英國無線電頻譜管理改革政策(下)--風險評估與對策

刊登期別
2005年11月,第218期
 

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※ 英國無線電頻譜管理改革政策(下)--風險評估與對策, 資訊工業策進會科技法律研究所, https://stli.iii.org.tw/article-detail.aspx?d=796&no=67&tp=1 (最後瀏覽日:2026/09/20)
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USPTO 宣佈將加速綠色科技專利案件審查

  美國專利商標局USPTO日前宣佈一項專為綠色科技(Green Technologies)而設的前導計劃(Pilot Program),透過這項計劃期望能將相關溫室氣體排減、節約能源等申請案加速其審查、公開及訴願程序,至少縮短流程一年。目前平均來說從申請至最終結果出爐需耗時40個月。這項消息係由美國商務部長駱家輝(Gary Locke)所宣佈,普遍被認為是為了呼應於哥本哈根舉行的聯合國氣候變化框架公約第15次締約方會議。   符合條件的申請案必須於2009年12月8日前送件,而且必須是尚未收到第一次官方通知(First Office Action,包括限縮專利範圍的通知),另外申請人還必須於2010年12月8日前以電子檔提交「特別審查程序」(petition to make special)並符合下列要求: ●必須是正式發明申請案(non provisional utility application),不適用於再領證(reissue) 與再審查(re-examine) 專利 ●必須是上述前導計劃中所包括的約79項專利項目之一 ●申請案必須不包含超過3個獨立項與20個專利申請範圍 ●如欲提早公告需附上申請書 (petition) ●如果USPTO判定為超過一項的發明,申請人必須同意用電話做出選擇   雖然USPTO預估目前有25,000件審核中的專利符合加速審理的資格,但他們預計只受理最初的3000件申請以評估這項計劃的效益與工作量。至於有意提出申請者則需要審慎評估快速審查之外的其他利弊,例如提早公告,限縮的運用範圍與專利申請範圍等。這項計劃公佈的同時USPTO的局長 David Kappos 亦承諾將定期對外更新該計劃的進度,並將成立一個網上的交流平台讓大眾可以對此計劃提出意見。

英國同意BT「下世代文字中際服務申請」

  為了讓聽力或語言障礙之民眾,取得更為便利的電信服務,英國Ofcom在2012年10月透過「回顧中繼服務-決策下世代文字中繼服務」(Review of relay services: Decision on the introduction of Next Generation Text Relay)陳述書(Statement)之發佈,提高通訊服務業者 (communications providers)對身障者的義務。根據陳述書內容,英國市話、行動通信業者必須在2014年4月18日,達成「下世代文字中繼服務」(Next Generation Text Relay,NGTR)之要求。因此,英國電信BT於去(2013)年11月提出審查申請,並在今年3月獲得Ofcom許可。   Ofcom要求下世代中繼服務最主要重點,主要可分為(1)透過網際網路的連接,提供雙向語音服務,讓雙方談話更為流暢;(2)促使更多載具皆可使用文字中繼服務。BT為了落實上述核心要求,除了透過提升服務性能、技術應變能力、員工培訓與申訴機制,增加中繼服務的品質,以通過Ofcom核可外,BT亦允諾2014年4月18日後,該公司文字中繼服務將可進一步延伸至: 1.既有文字電話(textphones)與視障閱讀器(Braille readers)。 2.支援Windows XP系統以上個人、筆記型電腦。 3.適用Linux的Intel個人、筆記型電腦。 4.Intel型Mac OS X版本。 5.行動電話具有Android 4的作業系統。 6.2014年6月30日將可提供服務至蘋果公司相關產品,包括iPhone與iPad。   BT不僅提供文字中繼服務於自身客戶,亦提供批發接取(Wholesale access)於其他通訊服務業者,使其具備文字中繼服務,讓非BT的消費者亦可獲得無障礙服務。相信隨著更多通訊服務業者提升文字中繼服務功能後,將可讓聽障、語言障礙民眾使用電信服務更加便利,使英國充分落實聯合國「身心障礙者權利公約」之精神。

