本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
美國聯邦最高法院於2018年4月24日針對OIL STATES ENERGY SERVICES, LLC v. GREENE’S ENERGY GROUP, LLC, ET AL.ㄧ案作成判決。大法官以 7-2 投票表決通過,認定美國專利商標局(United States Patent and Trademark Office,USPTO)所屬專利審查暨上訴委員會(Patent Trial and Appeal Board,PTAB)進行內部專利審查「多方複審 (Inter Partes Review,IPR)」程序並未違憲。多方複審程序係國會在制度設計上針對專利獲證許可後,授權行政機關可經由實質利害關係人提出申請後,得有機會再次檢視其原先核發專利獲證許可的權限。因此被告經由行政機關專利審查獲得之權利,與被告在美國憲法下只能經由聯邦法院和陪審團裁決所保障權利不同。 本案自去年聯邦最高法院受理後,即成為美國發明法(Leahy-Smith America Invents Act)施行後備受矚目的重大案例之一。主要因為本案凸顯出各產業對多方複審程序實質影響的反應。若多方複審程序被判無效的話,將導致大部分專利紛爭從專利審查暨上訴委員會移回聯邦法院。導致美國發明法欲藉由行政審查改善並減輕司法體系負擔之目的難以達成,且導致專利訴訟更為耗時且昂貴,恐造成「非實施專利事業體」(Non-Practicing Entity, NPE)更加猖獗。因此,資通訊產業等普遍受到專利侵權訴訟困擾的企業大多贊同多方複審程序的合憲性。然而,大法官 John Roberts 和 Neil Gorsuch 對此一保守的決定表示異議,認為辛苦研發之專利僅因為第三人提起申請就受到行政機關撤銷,而非經由司法體系裁決仍有其疑義之處。仔細檢視多方複審程序的進行,似有違背於司法審查中要求獨立性的種種目的和精神。從歷史上來看,縱使行政機關具有核發專利獲證許可的權限,但不代表這可以導出行政機關就有撤銷專利的權限。因此,不同意見之大法官認為藉由行政機關的審議程序取代司法審查對專利可以做出撤銷的決定並不合憲。
哈佛研究者以私募基金展開人類胚胎複製哈佛大學的醫學研究人員最近公開表示,他們已經展開複製人類胚胎、創造幹細胞的工作,由於布希政府在數年前即已頒布禁令,禁止聯邦政府資助新的幹細胞系,故哈佛幹細胞研究所的這項計劃將以私人募集的基金進行。 人類胚胎幹細胞的研究一直具爭議性,因為抽取細胞需要破壞人類胚胎。哈佛幹細胞研究計劃以創造特定疾病的幹細胞系為目標,希望研發出多種不治之症的療法。哈佛大學認為這項計劃的潛在好處,大於人類生命神聖遭挑戰的關切,蓋其長期目標是,創造從病患細胞組織取得的胚胎幹細胞,修正基因缺陷,將修復細胞植回病患體內。校長薩默斯在聲明中說:「雖然我們了解且尊重反對此項研究者所持的信念,我們同樣誠摯地面對我們的信仰,相信攸關無數受苦孩童與成人生死的醫學需要,賦予這項研究繼續前進的正當性。」
英國Ofcom公佈光纖網路備援電池之管制指引因預期超高速網路在英國將被廣泛佈建,Ofcom於2011年6月啟動諮詢程序,徵詢各界光纖網路備援電池的管制指引,以確保消費者的緊急電話服務;並於同年12月公佈諮詢結果與更新管制指引。 英國境內光纖到終端(FTTP)服務的覆蓋率已達到58%,雖得以提供消費者更高速的上網與影音內容,但卻有停電時無法運作的先天缺陷。由於傳統電話運作所需的電力係經由業者機房透過銅絞線供應,故即便消費者終端停電,仍能緊急電話。因此Ofcom曾於2009年要求公眾電話業者(PATS)確保消費者終端有維持供電4小時以上的備援電池,以保障民眾的身家安全。而此項管制則是納入ECN/ECS業者之第3項一般條件的管制中,業者有因而有遵守的義務。 此次徵詢結果,Ofcom確立了以下兩點管制指引: 1. PATS必須確保提供備援電池:PATS若由消費者選擇是否安裝備援電池,將被認為不符義務。若PATS選擇由消費者負擔更換電池之責任,應提供適切指引並確保易於取得電池;若責任由PATS承擔,則應建立適切處理程序。 2. 備援電池最低供電時數降為1小時:主要理由為英國大部分的斷電事件都不超過1小時;且行動電話相當普及,增加了安全保障。而備援電力降為1小時後,將使其電池更輕便和更易分離,因而更易於產製購買、取得與安裝。不過對於歷史上曾發生斷電超過1小時的家戶,PATS仍有義務確保較長時間的備援電力。
美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制美國商務部(Department of Commerce, DOC)旗下國家標準及技術研究院(National Institute of Standards and Technology, NIST)於2023年2月28日發布《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)補助具體內容,重點如下: 一、申請時間:補助採滾動式錄取模式(rolling basis),先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請(pre-application)與正式申請(full application);成熟製程與其他相關生產設施的製造補助,將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額:補助分為直接補助(direct funding)、聯邦政府貸款(federal loans)或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保(federal guarantees of third-party loans)。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15%。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助,然整體補助金額不得超出預估資本支出的35%。 三、申請流程 1.意向聲明(statement of interest):申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明,俾利NIST旗下晶片計畫辦公室(CHIPS Program Office)為未來審查進行準備。 2.預先申請:申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請:依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後,申請人應遞交完整的計畫申請書,內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後,會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄(non-binding Preliminary Memorandum of Terms),記載補助方式與金額。 4.盡職調查(due diligence):在經過上述程序後,晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能(reasonably likely)取得補助,將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放:通過盡職調查後,DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股(stock buybacks):受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫:申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元,須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限:受補助者必須於DOC所決定的特定日期(target dates)前開始或完成廠房建造,否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤:補助金額超過1億5千萬美元時,受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益,但最高不超過直接補助金額的75%。 5.不得於特定國家擴產與進行研究:受補助者於10年內或與DOC合意的期間內,除特定情況下(15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)),不得於特定國家,如中國,進行大規模半導體製造的擴產(material expansion)、聯合研究(joint research)或技術授權(technology licensing),違反者將會被DOC收回全額補助。