自2009年起,歐盟執委會(European Commission,下稱執委會)開始推動統一化歐盟境內手機及其他類似電子設備之充電器,以減少不必要的電子垃圾,並改善電子設備充電器規格紊亂所造成消費者的不便利。多年來,市面上充電連接埠的規格已從過去的三十多種減少為USB Type-C、USB micro-B以及Lightning三種規格。執委會更於今(2021)年9月23日提出《無線電設備指令》(Radio Equipment Directive, 2014/53/EU)增修條文提案,欲透過立法建立統一的充電解決方案,該提案包括:
1.統一充電連接埠
USB Type-C為所有智慧型手機、平板、相機以及耳機等電子設備的通用充電連接埠,一個USB Type-C充電器將能為各種廠牌的產品充電。
2.統一快速充電技術
防止各製造商無正當理由地限制充電速度,並確保電子設備在使用任何可相容的充電器時都能有相同的充電速度。
3.電子設備及充電器的分拆販售
防止消費者被迫購買不必要的充電器,並減少未使用的充電器數量,進而達成降低電子垃圾之目的。
4.提供消費者更多資訊
製造商應提供消費者其產品之充電性能相關資訊,以利消費者判斷其現有的充電器與該產品是否相容,該資訊亦有助於消費者為該產品選購相容的充電器。
此提案仍需待歐洲議會(European Parliament)及歐盟部長理事會(Council of the European Union)決議,若決議通過,製造商將有24個月的過渡期來調整產品設計。
卡爾斯魯爾行政法院在今年6月7日公布第一個關於歐盟個人資料保護規則(Datenschutzgrundverordnung,DSGVO)的判決。在本案中,原告是一間負責處個人信用資料的民間公司,其依據現行BDSG(Bundesdatenschutzgesetz,聯邦個人資料保護法)的規定來蒐集、保存與傳輸個人資料給第三人。巴登符騰堡邦的主管機關在預見原告將來會違反DSGVO規定的情況下,向原告發出一份行政處分(Verfügung),要求原告必須依照DSGVO的相關規定調整作業流程以符合DSGVO的規範。但原告認為,其只需要在2018年5月24號之後,就相關作業流程符合DSGVO的規範即可。 本案的關鍵在於,主管機關是否已經可以用DSGVO的規定來規範民間企業?因為依據DSGVO第99條的規定,DSGVO現雖已生效,但必須到2018年5月25日才開始適用。 根據BDSG第38條第5項規定,監督機構可以採取必要措施,確保民間企業在收集、傳播和使用個人資料時遵守相關保護規定;且本案中,原告在2018年5月24號後可能會出現的違法情形也已顯而易見,但法院並不同意行政機關可以預先發布行政處分的看法。因為DSGVO雖已生效,但民間企業必須適用的期限仍未屆至。行政機關不得在未有法律授權的情況下,預先規範限制未來的可能違法行為。現行法律對於行政機關的授權範圍必須被嚴格遵守,在DSGVO未開始適用的情況下,目前行政機關仍只能依據BDSG及DSAnpUG(Datenschutzanpassungs- und Umsetzungsgesetz,個人資料保護調整和施行法)的規定,來處理相關的行政措施。
Like or Not!德國地方法院針對facebook「讚」按鈕功能之判決日前有新聞報導,google將推出「+1」按鈕功能,用戶可以點擊該按鈕,向好友推薦特定的搜尋結果,市場上普遍預測google新增此「+1」按鈕功能,主要是用來跟facebook「讚」按鈕(Like Button)競爭。facebook「讚」按鈕功能已成為時下潮流新用語,諸如「給你一個讚」;而且還可以將facebook「讚」按鈕安裝在個人的部落格網頁、文章中。惟facebook的這項功能,一直以來也存在著侵害用戶個人隱私之疑慮。 德國柏林地方法院於今年(2011)03月14日針對facebook「讚」按鈕功能作出一則判決(LG Berlin, Beschluss vom 14.03.2011 - 91 O 25/11)。本案被告經營一項與原告相同的電子商務業務,並在其線上商店網頁中,安裝facebook「讚」按鈕(Gefällt-mir-Button)功能。判決中指出,安裝facebook「讚」按鈕,須運用facebook內建框架(iframe)語法,一旦安裝後,只要是登錄facebook的用戶,同時瀏覽被告網頁時,即使未點擊被告網頁上的「讚」按鈕,用戶的使用記錄都會回傳至facebook。但被告網頁上並未刊登任何有關提醒用戶注意該項資料蒐集、回傳之訊息。 原告因而主張,被告未盡到告知用戶有關個人資料蒐集、加工資訊之義務,已經違反電信服務法(Telemediengesetz,以下簡稱TMG)第13條規定,因而構成不正競爭防止法(Gesetz gegen den unlauteren Wettbewerb,以下簡稱UWG)第4條第11款規定之不允許交易行為。UWG第4條第11款規定「違反本質上涉及交易相對人(Marktteilnehmer)之利益的市場行為(Marktverhalten)有關之法律規定,亦屬於不允許的交易行為(unlautere geschäftliche Handlungen)。」 柏林地方法院認為,TMG第13條本質上係與個人資料保護有關之規定,與涉及交易相對人之利益的市場行為無關,故本案無UWG第4條第11款規定之情形,與不正競爭行為無關,原告之主張因欠缺請求權基礎而敗訴。 然而,值得注意的是,本案法院並未進一步針對被告行為是否違反TMG第13條「有關個人資料保護」之規定提出其見解。TMG第13條係依據「歐盟1995年個人資料保護指令」轉換而來,TMG第13條規定,若網站涉及個人資料的蒐集、加工行為,電信服務提供者(Diensteanbieter)有義務明確告知用戶相關訊息(包括明確告知用戶其可隨時撤回許可相關資料蒐集之表示等)。 爰此,被告於個人網頁安裝facebook「讚」按鈕功能,卻未告知用戶個人資料蒐集、加工之相關訊息,是否違反TMG第13條規定之告知義務,尚有待上級審加以定奪。而判決出爐後,也有專家建議,為避免有侵害個人資料之虞,在社群網站安裝facebook「讚」按鈕時,宜加註個人資料處理、保護之相關聲明。
