美國司法部 (Department of Justice, DOJ)與聯邦貿易委員會(The Federal Trade Commission, FTC)於2020年6月30日發布新的「垂直合併指引(Vertical Merger Guidelines)」,其為美國司法部與聯邦貿易委員會首次針對垂直合併所發布之共同指引,且為自司法部1984年「非水平合併指引(Non-Horizontal Merger Guidelines)」頒布以來,首次針對垂直合併之重大修正,內容旨在概述聯邦反托拉斯主管機關如何評估垂直合併之競爭效應、以及該等合併是否符合美國反托拉斯法。
本指引所適用之合併態樣包括嚴格垂直合併(於相同供應鏈之不同階段的公司或資產之合併)、斜向合併(diagonal mergers)(於競爭供應鏈之間之不同階段的公司或資產之合併)、以及於互補合併(mergers of complements)時所會產生之垂直議題。其描述主管機關用於判斷垂直合併之反競爭與促進競爭效果之分析架構。
於反競爭效果分析之單方效果方面,其提出可能之類型包括封鎖與提高競爭對手成本(Foreclosure and Raising Rivals’ Costs)、影響競爭之敏感資訊的近用(Access to Competitively Sensitive Information);於反競爭效果分析之共同效果方面,其指出垂直合併可能會透過鼓勵合併後相關市場中各公司間之協調互動(coordinated interaction)來減少競爭並傷害消費者。
於促進競爭效果分析方面,其著重於針對消除雙重邊際化(elimination of double marginalization, EDM)之分析,因垂直合併通常透過EDM使消費者受益,而傾向於可減少對競爭造成損害之風險。主管機關可以獨立依一切可得之證據來量化EDM之效果,其通常會檢驗被併購後可自給自足之效果,相較於若未被併購時需從獨立供應商購買之情況下所可能節省之成本,作為對於EDM效果之驗證。
藉由此指引之發布,可為主管機關對於垂直合併之評估與分析方式提供了透明度,而有助於為企業界、律師界、與執法者提供更多之可預測性。
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
歐盟隱私權工作小組(working party)日前公布其對「隱私與電子通訊指令」(Directive on Privacy and Electronic Communications, 2002/58/EC)之修正意見,藉此重申支持個人資料外洩通知責任立法之立場,並建議擴大適用通知責任之業者範圍至涉及線上交易之電子商務之服務提供者。此項建議隨即遭到歐盟理事會及委員會之反對,認為通知責任應僅限於電信公司,而不應擴及其他電子商務服務提供者。 歐盟隱私權工作小組於2009年2月初提出的報告指出,個人資料外洩通知責任法制(Data Breach Notification Law)之建立對於資訊社會服務(Information Society Service)之發展是必要的,其有助於個人資料保護監督機構(Data Protection Authorities)執行其職務,以確認受規範之服務提供者是否採取適當的安全措施。再者,亦可間接提高民眾對於資訊社會相關服務使用之信心,保護其免於身份竊盜(identity theft)、經濟損失以及身心上之損害。 然而,歐盟理事會及歐洲議會則反對該項修正建議,其一方面認為不應擴張資料外洩通知責任制度適用之業者,另一方面則認為對於是否透過法制規範課予業者通知之義務,應由各國立法者決定是否立法,甚或由業者依資料外洩情形嚴重與否,來判斷是否通知其各國個人資料保護相關組織及客戶。此外,參考外國實施之成效,美國雖有多數州別採用資料外洩通知責任制度,但並非所有的隱私權團體皆肯認該項制度;英國資訊委員會對於該制度之成效則仍存質疑,因從過去為數眾多的個人資料外洩事件看來,其效果已逐漸無法彰顯。 雖然歐盟個人資料保護官(European Data Protection Supervisor)與歐盟隱私權工作小組之看法一致,但其與歐洲議會與歐盟理事會仍存有歧見,對於個人資料外洩通知責任制度之建立,似乎仍有待各方相互協商尋求共識,方能決定是否納入歐盟隱私及電子通訊指令之規範。
淺析企業如何善用無形資產獲取商業利基 美國簽署晶片和科技法案,全球科技業將掀起波瀾美國近日為防堵中國、其他受關注國家如俄羅斯等國掌握半導體等高科技行業關鍵技術,遂致力於加強培養其本土之半導體及高科技通訊產業。於美國時間2022年8月9日美國總統拜登簽署 「2022年晶片和科技法案」 (CHIPS and Science Act 2022),該法案除可作為2021年頒布之「美國電信法案」之補助資金來源,發展開放式無線電接取網路(Open Radio Access Network, ORAN)外,亦有望大幅度提升美國本土晶片生產量。 本法案提高美國聯邦政府對科學技術研究及開發專案之授權,除授權美國商務部(Department of Commerce , DOC)、國防部(Department of Defense, DOD)外,還結合國務院(Department of State, DOS)透過資金補助之方式,發展影響美國競爭力及國家安全至關重要之半導體製造等高科技產業、人工智慧、量子計算等科學研究,本法案整體編列之預算高達2800億美元,至2027年時,授權金額預計將達1740億美元,而其中將挹注超過520億美元之資金用於發展美國本土晶片之生產及研發。 此外,該法案設有靜態限制,禁止接受補助之半導體企業投資以電子設計自動化(Electronic design automation, EDA)工具設計或製造晶片之中國公司,換句話言,即受補助之企業不得於十年內投資或擴大生產中國製低於28奈米之先進晶片。本法案亦提供25%之稅收優惠予於美國建造、裝設晶片廠之業者,以鼓勵企業進駐美國藉以提升美國生產之晶片總量,同時藉由企業之投資帶動美國各地經濟發展,提高就業率。 藉由本法案之制定,有望降低美國對其他國家晶片之依賴,並得藉此發展科技研究,對未來全球高科技產業供應鏈將造成偌大影響,值得持續關注。