Horizon Europe為歐盟2021-2027年之科技研發架構計畫。科技研發架構計畫(Framework Programmes for Research and Technological Development,依不同期別縮寫為FP1-FP8)為全球最大型的多年期科研架構計畫,今期之Horizon 2020已進入尾聲,2021年起所實施的歐盟科研架構計畫──FP9正式命名為「Horizon Europe」。
為打造歐盟成為創新市場先鋒,延續Horizon 2020計畫成效,Horizon Europe重視投資研發與發展創新,包含強化歐盟的科學與技術基礎、促進歐洲創新能力,以及永續歐洲社會經濟的模式與價值。
Horizon Europe發展方向分為三大主軸,分別為:
此外,Horizon Europe擬把實驗階段中具備高潛力和前瞻性的技術帶入市場,轉以任務導向協助新創產業設立,推動跨事業多方整合。
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
英國數位、文化、媒體暨體育部(Department for Digital, Culture, Media & Sport)於2020年9月9日發布「國家資料戰略」(National Data Strategy),作為英國規劃其政府資料流通運用的整體性框架。數位、文化、媒體暨體育部長Oliver Dowden表示,資料為驅動現代社會經濟發展的關鍵。於今年COVID-19的全球疫情流行期間,政府、企業、組織等彼此及時共享重要資訊,除達成了防疫目標,更維繫了各層面的經濟生活。因此,本戰略則規劃活用此段期間獲得的知識與經驗,試圖透過資料的釋出流通與運用,讓英國經濟自COVID-19疫情中復甦,提高生產力與創造新型業態,改善公共服務,並使之成為推動創新的樞紐。 為優化英國資料的運用,本戰略提出了四個核心面向:(1)資料基礎(data foundation):資料應以標準化格式,且符合可發現(findable)、可取用(accessible)、相容性(interoperable)與可再利用(reusable)的條件下記載;(2)資料技能(data skills):應藉由教育體系等培養一般人運用資料的技能;(3)提升資料可取得性(data availability):鼓勵於公共、私人與第三部門加強協調、取用與共享具備適切品質的資料,並為國際間的資料流通提供適當的保護;(4)負責任的資料(responsible):確保各方以合法、安全、公平、道德、可持續、和可課責(accountable)的方式使用資料,並支援創新與研究。 基此,本戰略進一步提示了五個優先任務:(1)釋出資料的整體經濟價值:建立適切的條件,使資料在經濟體系內可取得且具備可取用性,同時保護私人的資料權(data rights)、以及企業的相關智慧財產權;(2)建構具發展性且可信賴的資料機制:協助企業家與新創人士以負責任及安全的方式使用資料,避免產生監管上的不確定性或風險,並藉以推動經濟發展。同時,也期待藉由機制的建立,鼓勵公眾參與資料的數位經濟應用;(3)改變政府運用資料的方式,提升效率及改善公共服務:以COVID-19疫情期間政府對資料積極運用為契機,推動政府間的整體資料有效管理、使用與共享措施,為相關作法建構一致性的標準與最佳實踐方式;(4)建立資料基礎設施的安全性與彈性:資料基礎設施為國家關鍵資產,應避免其遭遇安全或服務中斷的風險,進而導致資料驅動的相關業務或組織服務中斷;(5)推動國際資料流(international flow of data):與國際夥伴合作,確保資料的流通運用不會因各地域的制度不同,而受到不當限制。
美國眾議院通過專利改革法案,引發各界關注美國眾議院在今年9月7日,表決通過「2007年專利改革法案(The Patent Reform Act of 2007)」,由於該法案中有部分內容,如:申請優先制度與賠償數額的計算標準等內容,預計將影響美國專利制度發展與未來法院關於專利訴訟案件的進行,因此引發各界專注。 此次眾議院通過的「2007年專利改革法案」重點在於修改專利案件中關於侵權賠償的計算標準,將以該專利對整體產品的貢獻度為主,做出適當的賠償數額。另外還有限制上訴地點的提出等,而且其中影響最大的改採「申請優先制度」(First-to-File System)。 目前美國專利制度採行是所謂的「發明優先制度」(First-to-Invent System),但未來依據「2007年專利改革法案」的內容,將轉變為世界各國採行的「申請優先制度」,故被稱為是美國專利制度50年來最重大的變革。 本項法案的通過,各界正反面的意見都有,支持的人說這項法案的內容可以遏止專利訴訟的濫用,使企業間的經濟活動得以正常發展。但是反對的人認為,限制賠償數額、上訴地點等,將使利用專利為惡的人更形囂張,削弱專利保護的機制,反而會阻礙美國甚至是世界各國的專利制度發展。
