建立G2B2C電子公文交換法制

刊登期別
2004年
 

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地方創生

  「地方創生」之概念源於2014年日本安倍內閣所提出的地方治理新模式,又稱「激勵地方小經濟圈再生」政策(ちほうそうせい),其施政重點主要為解決三大問題:人口高齡化和負成長造成的勞動力人口的減少、人口過度集中都會區(尤其是東京)以及地方人口外流以致人力資源不足而使地方經濟發展面臨困境之情形。   自2008年以來,日本人口開始加劇下降,導致消費和經濟實力下降,成為日本經濟和社會的沉重負擔。為解決該情況,國家與地方合作對地區發展持續落實、檢討、修正相關政策。政策原則為自立性、未來性、區域性、直接性、結果導向;政策內容亦稱為地方創生三支箭(地方創生版・三本の矢),包含: 資訊支援(情報支援):推廣區域經濟分析系統(Regional Economy Society Analyzing System, RESAS),使各地區能對產業、人口、社會進行必要的數據分析,並能依據分析結果解決地方問題。 人才支援:維持地方生活在地化、就學在地化、服務在地化,並派駐國家公務員至小規模的地方政府機關,輔佐地方機關首長。 財政支援:補助地方創生政策執行、補助地方基礎建設、施行地方稅制改革。   地方創生之目標,在於鼓勵日本國民維持在當地工作,為地區創造新人潮,並使地方年輕人能在家鄉安心結婚育兒,此外,讓各地結合地理及人文特色,發展出最適合地方的產業,中央和地方持續合作以實現地方政府的永續發展目標。

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日本總務省展現電信產業改革決心,提出「電信創生計畫」

  日本總務省於2014年10月31日公布了「電信創生計畫(モバイル創生プラン)宣示其對電信產業改革之決心。鑒於智慧型手機已成為日本國民生活中不可或缺的一環,加上以智慧型手機為行動中心,另結合可攜式裝置、機器間通信(Machine to Machine, M2M)及智慧聯網(Internet of Things, IoT)技術之普及,電信產業將會廣泛地影響社會整體之經濟活動,因此總務省喊出了「更自由、更貼近、更快速、更便利」的政策口號。   首先在自由化的部分,總務省於本月宣布了自明年2015年5月開始,日本將全面解除「SIM卡解鎖限制」,未來電信用戶將可以自由地帶機或攜碼,移轉到通信費率更適合自己的電信業者,並同時展開「SIM卡解鎖指南」(SIMロック解除に関するガイドライン)改正案之意見募集。未來,電信業者有義務為提出需求的消費者進行解鎖,此外,若無任何理由予以回絕,將會受「電氣通信事業法」下授權之業務改善命令之約束。然而,對於消費者而言,若有尚未履行完畢之契約,亦應於繳交違約金後,才得以進行解鎖。   第二,為了使消費者能夠安心、安全地使用智慧型手機,日本政府開始積極推動虛擬行動網路(Mobile Virtual Network Operator, MVNO)之服務。所謂的MVNO係指通訊網路與服務分離之概念,業者本身無須擁有通訊網路,但須申請經營執照,並可向其他傳統電信業者(Mobile Network Operator, MNO)租用系統,經營自有品牌之行動通訊業務。因此日本政府為了盡快推行MVNO之服務,已開始與相關業者做系統整備之促進協議。   第三,為了使電信網路之傳輸更快速,除了持續推行3.5G網路外,自2016年將開始進行4G之商業化。最後在便利化之方面,鑒於未來之電信產業將會涵蓋更多樣化的服務,如自動更新導航地圖、提供居家安全服務等,因此日本政府認為,應透過法規制度之改善,給予電信業者於提供服務時,更友善之環境。除了已在近期開始促進,MVNO業者利用MNO業者之資訊管理資料庫協議外。並預計在下期國會提出之「電氣通信事業法」草案進行以下變更:(1)鬆綁對電信業者之規定,例如從促使業者跨界合作之角度,鬆綁不公平競爭之處理;(2)進一步推動電信業者(包括MNO跟MVNO等)費率之調降。   總務省預測,在整體政策同時推動之下,2016年相較2013年底,將增加約兩倍之MVNO契約(從670萬份倍增到1500萬份);而2016年,相關電信產業之規模將比現行之34.3兆日圓增至45兆日圓。

美國商務部放寬對中國特定晶片出口許可簽審政策

美國商務部產業安全局(Bureau of Industry and Security, BIS)於美東時間2026年1月14日公告修正《出口管制規則》(Export Administration Regulations, EAR)對「特定半導體」出口至中國與澳門的許可簽審政策,將原本自2022年10月7日拜登政府時期的「推定拒絕」(presumption of denial)改為「逐案審查」(case-by-case review),並於美東時間2026年1月15日生效。 本次修正將放寬「特定半導體」原先較難輸往中國的法規障礙,影響的貨品範圍包括先進運算類貨品,即總處理效能(Total Processing Performance)低於21,000,且動態隨機存取記憶體(DRAM)總頻寬低於6,500GB/s的先進晶片(NVIDIA H200、AMD MI325X,或與NVIDIA H200同等級貨品);以及較前述晶片規格與效能成熟的貨品。 出口人適用本次修正之「逐案審查」許可簽審政策,須滿足以下條件: 1.欲出口之半導體相關貨品在本次公告時,已可在美國商業市場銷售。 2.欲出口之貨品在美國境內具有充足供應。 3.為銷往中國而生產的晶片,不會排擠全球晶圓代工產能,亦不會影響給美國最終使用人相同或更先進貨品的供應情形。 4.出口貨品須在美國境內接受獨立第三方實驗室檢測(testing),加以確認貨品的技術能力與功能,如同出口人許可申請文件所述。 而在中國的收貨方,須已有充分的貨品安全管控程序。BIS此要求並未同步放寬EAR既有的最終用途、最終使用人查核與流向管理標準。建議出口人於交易前、交易中與交易後,積極與供應鏈夥伴建立良好法遵機制。

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