英國文化、媒體暨體育部2017年3月8日發布「次世代行動技術:英國的5G策略」,此舉將會加速英國網路基礎建設更新並促進智慧聯網之發展。這份策略書提出了幾個重要方面來採取行動:
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
歐盟RoHS、WEEE政策實施在即,出身歐洲第一大品牌的飛利浦(Philips)率先響應,今年所有LCD監視器符合RoHS全面無鉛化,代工夥伴冠捷(AOC)隨第二季正式合併飛利浦顯示器事業部,也將導入無鉛製程。國內兩大LCD監視器製造大廠明基、光寶也已防患未然,製程無鉛化製程提早開跑。 飛利浦今年在台灣LCD監視器策略,其中之一是全面推展無鉛化產品線,W、P、B、S四大系列全面符合歐盟RoHS規定,鉛含量在○‧一%(1000ppm)以下,可說領先各品牌率先推出無鉛產品。 監視器製造大廠冠捷(AOC)已和飛利浦已簽訂顯示器事業部併購意向書,第二季起將正式啟動合併機制,而飛利浦在台灣僅留下採購、行政、台灣行銷業務部門。因此這套無鉛製程,也將如期導入至AOC的產線之中。至於國內製造大廠光寶、明基也已如期順利切換到無鉛製程。光寶目前綠色採購達成率已約七成,今年底則將達九成,因應製程無鉛化需要,還添購五部X光檢測設備,以期達到滴水不漏效果;至於明基明年起工廠端也不再生產舊款機種,一律符合無鉛化作業。 儘管無鉛製程難度相當高,不過對LCD監視器而言,挑戰最高卻是無汞化,因為冷陰極管(CCFL)內必含汞,所以歐盟規定裡則將CCFL燈管、投影機燈泡列為例外條款,不過隨著環保意識抬頭,LCD監視器業者已有以LED背光模組取代冷陰極管(CCFL)計畫。
美國紐約州長簽署電動車充電樁安裝法案,以實現零碳排放車輛之目標2022年11月22日紐約州長Kathy Hochul簽署一項新法案(S.8518A /A.6165A),旨在消除在私人財產上安裝電動車充電樁之障礙,以實現紐約州零碳排放車輛之目標。 該法案允許民眾在家中安裝充電站,並要求屋主協會(Homeowner Association,HOA,類似我國社區管理委員會)如欲拒絕屋主申請安裝電動車充電樁,須提出書面詳細說明理由,如於 60 天內未提出,除非是因為HOA合理要求其補正資料所致,否則屋主的申請即視為許可。紐約州欲透過該法案提升車主於住處安裝電動車充電樁數量,進而提高電動車使用率。 紐約州於2021年已立法(A.4302/S.2758)要求自2035年起販售新車皆需為零碳排放車輛,期許至2050年可達85萬輛零碳排放車輛。透過各項電動車相關政策之推動,2021年紐約州電動車銷售量大幅增長,截至2022年9月全州已超過11.4萬輛電動車上路,電動車充電站超過1萬座。 對此,我國立法院法制局於2022年6月發布「社區設置電動車充電設備問題之研析」報告指出,社區仍應以用電安全第一,不宜強制設置充電樁,現階段宜規定電動車廠商應設置充電設備或更換電池的設施,如要修正「公寓大廈管理條例」強制社區設置電動車的充電設備,建議優先修正「建築法」或「建築技術規則」加強設置該設備安全要求。
美國商務部產業安全局擴大對中國半導體製造設備、軟體工具、高頻記憶體等項目之出口管制.Pindent{text-indent: 2em;} .Noindent{margin-left: 2em;} .NoPindent{text-indent: 2em; margin-left: 2em;} .No2indent{margin-left: 3em;} .No2Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 3em} .No3indent{margin-left: 4em;} .No3Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 4em} 美國商務部產業安全局(Bureau of Industry and Security,簡稱BIS)於2024年12月2日發布《外國生產的直接產品規則補充以及先進運算及半導體製造項目管制精進》(Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items),並於同日(12月2日)生效,部分管制措施的法律遵循延後至2024年12月31日。BIS開放公眾可以就本次管制提出意見。 因中國的半導體戰略旨在進一步推進中國的軍事現代化、大規模殺傷性武器(WMD)的發展,美國政府認為中國的相關政策與措施,將可能侵害美國及其友盟之國家安全。因此,本次管制之目的旨在進一步削弱中國生產先進節點半導體的能力,包括下一個世代的先進武器系統,以及具有重要軍事應用的人工智慧與先進運算。 為達上述目的,本次管制修正具體擴大的管制項目概述如下: 1. 24種半導體製造設備,包括某些蝕刻(etch)、沉積(deposition)、微影(lithography)、離子注入(ion implantation)、退火(annealing)、計量(metrology)和檢驗(inspection)以及清潔(cleaning)工具。 2. 3種用於開發或生產半導體的軟體工具。 3. 管制源自美國的高頻寬記憶體,以及於美國境外生產且美國管制清單中所列之高頻寬記憶體。 4. 新增對電子電腦輔助設計(Electronic Computer Aided Design)與技術電腦輔助設計(Technology Computer Aided Design)軟體及技術的限制。