歐盟公布競爭與創新綱要計畫歐盟最近公布新通過的競爭與創新綱要計畫( Competitiveness and Innovation Framework Programme 2007-2013 , 簡稱: CIFP (2007-2013) ),預計自今( 2006 )年 11 月 29 日 生效適用 。 CIPF (2007-2013) 旨在強化歐盟競爭與創新的能量,以期透過均衡的經濟成長,促進知識社會與永續發展。 CIFP (2007-2013) 根據歐盟現今的發展策略- Lisbon Strategy ,亦是將重點放在如何協助中小型企業運用其創新的潛能,開發更高品質的產品。由於去年歐盟理事會重新定位 Lisbon Strategy 的重點在於激勵企業家精神、確保新創事業可獲得充份的風險資本挹注、鼓勵並引導融入環境友善精神的創新( eco-innovation )、善用 ICT 技術、促進資源的永續利用,故而 CIPF (2007-2013) 的計畫重點也放在如何落實前述政策目標,以使「競爭與創新」、「知識經濟」以及「永續發展」得以齊頭並進。 另 CIPF (2007-2013) 在第七期研發綱要架構( Seventh Framework Programme for research and technological development )執行期間( 2007-2013 )也將與其相輔相成,不過 CIPF (2007-2013) 重點不在研發補助,而是希望在研究與創新之間搭建橋樑,同時鼓勵各種形式的創新利用。舉例而言,如何協助將第七期研發綱要的成果進一步透過技術移轉方式鼓勵其商業化利用,即是 CIPF (2007-2013) 所要達到的任務之一,不過手段上 CIPF (2007-2013) 的經費主要會用於如何解決研究與創新之間的市場失靈問題。
美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制美國商務部(Department of Commerce, DOC)旗下國家標準及技術研究院(National Institute of Standards and Technology, NIST)於2023年2月28日發布《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)補助具體內容,重點如下: 一、申請時間:補助採滾動式錄取模式(rolling basis),先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請(pre-application)與正式申請(full application);成熟製程與其他相關生產設施的製造補助,將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額:補助分為直接補助(direct funding)、聯邦政府貸款(federal loans)或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保(federal guarantees of third-party loans)。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15%。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助,然整體補助金額不得超出預估資本支出的35%。 三、申請流程 1.意向聲明(statement of interest):申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明,俾利NIST旗下晶片計畫辦公室(CHIPS Program Office)為未來審查進行準備。 2.預先申請:申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請:依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後,申請人應遞交完整的計畫申請書,內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後,會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄(non-binding Preliminary Memorandum of Terms),記載補助方式與金額。 4.盡職調查(due diligence):在經過上述程序後,晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能(reasonably likely)取得補助,將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放:通過盡職調查後,DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股(stock buybacks):受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫:申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元,須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限:受補助者必須於DOC所決定的特定日期(target dates)前開始或完成廠房建造,否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤:補助金額超過1億5千萬美元時,受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益,但最高不超過直接補助金額的75%。 5.不得於特定國家擴產與進行研究:受補助者於10年內或與DOC合意的期間內,除特定情況下(15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)),不得於特定國家,如中國,進行大規模半導體製造的擴產(material expansion)、聯合研究(joint research)或技術授權(technology licensing),違反者將會被DOC收回全額補助。