日本下議會通過綠色法案

  為加強促進日本相關產業與政府政策對於太陽能和其他再生能源之投資比重,日本下議院(lower house of parliament)日前於8月23日通過綠色法案(目前未有正式名稱,外媒多以Green Bill稱之),該法案近日將由日本上議院(upper house of parliament)進行進一步的確認與審議。目前預計綠色法案和其他相關的配套法律措施將於2012年7月生效實施。

  目前日本境內的總電力生產來源中,經由核能發電廠所生產之電力占日本總生產電量之30%,而日本政府預計於2030年將該種核能發電廠所生之電力提升至總生產電量比例之50%。然而,在日本福島於今年(2011)3月遭受地震和海嘯波及之後,其所衍生之核能發電廠輻射外漏事件,促使日本政府對於其現有之核能電廠興建計畫開始進行反思,且日本大眾對於此種原子能量之安全性,及相關的國家能源政策亦產生了質疑聲浪。日前,日本政府在思考其現有的能源政策走向,以及相關現況之檢視後,乃於2011年8月23日由其下議院通過綠色法案。

  日本綠色法案的主要目的乃為減少當前日本主要電力生產來源為核能發電之現況,並且達成國際共同協議所訂定之減少溫室氣體排放目標。即便該綠色法案具有促進相關綠色能源電力發電設施的建置率升高,並且加速相關投資市場活絡的連帶效應,然而由於該法案目前針對各項綠色能源的使用收費價格細節尚未加以規範,因此對於未來消費者權益與鼓勵投資者投資各項新興綠色能源設施間之支出費用該如何加以平衡,仍為一個不確定的問題,而有待日後各相關部會加以討論規範。

本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」

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歐盟統一專利制度可望於2014年實施

  在歷經超過三十年的討論後,歐洲議會於12月11日通過統一專利制度包裹草案。在統一專利制度下,省去申請生效的翻譯費用及程序,能夠節省最高八成的專利申請成本,可望增加歐盟的科技創新競爭力。   2011年在歐盟僅有6萬兩千個新專利申請被核准,遠少於美國同年的22萬4千個專利、中國的17萬2千個專利,其中一個主要原因是因為在歐盟申請專利的成本過高。目前申請歐盟專利除了透過各會員國專利局外,亦可以依據歐洲專利公約(European Patent Convention, EPC)向歐洲專利局(European Patent Office, EPO)申請,然核准後仍須向各會員國提交該國官方語言版本以生效,因此耗費大量程序及翻譯費用,平均每個專利需花費36,000歐元。   統一專利制度下,不論對於個人或公司發明人都能夠提供更便宜、更有效率的專利保護。統一專利制度包裹草案包含三個協議:統一專利制度、統一申請語言、統一專利法院。統一專利制度及統一申請語言建立適用於歐盟各國的專利制度,僅需以英文、德文或法文進行單一申請即可擁有25個會員國(除反對之義大利及西班牙外)自動專利保護,不需再另外申請生效,使得專利申請降至最低4,725歐元,大幅減少歐洲公司申請專利成本,增加歐洲企業競爭力,對於中小企業、研究機構幫助最大;另外,對於中小企業、非營利組織、自然人、大學及研究機構,若居住或主要營業處所位於歐盟內,以非統一申請語言提出申請案件通過後,會退還翻譯費用;針對中小企業也會降低專利維護費用。統一專利法院則能集中處理統一專利之爭端,預計設立於巴黎,並於倫敦及慕尼黑設立分院。   統一專利制度將在2014年1月1日生效,或是在13個會員國批准時生效(須含法國、德國及英國),歐盟專利局預計第一批適用新制的專利將於2014年4月被核准。

美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制

美國商務部(Department of Commerce, DOC)旗下國家標準及技術研究院(National Institute of Standards and Technology, NIST)於2023年2月28日發布《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)補助具體內容,重點如下: 一、申請時間:補助採滾動式錄取模式(rolling basis),先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請(pre-application)與正式申請(full application);成熟製程與其他相關生產設施的製造補助,將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額:補助分為直接補助(direct funding)、聯邦政府貸款(federal loans)或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保(federal guarantees of third-party loans)。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15%。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助,然整體補助金額不得超出預估資本支出的35%。 三、申請流程 1.意向聲明(statement of interest):申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明,俾利NIST旗下晶片計畫辦公室(CHIPS Program Office)為未來審查進行準備。 2.預先申請:申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請:依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後,申請人應遞交完整的計畫申請書,內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後,會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄(non-binding Preliminary Memorandum of Terms),記載補助方式與金額。 4.盡職調查(due diligence):在經過上述程序後,晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能(reasonably likely)取得補助,將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放:通過盡職調查後,DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股(stock buybacks):受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫:申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元,須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限:受補助者必須於DOC所決定的特定日期(target dates)前開始或完成廠房建造,否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤:補助金額超過1億5千萬美元時,受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益,但最高不超過直接補助金額的75%。 5.不得於特定國家擴產與進行研究:受補助者於10年內或與DOC合意的期間內,除特定情況下(15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)),不得於特定國家,如中國,進行大規模半導體製造的擴產(material expansion)、聯合研究(joint research)或技術授權(technology licensing),違反者將會被DOC收回全額補助。

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