日美歐中韓五大專利局首次討論專利調和,並合意加速整備共通專利分類

  由日美歐中韓五大專利局於6月23日、24日於東京召開了第四次五大專利局的首長會議,日本特許廳表示此次會議針對專利制度的調和化展開了正式的討論。

  在日本的引導下,五大專利局首次就專利制度的調和展開討論,並就今後的進行方式進行了積極的意見交換。五局在共同認識到國際調和的重要性,與尊重各國主權的前提下,達成今後積極參與促成國際討論的共識。此外,彼此亦達成共識將在五局架構下儘早實施各國專利制度與審查實務之比較研究。

  此外,五大專利局亦形成共識,將以日本特許廳與歐洲專利局的專利分類為基礎,加速完備在五局彼此間的共通專利分類。對於日本企業來說,此舉將使全球的專利文獻檢索將變得更為迅速、更加全面,同時專利權的安定性與可靠性也將獲得進一步的確保,同時日本企業也將能更迅速因應來自中韓的專利訴訟風險。

  最後,美國6月23日亦於下議院通過了專利改革法案,就專利取得要件從原來的先發明主義改採為與國際趨勢一致的先申請主義,亦屬於這一波國際專利制度的調和趨勢,我國實有及時因應、適時參與的必要。

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※ 日美歐中韓五大專利局首次討論專利調和,並合意加速整備共通專利分類, 資訊工業策進會科技法律研究所, https://stli.iii.org.tw/article-detail.aspx?d=5527&no=55&tp=1 (最後瀏覽日:2026/11/08)
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英HFEA同意該國婦女利用PGD技術「訂製嬰兒」

  現今生殖醫學進步相當快速,透過諸如胚胎殖入前之基因診斷( PGD )、組織配對( tissue match )等新興生物技術,人們將有能力選擇未來孩子的外表、智力、健康甚至性別等,故就現今的科技發展而言,篩選具有某種特徵之嬰兒的技術能力早已具備,反而是相關的倫理、道德及社會共識等等卻是最難的部分,這也是有關「訂製嬰兒」( design babies )之爭議焦點。   近幾年,訂製嬰兒的討論在英國非常熱烈,在英國,人工生殖之進行應依人工生殖與胚胎學法規定,獲得 「人類生殖與胚胎管理局」 ( Human Fertilization and Embryology Authority, HFEA )之許可,至於進行人工生殖之同時,父母親是否得附加進一步的條件以「訂製嬰兒」,則一直有爭議。英國高等法院在 2002 年 12 月 20 日的一項判決中曾認為,國會制訂人工生殖與胚胎學法之目的,乃是在協助不孕婦女能夠生兒育女,至於組織配對的行為,則不在該法授權目的之內,因此 HFEA 無權就此等行為給予准駁。惟 2003 年 4 月 8 日 ,上訴法院推翻了高等法院的判決結果,但也進一步指出,這並不代表未來所有在進行 PGD 的同時加做組織配對之行為都是被允許的,想要施行這項技術之任何人,仍然需於事前取得 HFEA 的許可,新近 HFEA 已放寬管制規範,准許對更多種遺傳性疾病進行篩檢。   英國泰晤士報最近報導,一名英國女子已獲得英國 HFEA 同意 ,讓醫師將其透過體外受精方式培養出來的胚胎,利用基因篩檢技術,選擇出健康之胚胎植入其子宮內,以避免將她所罹患的遺傳性眼癌「視網膜母細胞瘤」基因傳給下一代。   本案婦女雖經 HFEA 同意「訂製嬰兒」,但仍會使「胚胎殖入前之基因診斷」( PGD )程序的爭議加劇,反對人士堅稱,基因篩檢的過程中勢必摧毀部分胚胎,且 為了某些目的而製造胚胎,將使人類被商品化,被訂製之嬰兒在長大成人後,若得知其出生之目的乃是在於治療其它親人,其心裡會對自己產生懷疑,並影響對自己人格的認同與其心理狀態。隨著生物技術發展飛快,許多可能背離社會良俗的行為恐將不斷出現,而法規能否隨之跟上則是生技產業能否興盛與倫理道德可否兼顧之重要關鍵。

美國簽署晶片和科技法案,全球科技業將掀起波瀾

  美國近日為防堵中國、其他受關注國家如俄羅斯等國掌握半導體等高科技行業關鍵技術,遂致力於加強培養其本土之半導體及高科技通訊產業。於美國時間2022年8月9日美國總統拜登簽署 「2022年晶片和科技法案」 (CHIPS and Science Act 2022),該法案除可作為2021年頒布之「美國電信法案」之補助資金來源,發展開放式無線電接取網路(Open Radio Access Network, ORAN)外,亦有望大幅度提升美國本土晶片生產量。   本法案提高美國聯邦政府對科學技術研究及開發專案之授權,除授權美國商務部(Department of Commerce , DOC)、國防部(Department of Defense, DOD)外,還結合國務院(Department of State, DOS)透過資金補助之方式,發展影響美國競爭力及國家安全至關重要之半導體製造等高科技產業、人工智慧、量子計算等科學研究,本法案整體編列之預算高達2800億美元,至2027年時,授權金額預計將達1740億美元,而其中將挹注超過520億美元之資金用於發展美國本土晶片之生產及研發。   此外,該法案設有靜態限制,禁止接受補助之半導體企業投資以電子設計自動化(Electronic design automation, EDA)工具設計或製造晶片之中國公司,換句話言,即受補助之企業不得於十年內投資或擴大生產中國製低於28奈米之先進晶片。本法案亦提供25%之稅收優惠予於美國建造、裝設晶片廠之業者,以鼓勵企業進駐美國藉以提升美國生產之晶片總量,同時藉由企業之投資帶動美國各地經濟發展,提高就業率。   藉由本法案之制定,有望降低美國對其他國家晶片之依賴,並得藉此發展科技研究,對未來全球高科技產業供應鏈將造成偌大影響,值得持續關注。

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