Nbn 工研院將釋出百多項專利

  工業技術研究院系統晶片技術發展中心( STC)計畫將其與國立交通大學推出的靜電放電防護(ESD protection)技術相關專利授權業界,該專利以6大組合區分,包含「輸出入介面電路之靜電放電防護」、「高速/射頻/混壓輸入輸出IC之靜電放電與電性栓鎖防護」、「輸出入單元電路設計」等共計110件專利,預計進行專屬授權。


   隨著半導體產業競爭全球化,競爭型態也從過去的價格戰轉變成智慧戰,半導體產業廠商需快速大量取得專利權進行佈局,才能保持產業競爭力。配合產業界對專利的需求,工研院此次專屬授權的 ESD專利組合,主要來自STC的研發成果,將IC半導體產業中極重要的靜電放電防護與輸出入單元電路設計(I/O Circuit Design)相關專利,搭配交通大學電子工程系靜電放電防護專利,公開徵求專屬授權廠商。


  ESD專利組合專屬授權說明會訂721上午930分於工研院竹東中興院區9010室召開,內容包括專屬授權競標規則、專利組合及專屬授權契約內容介紹,並隨即開放通訊投標,結標日為923

本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」

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美國能源部展開離岸風力能源計畫

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美國白宮(The White House,以下簡稱白宮)於2023年8月9日發布《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act,以下簡稱晶片法)頒布一周年之總結,說明相關補助及租稅優惠措施之實施成效。自晶片法施行以來,已吸引高達1,660億美元之私人投資,並有50所以上大學宣布將開設半導體人力培訓課程,顯示晶片法對半導體生產製造在地化已有相當成效。晶片法施行後推動之措施如下: 1.說明半導體補助申請流程及條件 美國國家標準及技術研究院(National Institute of Standards and Technology)於2023年2月28日分別發布「半導體製造補助之申請指引」(Funding Opportunit–Commercial Fabrication Facilities)與「半導體製造補助願景」(Vision for Success: Commercial Fabrication Facilities),說明晶片法補助目的、申請流程、條件以及注意事項,並於同年6月23日更新相關內容。 2.說明柵欄條款之運作方式 美國商務部(Department of Commerce)與財政部(Department of Treasury)2023年3月23日於美國聯邦公報(Federal Register)發布法規預告(proposed rules),詳細說明晶片法內柵欄條款(guardrails)之運作方式。根據法規預告之內容,受補助人於受補助後的10年內若未經美國商務部與財政部同意,不得於中國等特定國家進行半導體製造設施「實質擴廠」之「重大交易」,避免受補助人將晶片法提供之補助用於中國,進而侵害美國國家安全。 3.強化半導體研發創新 美國商務部於2022年9月6日發布「美國晶片補助戰略」(A Strategy for the CHIPS for America Fund),說明商務部將與國家科學基金會(National Science Foundation)等建立「國家半導體科技中心與執行國家先進封裝製造計畫」(National Advanced Packaging Manufacturing Program),協助美國維持半導體研發之領先地位,並大幅縮短研發成果商用化之時程。 4.保障區域經濟發展與創新 美國商務部於2023年5月發布第1期「科技中心計畫」(Tech Hubs Program)申請指引,協助區域製造、商業化和部署關鍵技術;並於2023年6月發布第1期「重新競爭領航計畫」(Recompete Pilot Porgram),為長期處於經濟困境的美國社區提供就業機會。

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