美國管理不實施專利主體立法進程與趨勢

美國管理不實施專利主體立法進程與趨勢 科技法律研究所 法律研究員 劉憶成 2015年07月30日 壹、不實施專利主體概述   「不實施專利主體(non-practicing entity, 以下簡稱NPE)」乃是一個中性的名詞,NPE一方面可促進專利技術交易市場的活絡,但另一方面也有NPE不以活絡專利技術交易市場為目的,而是透過以低價購買專利成為專利權人,並據以行使《專利法》上之權利,投機性地靜待商品製造者投入不可回復之鉅額投資後,始對該商品製造者行使專利侵權主張,對於後者有人將其稱之為「Patent Troll」(中文有譯為「專利巨人」、「專利蟑螂」、「專利流氓」、「專利地痞」或「專利恐怖份子」等等,以下統譯為「專利地痞」)。   專利地痞藉由有問題的專利申請範圍恐嚇企業並勒索和解金的案例激增,對美國造成數十億美元的經濟耗損並且破壞了美國的創新,其橫行的技術領域以智慧型手機及其他消費性電子產品為最。根據加州舊金山的專利顧問公司RPX所作的研究,至2014年,美國專利侵權訴訟中有63%的訴訟是由專利地痞所提起,而受害公司花費在法律費用、和解或判決的費用約122億美元。因此如何降低專利訴訟的成本、降低無效專利的數量及提升專利權的授予品質都成為美國的重要政策目標。 貳、美國政府的對應措施   為了解決專利地痞所帶來的問題,美國早在2011年由國會通過《萊希-史密斯美國發明法(Leahy-Smith America Invents Act of 2011),以下簡稱AIA》,該法並於2012年生效。其目的在於透過改善美國專利制度,包括為發明人提供專利處理程序的快速通道、採取重要步驟來降低專利案件的積壓及提升美國人在國外保護其智慧財產權的能力等等。   不過,專利地痞所帶來的挑戰依舊,特別是專利地痞提出侵權訴訟之成本與被控侵權公司為了防禦所付出的成本之間不具對稱性,這使得專利地痞有機會以和解取得利益。因此,2013年美國政府曾向其國會提出立法七項建議,也祭出五項行政措施,使專利制度更具有透明性,並為發明者創造一個公平競爭的環境。 參、美國國會積極立法   對此,美國開始了多項進一步管理專利地痞的立法進程。以下將就2015年美國國會針對專利地痞所提出之法案進行介紹。   (一)新版創新法案(the Innovation Act)   本法案2015年2月5日送入美國眾議院審議,其法案接續2011年的「美國發明法案」(the American Invents Act,AIA),企圖進一步解決專利地痞濫用訴訟之難題,其中重要條款包括:由敗訴方負擔律師費、提高專利訴訟的成案基準(pleading standard)、專利權人揭示制度、客戶中止訴訟程序等等。   (二)警告函透明法案(Demand Letter Transparency Act of 2015)   美國眾院於2015年4月20日提出《警告函透明法案》,該法案首先要求美國專利與商標局(USPTO)建立一個公開可查詢的警告函資料庫,然後要求大量寄發侵害警告函的行為人必須透過這個資料庫對USPTO揭露其行動,同時侵害警告函的內容也必須記載這些資訊,使收信人能夠公平得知。   (三)保護美國人才與企業法案   美國參議院於2015年4月底針對抗衡美國patent troll提出法案,該法案名為《the Protecting American Talent and Entrepreneurship (PATENT) Act》。希望能制止美國近年來濫用美國專利制度,所造成許多不必要之專利訴訟案件等情形。美國眾議院於2015年5月底又針對PATENT Act法案作出修正,希望在打擊專利地痞的同時,又不至於而造成專利權人濫用AIA的保護。 肆、結論   為了解決專利地痞的問題,美國政府分別從立法及行政措施著手,依據美國歐巴馬總統的建議,不論是美國政府或是美國國會,刻正積極雙管齊下透過各項行政手段,例如修改專利相關規則,或者透過國會立法方式,對專利地痞進行規制。其實,專利地痞不僅橫行於美國,其亦在許多國家從事相關活動,故美國相關行政措施與立法,勢必成為各國在解決專利地痞問題時的重要參考依據,因此美國各項法案的後續發展,都值得吾人繼續關注。

日本要求半導體等重要技術技轉前須進行報告,以強化技術管理

日本經濟產業省下之貿易經濟安全保障局,於2024年9月公布「建立強化技術管理之新官民對話框架」文件(技術管理強化のための新たな官民対話スキームの構築について),指出在目前複雜的地緣政治情勢下,企業難以獨自進行技術管理,故須透過強化官民對話,讓雙方可共享現況及問題,俾利政府檢討管理措施。 經產省為強化技術管理,擬修正依《外匯與外國貿易法》(外国為替及び外国貿易法,以下簡稱外為法)授權制定之省令及告示,要求業者於技轉「重要技術」時,須依外為法第55條第8項進行事前報告,以利後續透過官民對話達成共識。經產省強調,上述規定目的不是禁止技術移轉,而是進行適當之技術管理,故原則希望能透過官民對話來解決問題。惟若在雙方對話後,經產省認為有技術外流之虞時,仍會要求業者申請許可。 根據經產省於2024年9月6日公布之省令及告示修正案,以下4大領域10項技術被列為「重要技術」: 1.電子元件:積層陶瓷電容(積層セラミックコンデンサ(MLCC))、SAW和BAW濾波器(SAW及びBAWフィルタ)、電解銅箔、介電質薄膜(誘電体フィルム)、鈦酸鋇粉末(チタン酸バリウム粉体)。 2.纖維:碳纖維(炭素繊維)、碳化矽纖維(炭化ケイ素繊維)。 3.半導體:光阻劑(フォトレジスト)、非鐵金屬材料(非鉄金属ターゲット材)。 4.電子顯微鏡:掃描式電子顯微鏡(走査型電子顕微鏡(SEM))、穿透式電子顯微鏡(透過型電子顕微鏡(TEM))。

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