美國記憶體設計司Rambus1月25日向美國北加州地方法院提出侵權告訴,指控Hynix、南亞科技、華亞科技、英飛凌等四家DRAM廠,涉嫌侵犯Rambus的DDR2記憶體、GDDR2及GDDR3繪圖卡用記憶體等共18項專利。南亞科副總經理白培霖表示,還不了解Rambus實際的指控內容,一切仍在了解中。 Rambus三年前推出RDRAM並獲得英特爾支持成為次世代主流產品,但因當時DRAM廠基於成本考量,決定支持DDR規格,所以Rambus後來不得不被迫退出標準型DRAM市場。然因Rambus擁有多項記憶體專利,目前主要產品獲得新力PS遊戲機採用,所以大部份營收來源均來自於權利金收入,去年Rambus營收約1億4500萬美元,其中的1億2000萬美元就是權利金收入。 由於Rambus前年就宣佈研發出DDR2產品,隨著今年英特爾力推新款支援DDR2晶片組,全球DRAM廠均投入DDR2生產,因此Rambus再度興訟,控告Hynix、南亞科技、華亞科技、英飛凌等四家DRAM廠,侵犯其 DDR2及GDDR2、GDDR3等記憶體共18項專利。 對於被Rambus控告一事,南亞科技及華亞科技提出說明。白培霖說,南亞科及Rambus一直就二家製程技術洽談相互授權事宜,內容包括DDR2及繪圖卡用記憶體GDDR3等,但目前為止雙方還沒有達成相互授權協議,自然也沒有權利金支付問題,由於南亞科目前還沒收到起訴書,不知道Rambus提出的控訴內容為何,因此一切有待再進一步了解後再行說明。除了此次的Rambus控告南亞科侵權,去年日本半導體大廠瑞薩科技(Renesas)也三度對南亞科技提出侵權控告,瑞薩除了指出南亞科技侵犯其記憶體製程、設計、封裝等專利權外,去年十月底還向東京地方法院提出申請,將對南亞科技日本子公司進口、銷售DRAM行為進行假處份(Preliminary Injunction)。 對於國際大廠不斷針對南亞科提出侵權告訴,南亞科技表示,與瑞薩在日本、美國的專利權官司,至今還在上訴審理階段,南亞科已經提出資料證明,至於Rambus此次提出的侵權告訴,現在還在了解中,但南亞科的立場,會尊重每家半導體廠的專利權,不會有任何侵權的行為。
日本Spam對策研究會即將公布最終報告 美國FTC正式聲明:現已將「終止給付遲延(Pay-for-Delay)藥品訴訟和解協議」列為最優先處理之反競爭事項為表明促進公平競爭及保護境內消費大眾利益之決心,美國聯邦貿易委員會(Federal Trade Commission;簡稱FTC)於今(2010)年7月27日時,正式提出一項聲明,其內容,除詳細說明其近來為促進競爭及保護境內消費大眾利益所為之各項工作外,亦正式將『終止過往於品牌藥廠與學名藥廠間所為之給付遲延訴訟和解協議』列為『最優先』處理之反競爭事項」。 根據FTC所蒐集之資料顯示,單自今年元月份起算,至今,於美國境內各大品牌藥廠及學名藥廠間所簽訂之訴訟和解協議中,已有21件藥品專利訴訟協議,因涉及以「補償金」(Compensation)來作為和解條件,而成為FTC進一步調查之對象;此外,與前一會計年度中所達成之訴訟和解協議相較,除於數量上,呈現有增無減之趨勢外;FTC方面也證實,在各方藥廠採取另一類藍海策略且不再相互為市場競爭之前提下,此類和解協議已為境內各藥品廠商減省下約90億美金之競爭成本。 而進一步觀察FTC於近期內蒐集之新資訊後顯示,除以「補償金」模式來作為達成訴訟和解協議之條件外,可能還存在著另一種形式之訴訟和解協議;亦即,於藥廠間新近所簽定訴訟和解協議中,並不必然包含由品牌藥廠為一定金額給付之項目;根據實務統計,於2010年美國會計年度前9個月內所達成之各訴訟和解協議中,確實有近75%之訴訟和解協議,於協議條件或項目上,並未包含任何有關品牌藥廠對競爭學名藥廠和解金之給付;對此,FTC表示:「從各種跡象及數據顯示,目前於各藥廠間,確已衍生出數種新型態且具潛在反競爭可能之訴訟和解協議」;故從FTC將持續致力對此類不當訴訟和解協議為反競爭調(審)查之角度來看,未來,勢必將面臨更多且更嚴苛之挑戰。 最後,Leibowitz強調:「此類不當訴訟和解協議如同正快速擴散之傳染病一般,若完全聽任其發展而不加處理,日後定有越來越多藥品之上市,將受其影響;同時,就藥品價格之決定,最終亦將與自由市場競爭機制脫鉤;如此,除將間接導致公眾近用低價藥品困難度之提升外,亦將一併造成病患長期用藥成本負擔之增加」。
