Nbn 工研院將釋出百多項專利
工業技術研究院系統晶片技術發展中心（ STC）計畫將其與國立交通大學推出的靜電放電防護（ESD protection）技術相關專利授權業界，該專利以6大組合區分，包含「輸出入介面電路之靜電放電防護」、「高速／射頻／混壓輸入輸出IC之靜電放電與電性栓鎖防護」、「輸出入單元電路設計」等共計110件專利，預計進行專屬授權。
隨著半導體產業競爭全球化，競爭型態也從過去的價格戰轉變成智慧戰，半導體產業廠商需快速大量取得專利權進行佈局，才能保持產業競爭力。配合產業界對專利的需求，工研院此次專屬授權的 ESD專利組合，主要來自STC的研發成果，將IC半導體產業中極重要的靜電放電防護與輸出入單元電路設計（I/O Circuit Design）相關專利，搭配交通大學電子工程系靜電放電防護專利，公開徵求專屬授權廠商。
ESD專利組合專屬授權說明會訂
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
陳怡玫
副主任兼規章法制組組長 編譯整理
日本內閣於2018年3月9日閣議決定《關於促進海上再生能源發電設備之整備海域利用法律案》（海洋再生可能エネルギー発電設備の整備に係る海域の利用の促進に関する法律案，以下簡稱海上風力發電促進法案）。 日本四面環海、國土面積狹窄，長期、安定且有效率地實施海洋再生能源發電事業十分重要。此外，海上再生能源發電之碳排放量較火力發電為少，有助於地球暖化對策，推動海上再生能源發電事業亦可幫助發電設備之設置、維護等相關產業發展，加上現行規範缺乏允許業者長期占用指定區域等相關規範，不利於推動海洋再生能源發電事業，故日本政府擬透過制定《海上風力發電促進法案》，促進相關事業發展，以擴大再生能源導入量。 根據法案規定，為推動再生能源發電設備之整備海域（促進區域）之利用，未來政府將制定基本方針，經產大臣及國土交通大臣、農林水產大臣、環境大臣等在聽取協議會意見後指定「促進區域」，並訂定公開募集占用指引。欲從事海上風力發電之業者，應向經產大臣及國土交通大臣提出公募占用計畫，經產大臣及國土交通大臣根據內容及供應價格等選定最佳計畫。計畫經認可之業者，可根據占用計畫向國土交通大臣申請最長可達30年之占用許可。
歐盟考慮設立中央網路犯罪防制機構歐盟部長理事會（Council of Ministers）已於今（2010）年4月27日要求執委會檢視其網路犯罪防制目標，並調查是否有需要設立一中央機構，以儘速達成下列幾項目標，包括：提高調查人員、檢察官、法官及法院相關人員的專業標準、鼓勵各國警方資訊分享以及協調歐盟27個會員國間打擊網路犯罪所採取之方式。 部長理事會提議由執委會進行設立專責機構之可行性調查研究，擬由該專責機構負責前述目標之達成，亦須評估並監督預防性與調查性措施之實行。該調查研究中應特別考量欲設立專責機構之目的、範圍及可能的經費來源，另外亦需考慮是否將其設置於位於海牙的歐盟刑警組織（European Police Office, Europol）中。考量網路犯罪跨國界之特性，為使打擊網路犯罪之相關措施更有效，必須有良好的國際合作及司法執行互助配合。部長理事會認為藉由專責機構之設立，不僅能夠協助培訓法官、警方及檢察官，亦能做為聯繫網路使用者、受害者組織及其他私部門的常設機構。 本部長理事會將歐盟現有之網路犯罪防制相關計畫分成短、中、長期計畫，要求執委會定期追蹤各項相關計畫之執行情況，亦將設立網路犯罪防制專責機構列入執委會後續四年所持續執行有關犯罪與安全治理的斯德哥爾摩計畫（Stockholm Programme）中。 此外，部長理事會也呼籲歐盟各國追蹤用於網路犯罪之IP位置及網域名稱，同時要求執委會協助建立共通的廢止機制，以進行網路犯罪防制。 位於希臘的歐盟網路與資訊安全機構（European Network and Information Security Agency, ENISA），是現階段歐盟網路犯罪防治的研究機構，其進行資訊安全威脅行為之調查，並提供相關建議，但僅是資訊服務單位，未實際投入打擊犯罪行動。
美國簽署晶片和科技法案，全球科技業將掀起波瀾美國近日為防堵中國、其他受關注國家如俄羅斯等國掌握半導體等高科技行業關鍵技術，遂致力於加強培養其本土之半導體及高科技通訊產業。於美國時間2022年8月9日美國總統拜登簽署 「2022年晶片和科技法案」 （CHIPS and Science Act 2022），該法案除可作為2021年頒布之「美國電信法案」之補助資金來源，發展開放式無線電接取網路（Open Radio Access Network, ORAN）外，亦有望大幅度提升美國本土晶片生產量。 本法案提高美國聯邦政府對科學技術研究及開發專案之授權，除授權美國商務部（Department of Commerce , DOC）、國防部（Department of Defense, DOD）外，還結合國務院（Department of State, DOS）透過資金補助之方式，發展影響美國競爭力及國家安全至關重要之半導體製造等高科技產業、人工智慧、量子計算等科學研究，本法案整體編列之預算高達2800億美元，至2027年時，授權金額預計將達1740億美元，而其中將挹注超過520億美元之資金用於發展美國本土晶片之生產及研發。 此外，該法案設有靜態限制，禁止接受補助之半導體企業投資以電子設計自動化（Electronic design automation, EDA）工具設計或製造晶片之中國公司，換句話言，即受補助之企業不得於十年內投資或擴大生產中國製低於28奈米之先進晶片。本法案亦提供25%之稅收優惠予於美國建造、裝設晶片廠之業者，以鼓勵企業進駐美國藉以提升美國生產之晶片總量，同時藉由企業之投資帶動美國各地經濟發展，提高就業率。 藉由本法案之制定，有望降低美國對其他國家晶片之依賴，並得藉此發展科技研究，對未來全球高科技產業供應鏈將造成偌大影響，值得持續關注。
德國電信服務法下訊息儲存服務提供者之法律責任