發展再生能源，如推動太陽光電、風力發電、生質柴油等，取代部分石化能源；另一則是透過節能措施減少使用化石能源的使用量，如生產LED照明、混合動力車輛等。 此發展計劃選定太陽光電、太陽能熱水系統、風力發電、生質柴油、氫能及燃料電池、LED照明、冷凍空調、混合動力車輛等八大產業為重點輔導對象，並擬利用貨物稅租稅工具、經費補貼政策及行政力主導等政策工具引導業界大力投資。透過給予進口混合動力車貨物稅減半、五千萬元以上公共工程須設置一定比例太陽光電設施等措施輔導業界投入。
美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制美國商務部（Department of Commerce, DOC）旗下國家標準及技術研究院（National Institute of Standards and Technology, NIST）於2023年2月28日發布《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act）補助具體內容，重點如下： 一、申請時間：補助採滾動式錄取模式（rolling basis），先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請（pre-application）與正式申請（full application）；成熟製程與其他相關生產設施的製造補助，將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額：補助分為直接補助（direct funding）、聯邦政府貸款（federal loans）或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保（federal guarantees of third-party loans）。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15％。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助，然整體補助金額不得超出預估資本支出的35％。 三、申請流程 1.意向聲明（statement of interest）：申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明，俾利NIST旗下晶片計畫辦公室（CHIPS Program Office）為未來審查進行準備。 2.預先申請：申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請：依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後，申請人應遞交完整的計畫申請書，內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後，會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄（non-binding Preliminary Memorandum of Terms），記載補助方式與金額。 4.盡職調查（due diligence）：在經過上述程序後，晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能（reasonably likely）取得補助，將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放：通過盡職調查後，DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股（stock buybacks）：受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫：申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元，須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限：受補助者必須於DOC所決定的特定日期（target dates）前開始或完成廠房建造，否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤：補助金額超過1億5千萬美元時，受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益，但最高不超過直接補助金額的75％。 5.不得於特定國家擴產與進行研究：受補助者於10年內或與DOC合意的期間內，除特定情況下（15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)），不得於特定國家，如中國，進行大規模半導體製造的擴產（material expansion）、聯合研究（joint research）或技術授權（technology licensing），違反者將會被DOC收回全額補助。