美國國家創新與創業諮詢委員會發布透過創業提高競爭力美國創新策略報告, 敦促政府消除創業活動障礙,促進新創公司發展美國國家創新與創業諮詢委員會(National Advisory Council on Innovation and Entrepreneurship, NACIE)於2024年2月8日發布「透過創業提高競爭力:美國創新策略」(Competitiveness Through Entrepreneurship: A Strategy For U.S. Innovation)報告,其確定改善與協助美國創業精神之三大關鍵領域,並提出十項建議,敦促政府消除創業活動障礙,增加新創公司獲得人才、資金之機會。 NACIE由企業家、創新者、投資人、學者與經濟發展領導者組成。由商務部長責成其確定如何使美國繼續成為改變典範之創新來源、以及將創新推向市場之泉源。NACIE於此報告中所確認之三大關鍵領域與十項建議之內涵簡述如下: (1)關鍵領域1:發展未來產業(Growing the Industries of the Future) 美國雖於能源、自動化、人工智慧、量子科學與生物科技等創新領域取得商業上之成功,但對於產業創新仍存有四大威脅,包括國家機關間之協調、研發投資之持續減少、大學研發產品商業化受阻與境外製造之風險。 建議1: 成立國家創新委員會(National Innovation Council),由科學技術政策辦公室主任(Director of the Office of Science & Technology Policy)擔任主席,成員包括相關內閣秘書、國家科學基金會(NSF)主任、美國專利商標局(USPTO)局長與美國首席技術長(Chief Technology Officer, CTO),倡導全國創新與創業並協調相關聯邦政府活動。 建議2: 恢復與擴大國家投資,使創新登月計畫成為可能—大幅增加聯邦對關鍵技術之研發投資,使美國在未來成長產業中發揮領導作用。 建議3: 啟動國家創新加速器網路(National Innovation Accelerator Network, NIAN)—一個由加速器、輔導、投資計畫與創業支持組織組成之虛擬“網路中之網路”(“network of networks”),旨在大規模增強社會各方面之包容性創業能力。 建議4: 為聯邦資助之研究與開發提供智慧財產權激勵措施;制定政策與激勵措施,促進聯邦政府資助之創新廣泛傳播與商業化;並促進將聯邦資助創新進行國內製造。 建議5: 積極與創新者、企業家與資助者合作,確保其擁有足夠之智慧財產權與網路安全教育與資源來保護其之想法與業務,並接受培訓以能夠識別與防止外國公司或國家潛在之智慧財產權盜竊。 (2)關鍵領域2:獲取資本(Accessing Capital) 美國前七大上市公司全部皆由創投所支持,於1990至2020年間,相較於私部門之雇用率上升40%,同一時期由創投支持之公司雇用率成長達960%;美國創投規模亦居於全球之冠,甚至某些城市之創投規模已超過其他國家,如2021年紐約之創投規模即相當於印度全國之規模。惟美國創投之問題在於投資機會未能平等,如女性、有色人種、非都會區較難獲得創投投資。 建議6: 透過制定新聯邦計畫,擴大企業家之成長資金管道,以支持各地更多企業家,特別是通常未受足夠服務之企業家。 建議7: 透過擴大直接資助與基於激勵(incentive-based)之聯邦計畫,增加資金並為新興基金經理提供機會,以便於全國更多處皆能有更多具有各種人口背景與專業之投資人。 建議8: 向投資於研發、種子輪或A 輪融資新創公司、女性與少數族群擁有之新創公司、以及保護與授權智慧財產權之公司與個人提供年度稅收抵免與激勵措施。 (3)關鍵領域3:培養創業人才(Developing Entrepreneurial Talent) 人才對於創業生態系之完整建構至為重要,美國一半以上之10億美元公司由移民創辦,三分之二之獨角獸公司由移民創辦或共同創辦,這些公司之創辦人中有25%是國際學生。 建議9: 透過提供導師、支持服務資金以及幫助吸引與培養關鍵人才,全面支持新高潛力企業家,旨在增加美國新創公司之數量與影響力。 建議10: 有系統地提供支持創業之工具與資源,打破任何人、任何地方之障礙,為新創業企業做出貢獻,以便美國未來能更快地創新。