2018年10月4日,澳洲證券投資委員會(Australian Securities and Investments Commission,簡稱:ASIC)與美國商品期貨交易委員會(US Commodity Futures Trading Commission,簡稱:CFTC)簽訂「金融技術創新合作雙邊協議」(Cooperation Arrangement on Financial Technology Innovation’ bilateral agreement,簡稱:協議),該協議內容主要針對未來金融科技(fintech)以及監理科技(regtech)之合作以及相關資訊作交換。 協議內容主要為加強雙方瞭解、識別市場發展趨勢,進而促進金融科技創新,對於運用監理科技之金融產業採取鼓勵的態度。 具體協議內容及相關合作計畫為以下條款: 1. 建立正式合作途徑,其中包含資訊分享,ASIC創新中心與LabCFTC之間的溝通; 2. 協助轉介有興趣於另一管轄權,設立企業之金融科技公司; 3. 促進監管機構定期舉行相關監管會議,討論目前時下發展趨勢,藉以相互學習; 4. 針對非公開資訊及機密資訊,給予監管機構以共享方式流通資訊。 儘管,澳洲與美國已簽訂此協議,惟須注意的地方在於,此協議本質上不具備法律約束力,對監管機構也未加註責任,並強加特定義務,以及未取代任何國內法的法律義務。 雖然,此協議不具任何法律約束力,但美國以及澳洲之金融科技創新產業間已形成一定之默契,以及交叉合作。此種互利合作,使兩國金融創新企業在雙方管轄權下,並且降低跨境成本及加深跨境無障礙性,為兩國監管機構提供最佳執行方式,以及進一步資料之蒐集。
亞利桑那州可望通過情色報復法,美國防治情色報復將再添一州美國亞利桑那州曾於2014年通過違反本人意願散布隱私內容之條文(泛稱為情色報復法Revenge Porn Law),構成要件未涵蓋行為人需有傷害的主觀不法構成要件,只要未經本人同意散布隱私內容即有可能觸犯本法而被判重罪(Felony),最高將可處三年又九個月之有期徒刑。然而,因構成要件過於廣泛,甚至未排除具新聞、藝術、教育價值之內容,未考慮本人之隱私期待性和傷害有無,美國公民自由聯盟遂代表出版業、媒體業和攝影業等,以該條文侵害言論自由有違憲之虞,於同年9月向亞利桑那州提告。該案於2015年7月10日達成和解,亞利桑那州地方法院宣告該條文將不會生效施行。 在經過漫長的修法後,亞利桑那州參議院最終於2016年3月7日無異議通過情色報復法之最新修法法案(House Bill 2001),待州長簽署核准後便立即生效施行。本次修法與2014年的版本不同處為,檢察官需證明隱私內容之本人具有合理的隱私期待,若被害人曾將自拍的影像寄送與他人,更需證明被害人未有分享的意思。此外,檢察官需證明行為人具有意圖傷害、騷擾、威脅或迫使他人之主觀意思。在此條文尚未通過前,實務上已有檢察官多次反應現行法無從對違反本人意願散布隱私內容之行為論罪,至多僅能以網路跟蹤或霸凌法等追究,對受害人保護甚為不周。
韓國首爾高等法院部分駁回高通提出的行政訴訟韓國首爾高等法院第七行政庭(下稱:韓國高等法院)於2019年12月4日部分駁回高通對韓國公平交易委員會(Korea Fair Trade Commission,下稱:韓國公平會)提起的行政訴訟,高通仍需支付鉅額罰鍰。 韓國公平會於2016年12月28日,曾針對高通干涉數據機晶片組(Modem Chipset)的對手廠商之商業活動,進而破壞市場競爭一事,開出史上最高額的行政罰鍰共1.0311兆韓元。當時韓國公平會指出,高通的標準必要專利(Standards-Essential Patents, SEPs)授權不符合「公平、合理、非歧視原則」(Fair, Reasonable and Non-Discriminatory, FRAND),希望藉由開罰徹底矯正高通的商業模式,不讓高通透過該商業模式不合理地維持並擴張其數據機晶片的獨佔地位,進而壓迫數據機晶片業者(如:聯發科或英特爾)和手持裝置(Handset)業者。高通不滿韓國公平會之行政處分,逕向韓國高等法院提出撤銷行政處分之訴,並請求暫緩執行。然而,高通所提出的暫緩執行請求,於2017年11月27日即被韓國高等法院駁回。至於高通所欲提起的撤銷行政處分之訴,韓國高等法院則於本次駁回。 儘管韓國高等法院對韓國公平會的部分決議積極地表示贊同,並非照單全收,韓國高等法院於裁判要旨中指出:韓國公平會針對「全面性的專利組合授權」(Comprehensive Portfolio Licensing)請求矯正措施(Remedy)一事係屬違法,換言之,高通毋須逐一重啟授權談判。至於罰鍰和其他決議,韓國高等法院則認為有其合理性。
政府重申並未放寬輸往中國大陸半導體晶圓製程設備之出口管制由於國際出口管制組織「瓦聖那協議」( Wassenaar Arrangement,WA)於去年(93)底修訂半導體晶圓製程技術水準之出口管制規定,由0.35微米放寬為0.18微米;國貿局為配合「瓦聖那協議」之修訂,亦於今年9月公告半導體晶圓製程技術之出口管制修正為0.18微米。 然,我國半導體晶圓製造廠商申請赴中國大陸投資,主要依據經濟部之「在大陸地區投資晶圓廠審查及監督作業要點」辦理,其中第四點申請要件明顯規定「大陸投資事業製程技術限於0.25微米以上」。此外,在國貿局「限制輸出貨品總彙表」更有規範半導體晶圓製造等相關設備之輸出規定121:需要有國貿局簽發輸出許可證;輸出規定488:(一)輸往大陸地區者,應檢附經濟部投資審議委員會核准投資文件;輸往大陸以外地區者,應檢附保證絕不轉售大陸地區之切結書。(二)外貨復運出口者,另檢附原海關進口證明文件。(三)屬戰略性高科技貨品列管項目者,除應申請戰略性高科技貨品輸出許可證,並檢附上述文件外,應另依戰略性高科技貨品輸出入管理辦法規定,檢附下列文件:1、進口國核發之國際進口證明書、最終用途證明書或保證文件。2、外貨復運出口者,如原出口國政府規定需先經其同意者,應另檢附原出口國政府核准再出口證明文件;其於原進口時領有我國核發之國際進口證明書、最終用途證明書或保證文件者,應再檢附該等文件影本。 國際貿易局強調,我國目前開放半導體晶圓製程技術輸往中國大陸仍限為0.25微米以上,並未放寬輸往中國大陸之出口管制。