歐盟於2022年6月29日提出《2022年前瞻策略報告:新地緣政治下之綠能與數位轉型雙生》(Twinning the green and digital transitions in the new geopolitical context,以下簡稱《2022年前瞻策略報告》),促進氣候與數位的協同和一致性,以面對現今與2025年的挑戰。歐盟主席Ursula Gertrud von der Leyen曾於2019年指出,綠能與數位轉型為首要的任務;鑒於俄羅斯與烏克蘭之戰爭,歐洲正加速提升於氣候與數位之全球性領導地位,聚焦於能源、糧食、國防與尖端技術之關鍵挑戰。《2022年前瞻策略報告》提出願景與雙生轉型(twin transitions)互動的整體分析,考量新興技術的角色,和地緣政治、社會、經濟與法規的因素,以塑造雙生,相互強化,並降低戰略依賴。
《2022年前瞻策略報告》確立十大關鍵行動,以擴大機會並減少源於雙生的潛在風險。該關鍵行動分別為:
1、在變化的地緣政治環境,歐盟需在轉型的關鍵領域中,持續強化其彈性與開放戰略的自主權。
2、歐盟須致力於促進全球的雙生轉型。
3、歐盟須策略性的管理關鍵商品的供應鏈,以達成雙生轉型,並保持其經濟上之競爭力。
4、在轉型的過程中,歐盟須強化社會與經濟上的凝聚。
5、教育與訓練系統須能適應新的社會經濟現實。
6、額外的投資須能轉向於支持技術與基礎設施。
7、引導轉型須有穩健與可信賴的監控框架。
8、具未來性與敏捷性的歐盟立法框架,須以單一市場為核心,將有利於具持續性的商業模型與消費模式。
9、制訂標準(Setting standards)為雙生和確定歐盟朝競爭持續性發展的關鍵。
10、更強健的網路安全與資料共享框架必須對潛在的雙生技術解鎖。
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歐盟議會之環境、公共健康暨食品安全委員會(以下簡稱委員會)於6月2日以55票贊成,1票反對,2票棄權,通過對電子電機設備有害物質限用指令(RoHS指令)修訂之提案。該提案要求對包括鹵化阻燃劑(Halogenated Flame Retardants)、聚氯乙烯(PVC)以及奈米銀(nanosilver)、長型多壁奈米碳管(long multi-walled carbon nanotubes,MWCNT)等目前未列於有害物質禁用清單之化學物質,評估是否列入清單。 RoHS指令適用於自其他第三國進口以及於歐盟地區所生產之電子電機設備產品,影響層面廣泛,值得注意的是,該修訂提案中就其適用對象改採「開放性適用」(open scope),亦即除有特別明文排除者外,所有電子電機設備產品皆適用此一指令。歐盟議會目前提議排除用於生產再生能源、特定大規模設備與工業工具以及用於生產軍事目的之物質和車輛之電子電機設備。 針對奈米銀和長型多壁奈米碳管兩項奈米物質,委員會於修訂提案將其增列於附件IV當中,將產生對內含上述二種物質且達可探測程度(detectable level)之電子電機設備禁止進入歐盟市場流通之效果。委員會也對內含奈米物質之電子電機設備要求進行標示,製造商亦應向歐盟執委會提供奈米物質之安全數據。惟有論者表示,在歐洲議會目前對於奈米物質之定義尚未明確之前提下,此修訂提案可能導致必須對所有的電子產品進行奈米標示之情況。
美國傳播通訊委員會將推動新的「網路開放」(Open internet)指導原則美國聯邦通訊委員會(FCC)主席Genachowski於2009年9月21日表示,FCC將提出新的網路開放指導原則,要求包括無線網路服務提供商在內的業者,維持網路中立,不得因傳送或下載資訊種類之差異而進行流量差別管理。此提案若經同意,預計將能有效避免如AT&T、Verizon與Comcast等大公司故意阻斷或是降低特定消耗大量頻寬網頁流量,或對不同用戶收取差異價格的情況。 現行的網路開放原則係於2005年提出,僅要求網路營運商不得阻斷(stop)使用者接取合法的網路內容、應用與服務,或抵制(prevent)不讓使用者以無害的設備,如智慧手機,連線接取相關服務。 FCC預計在現行的指導原則上加入兩條新的原則,以更確保網路的開放與中立性。此兩條新的原則包含對寬頻網路服務提供業者不得歧視的網路內容與應用規範之種類,以及對網路服務提供業者透明化其網路管理作法之要求等。 FCC主席表示,雖然這樣的提案肯定會遭受到電信業者的反對,但FCC仍應積極維護網路公開與自由。
美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制美國商務部(Department of Commerce, DOC)旗下國家標準及技術研究院(National Institute of Standards and Technology, NIST)於2023年2月28日發布《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)補助具體內容,重點如下: 一、申請時間:補助採滾動式錄取模式(rolling basis),先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請(pre-application)與正式申請(full application);成熟製程與其他相關生產設施的製造補助,將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額:補助分為直接補助(direct funding)、聯邦政府貸款(federal loans)或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保(federal guarantees of third-party loans)。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15%。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助,然整體補助金額不得超出預估資本支出的35%。 三、申請流程 1.意向聲明(statement of interest):申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明,俾利NIST旗下晶片計畫辦公室(CHIPS Program Office)為未來審查進行準備。 2.預先申請:申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請:依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後,申請人應遞交完整的計畫申請書,內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後,會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄(non-binding Preliminary Memorandum of Terms),記載補助方式與金額。 4.盡職調查(due diligence):在經過上述程序後,晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能(reasonably likely)取得補助,將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放:通過盡職調查後,DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股(stock buybacks):受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫:申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元,須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限:受補助者必須於DOC所決定的特定日期(target dates)前開始或完成廠房建造,否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤:補助金額超過1億5千萬美元時,受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益,但最高不超過直接補助金額的75%。 5.不得於特定國家擴產與進行研究:受補助者於10年內或與DOC合意的期間內,除特定情況下(15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)),不得於特定國家,如中國,進行大規模半導體製造的擴產(material expansion)、聯合研究(joint research)或技術授權(technology licensing),違反者將會被DOC收回全額補助。