美國FCC新機上盒管制措施正式生效
美國聯邦通訊委員會（Federal Communications Commission）於1998年要求有線電視業者將條件式接取（conditional access, CA）元件與機上盒的基本瀏覽設備分離；並於2003年採用CableCARD做為共通標準，希望藉由此「機卡分離」措施，達成有線電視服務層與設備層的結構分離，為設備層導入競爭與投資，以促進機上盒之功能創新與降低價格。
惟本措施2007年實施以來，因CableCARD安裝程序複雜、有線業者與機上盒製造商態度消極，致實行成效不彰。絕大多數的民眾仍未自購市售機上盒；且租用有線業者所提供機上盒者，大多未安裝CableCARD。
FCC故於2010年底發佈新命令，希望弭平有線訂戶租用與自購機上盒之落差；本命令於2011年8月生效，FCC表示將「嚴格執行」以下八項政策。有線業者應：
(1)提供零售機上盒相容性之精確資訊；
(2)提供非租用機上盒之訂戶同等的頻道套餐折扣；
(3)無論租用或自購機上盒，CableCARD之價格必須一致，且明確揭露費用；
(4)不得因租用或自購機上盒而行費率之差別待遇；
(5)允許訂戶自行安裝CableCARD；
(6)專業安裝人員必須到府完整安裝CableCARD；
(7)提供具多重串流（multi-stream）效能之CableCARD；
(8)確保得以收視所有的線性（linear）頻道。
中國近年來與美歐等國的貿易順差快速增長，此一方面彰顯中國的國際競爭力逐步提高，但也帶來人民幣升值壓力加大、貿易摩擦增多等問題。在去年底召開中央經濟工作會議，中國提出要把促進國際收支平衡作為宏觀調控的重要任務，緩解外貿順差過大所產生的問題。 近期中共商務部宣布將會同有關部門，採取五項具體措施包括：盡快頒布擴大先進技術設備進口的政策；加強從貿易順差國進口；大型展會增加進口功能；簡化手續及完善進口管理法規，規範進口市場秩序等，解決貿易順差過大的問題。其中最值的注意的是，中國擬藉由擴大先進技術設備進口之方式，解決貿易順差問題，其重點支持的高科技設備進口包括：大陸急需的半導體製造設備、高級化纖設備、高性能數控機床等先進技術設備，以及節能降耗的新設備、新工藝和新技術之進口。 為此，中國除規劃組織企業赴國外採購，擴大自美國、俄羅斯等重點國家的進口，推進節能環保領域的國際交流合作外，亦擬利用於舉辦大型展覽會之際增設進口館，鼓勵和支持各地設立機電產品進口展覽館，舉辦國外機電產品展覽。
美國專利商標局與以色列專利局宣布以色列專利局參與合作專利分類美國專利商標局（The United States Patent and Trademark Office，簡稱USPTO）與以色列專利局（The Israel Patent Office，簡稱ILPO）宣布以色列專利局將參與合作專利分類（The Cooperative Classification Patent，以下簡稱CPC）系統。以色列專利局是以色列智慧財產權審查及註冊的主管機關，主要負責智慧財產權如專利、設計、商標的審查、註冊及異議。 CPC已於2013年1月正式啟用。美國專利商標局及歐洲專利局(European Patent Office，簡稱EPO)自2010年10月共同發展一個可用於雙方不同審查程序的相容分類系統，降低工作上不必要的重複作業以強化效率。美國專利商標局局長Michelle K. Lee.表示：「合作專利分類系統了除證明美國專利商標局與以色列專利局良好的關係及合作精神外，更能夠幫助國內外申請專利的創新者與企業。」 美國專利商標局已於2016年7月提供以色列專利局CPC的相關訓練。美國專利商標局及以色列專利局預計進一步著手進行更深入的CPC相關訓練與交流事宜。以色列專利局及美國專利商標局之間的合作正持續擴展當中，並已達到以CPC為以色列專利局所收藏之專利進行分類的目標。以色列專利局局長Asa Kling表示：「隨著新系統的轉變，以色列專利局將強化審查專業及效率，並改善提供給以色列申請人的服務。」
行動生活之隱私爭議－現行法制能否妥善處理位置資訊衍生問題 美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制美國商務部（Department of Commerce, DOC）旗下國家標準及技術研究院（National Institute of Standards and Technology, NIST）於2023年2月28日發布《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act）補助具體內容，重點如下： 一、申請時間：補助採滾動式錄取模式（rolling basis），先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請（pre-application）與正式申請（full application）；成熟製程與其他相關生產設施的製造補助，將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額：補助分為直接補助（direct funding）、聯邦政府貸款（federal loans）或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保（federal guarantees of third-party loans）。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15％。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助，然整體補助金額不得超出預估資本支出的35％。 三、申請流程 1.意向聲明（statement of interest）：申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明，俾利NIST旗下晶片計畫辦公室（CHIPS Program Office）為未來審查進行準備。 2.預先申請：申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請：依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後，申請人應遞交完整的計畫申請書，內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後，會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄（non-binding Preliminary Memorandum of Terms），記載補助方式與金額。 4.盡職調查（due diligence）：在經過上述程序後，晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能（reasonably likely）取得補助，將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放：通過盡職調查後，DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股（stock buybacks）：受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫：申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元，須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限：受補助者必須於DOC所決定的特定日期（target dates）前開始或完成廠房建造，否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤：補助金額超過1億5千萬美元時，受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益，但最高不超過直接補助金額的75％。 5.不得於特定國家擴產與進行研究：受補助者於10年內或與DOC合意的期間內，除特定情況下（15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)），不得於特定國家，如中國，進行大規模半導體製造的擴產（material expansion）、聯合研究（joint research）或技術授權（technology licensing），違反者將會被DOC收回全額補助。