法國即將設立新的簽證種類「科技簽證viva tech」面向三類科技人才法國總統馬克宏(Emmanuel Macron)6月15日在法國巴黎舉行開幕的法國創新技術會議(Viva Technology)上,宣布兩項新政策措施:簽證與投資基金。馬克宏宣布,即將設立新的簽證種類「科技簽證viva tech」法國科技簽證面向三類科技人才:創業創始人,員工和投資者,並允許他們在法國生活和工作。其內容如下: 一、 有效期限為四年,並且已可再生做為基礎。 二、 其延伸至直系親屬,且配偶還可獲得居留許可,得在法國生活、工作。 受撫養的孩子也有權在法國居住。 三、 且其不需要額外的工作許可,而來自歐洲經濟區和瑞士的公民則不需要居留許可。 而針對法國科技簽證的資格,有三個,一為企業創始人,二為員工,三為投資者,而三者類型可以透過不同的途徑獲得「科技簽證」。 如:企業創始人要成為法國技術簽證的創業者,其申請條件包括計畫在法國發展經濟創新型的創業項目,始符合申請資格。 若想以僱員身分獲得法國技術簽證的資格,必須擁有研究生學位(碩士以上)、與法國公司有資格通過法國技術簽證招聘的最少3個月的工作合約、年薪總額至少35,526.40歐元(為2017年1月1日法國最低工資的兩倍)。 而針對投資者,該簽證瞄準風險投資家和商業天使投資創業公司,有幾種方法可以獲得法國投資者技術簽證的資格:一家外國風險投資公司在法國開設辦事處、外國投資者由法國的風險投資公司招募、商業天使(通常是成功的企業家)移居法國。而要獲得標有“商業投資者”的人才通行證,須投資至少30萬歐元的固定有形或無形資產。直接或通過您至少擁有30%股權的公司進行投資、至少擁有您所投資公司的10%,並且在投資後的四年內創造或保護工作,而法國風險投資公司招募的外國投資者則不要考慮這些標準。 法國今年夏天推出“法國簽證”項目,使簽證更容易發放,政府部門遵循的程序更加可靠。
美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制美國商務部(Department of Commerce, DOC)旗下國家標準及技術研究院(National Institute of Standards and Technology, NIST)於2023年2月28日發布《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)補助具體內容,重點如下: 一、申請時間:補助採滾動式錄取模式(rolling basis),先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請(pre-application)與正式申請(full application);成熟製程與其他相關生產設施的製造補助,將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額:補助分為直接補助(direct funding)、聯邦政府貸款(federal loans)或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保(federal guarantees of third-party loans)。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15%。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助,然整體補助金額不得超出預估資本支出的35%。 三、申請流程 1.意向聲明(statement of interest):申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明,俾利NIST旗下晶片計畫辦公室(CHIPS Program Office)為未來審查進行準備。 2.預先申請:申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請:依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後,申請人應遞交完整的計畫申請書,內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後,會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄(non-binding Preliminary Memorandum of Terms),記載補助方式與金額。 4.盡職調查(due diligence):在經過上述程序後,晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能(reasonably likely)取得補助,將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放:通過盡職調查後,DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股(stock buybacks):受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫:申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元,須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限:受補助者必須於DOC所決定的特定日期(target dates)前開始或完成廠房建造,否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤:補助金額超過1億5千萬美元時,受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益,但最高不超過直接補助金額的75%。 5.不得於特定國家擴產與進行研究:受補助者於10年內或與DOC合意的期間內,除特定情況下(15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)),不得於特定國家,如中國,進行大規模半導體製造的擴產(material expansion)、聯合研究(joint research)或技術授權(technology licensing),違反者將會被DOC收回全額補助。