經濟部於去(2005)年12月20日正式舉行「全球首批」奈米標章的授證儀式,本次獲得授證廠商共有6家,分別為:和隆興業股份有限公司(奈米級光觸媒抗菌陶瓷面磚)、冠軍建材股份有限公司(奈米級光觸媒抗菌陶瓷面磚)、尚志精密化學股份有限公司(奈米級光觸媒脫臭塗料)、新美華造漆廠股份有限公司(奈米級光觸媒脫臭塗料)、中國電器股份有限公司(奈米級光觸媒抗菌燈管)、台灣日光燈股份有限公司(奈米級光觸媒抗菌燈管),由於國外尚無奈米產品認證制度,這是國內也是全球首批獲證的奈米產品。 經濟部工業局有鑒於市面上奈米產品真偽莫辨,於九十三年特別委託工業技術研究院推動「奈米產品驗證體系」,目的在保護消費者權益、建立消費者的正確認知,並鼓勵優良廠商永續經營進而提升我國奈米產品之國際競爭力。目前奈米標章開放申請項目訂定的原則,是以該項產品在國內是否有市售商品、製造商及具能力的測試機構與相關之技術專家,以及國內外是否有測試方法可參考為前提,而基於安全性考量,有關健康、環境風險者,目前暫不開放,但對於尚未開放項目,可由廠商自行提出申請。
英國提出通訊資料法之草案英國內政部於2012年6月提出「通訊資料法」之草案(Draft Communications Data Bill),並將於10月舉行公聽會討論。 所謂通訊資料,非指通訊內容本身之資料,而係指通訊過程中所留下的相關紀錄性資料,包括通訊帳號所有人之資料、通訊之時間、長度、來源、位置等。而目前蒐集通訊資料之用途,多半為犯罪之偵防、避免緊急危難或反恐怖活動。其所牽涉之議題重點則為向提供通訊服務之公司調閱相關資料時,該公司是否有提供之義務,及調閱機關是否有相關權限或對資料之應用是否符合調閱之目的。 此次所提出之草案,主要可分為三大部分:第一部分賦予公務機關調閱資料之權限,並規定使用該等資料過程中,相關的安全保護措施與法定程序要求。第二部分規定調閱資料所必須的法定審查流程,包括主管機關內具備權限的高階主管,應依據比例原則,決定是否可調閱資料,並在一定情況下,須經司法機關審查。另外,國務大臣應建立一定審查機制,審核各主管機關之調閱目的與調閱程序恰當與否。最後,第三部分則是有關提升審查制度運作可能性之規定,諸如明訂各個機關所享有之調閱權,以及提供郵務及電信業務經營者相當之資源以配合機關調閱資料之需求。
日本總務省公布「2006年版資訊通信白皮書」日本資訊通信領域主管機關「總務省」 7 月 4 日 公布「 2006 年版資訊通信白皮書」。本年度白皮書除按照慣例闡述資訊通信政策之實施現況(第 2 章)以及今後推動方向(第 3 章)外,更本諸過去數年「 u 化社會」( ubiquitous network society )願景之研析成果與發展脈絡,將 u 化社會之願景與現實生活的技術或應用發展趨勢兩相比較,指出於逐步邁向該等願景的同時,社會整體經濟結構的特性也開始有所變化。 基於前開變化主係肇因於技術變遷、應用普及、逐步邁向 u 化社會願景之故,本年度白皮書第 1 章乃將之稱為「 u 化經濟」( ubiquitous economy ),並認為自宏觀角度而言,資通產業對於國家經濟實力之貢獻有增無減;另自微觀角度而言,個別用戶的重要性將會更加凸顯,資訊的流通傳遞也會更有效率,而本諸知識迅速累積分享的結果,生產力同樣可望大幅提昇。今後亦當本諸此等認知,規劃能令個別用戶放心使用之安全環境,弭平基礎建設未能完全普及之數位落差現象,預先具體指明可能發生之爭議課題,妥善探究適合 u 化社會願景實現之因應對策,以利全體國民均能充分享用 u 化社會所能帶來的福祉。
美國商務部產業安全局擴大對中國半導體製造設備、軟體工具、高頻記憶體等項目之出口管制.Pindent{text-indent: 2em;} .Noindent{margin-left: 2em;} .NoPindent{text-indent: 2em; margin-left: 2em;} .No2indent{margin-left: 3em;} .No2Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 3em} .No3indent{margin-left: 4em;} .No3Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 4em} 美國商務部產業安全局(Bureau of Industry and Security,簡稱BIS)於2024年12月2日發布《外國生產的直接產品規則補充以及先進運算及半導體製造項目管制精進》(Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items),並於同日(12月2日)生效,部分管制措施的法律遵循延後至2024年12月31日。BIS開放公眾可以就本次管制提出意見。 因中國的半導體戰略旨在進一步推進中國的軍事現代化、大規模殺傷性武器(WMD)的發展,美國政府認為中國的相關政策與措施,將可能侵害美國及其友盟之國家安全。因此,本次管制之目的旨在進一步削弱中國生產先進節點半導體的能力,包括下一個世代的先進武器系統,以及具有重要軍事應用的人工智慧與先進運算。 為達上述目的,本次管制修正具體擴大的管制項目概述如下: 1. 24種半導體製造設備,包括某些蝕刻(etch)、沉積(deposition)、微影(lithography)、離子注入(ion implantation)、退火(annealing)、計量(metrology)和檢驗(inspection)以及清潔(cleaning)工具。 2. 3種用於開發或生產半導體的軟體工具。 3. 管制源自美國的高頻寬記憶體,以及於美國境外生產且美國管制清單中所列之高頻寬記憶體。 4. 新增對電子電腦輔助設計(Electronic Computer Aided Design)與技術電腦輔助設計(Technology Computer Aided Design)軟體及技術的限制。