美國白宮(The White House,以下簡稱白宮)於2023年8月9日發布《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act,以下簡稱晶片法)頒布一周年之總結,說明相關補助及租稅優惠措施之實施成效。自晶片法施行以來,已吸引高達1,660億美元之私人投資,並有50所以上大學宣布將開設半導體人力培訓課程,顯示晶片法對半導體生產製造在地化已有相當成效。晶片法施行後推動之措施如下:
1.說明半導體補助申請流程及條件
美國國家標準及技術研究院(National Institute of Standards and Technology)於2023年2月28日分別發布「半導體製造補助之申請指引」(Funding Opportunit–Commercial Fabrication Facilities)與「半導體製造補助願景」(Vision for Success: Commercial Fabrication Facilities),說明晶片法補助目的、申請流程、條件以及注意事項,並於同年6月23日更新相關內容。
2.說明柵欄條款之運作方式
美國商務部(Department of Commerce)與財政部(Department of Treasury)2023年3月23日於美國聯邦公報(Federal Register)發布法規預告(proposed rules),詳細說明晶片法內柵欄條款(guardrails)之運作方式。根據法規預告之內容,受補助人於受補助後的10年內若未經美國商務部與財政部同意,不得於中國等特定國家進行半導體製造設施「實質擴廠」之「重大交易」,避免受補助人將晶片法提供之補助用於中國,進而侵害美國國家安全。
3.強化半導體研發創新
美國商務部於2022年9月6日發布「美國晶片補助戰略」(A Strategy for the CHIPS for America Fund),說明商務部將與國家科學基金會(National Science Foundation)等建立「國家半導體科技中心與執行國家先進封裝製造計畫」(National Advanced Packaging Manufacturing Program),協助美國維持半導體研發之領先地位,並大幅縮短研發成果商用化之時程。
4.保障區域經濟發展與創新
美國商務部於2023年5月發布第1期「科技中心計畫」(Tech Hubs Program)申請指引,協助區域製造、商業化和部署關鍵技術;並於2023年6月發布第1期「重新競爭領航計畫」(Recompete Pilot Porgram),為長期處於經濟困境的美國社區提供就業機會。
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
英國資訊委員辦公室(Information Commissioner’s Office, ICO)於2013年8月8日發布當事人近用請求權實務準則(subject access code of practice),以協助資料控制者遵循1998年資料保護法(Data Protection Act 1998,DPA)有關當事人行使近用權(access right)之規定。 根據DPA,任何資料主體都有權利接觸、查詢其被資料控制者擁有之個人資料,即當事人向資料控制者請求近用其個人資料之權利。當事人近用請求權實務準則闡明資料主體的查閱請求權、製給複製本請求權等權利,與資料控制者回應當事人近用請求權的責任,該項權利允許當事人查詢其信用卡紀錄、健康紀錄等資料,資料控制者一旦收到當事人請求,必需於40天內回覆。 ICO同時發布10項簡易步驟,以協助資料控制者衡量回應當事人近用請求權。內容包括:1.確認當事人提出之請求是否為當事人近用請求權;2.確保有足夠資訊可識別請求者的身分;3.若需要更多資訊以釐清請求者之需求,立即向請求者提出;4.若需收費,及時向請求者提出;5.確認是否有請求者需求的資訊;6.即使紀錄不正確或令人尷尬,都不要試圖更改該紀錄;7.衡量紀錄中是否含有他人資訊;8.確認是否有提供資訊之義務;9.確認能解釋資訊中的複雜名詞;10.於適當的情形下,永久保存回覆當事人資訊的副本。 這項實務準則將協助資料控制者更即時且有效地處理當事人對其資料近用請求之相關事項,同時證明資料控制者係以公開且透明之方式妥善管理其所蒐集之顧客資料。
何謂專利權的「權利耗盡」原則?專利權人一旦將專利物售出,專利權就耗盡,專利權人不得再行使專利權,稱為權利耗盡原則(the exhaustion doctrine)或第一次銷售原則(the first sale doctrine)。舉例而言,某人取得某種保溫技術專利製造保溫杯,他可以禁止任何人製造相同專利技術的保溫杯,但是一旦他將保溫杯銷售出去,他不可以禁止買受人將保溫杯再銷售出去。 我國關於「權利耗盡」之規定見諸於《專利法》第59條第1項第6款: 發明專利權之效力,不及於下列各款情事: 六、專利權人所製造或經其同意製造之專利物販賣後,使用或再販賣該物者。上述製造、販賣,不以國內為限。 耗盡原則又可分為「國內耗盡原則」及「國際耗盡原則」。採「國內耗盡原則」者,專利品在國外銷售,他人不得未經專利權人同意而進口專利品於國內,否則將構成侵權。採「國際耗盡原則」者,專利品雖在國外銷售,專利人不得禁止再度進口轉售至國內。 我國專利法採「國際耗盡原則」,故專利權人不得禁止專利品之平行輸入。
日本總務省公布「2010次世代寬頻整備策略」日本總務省遵照其「u化日本政策報告」(2004年12月公布)以及IT策略本部「IT新改革策略」(今年1月公布)之規劃方向,8月11日正式對外公布「2010次世代寬頻整備策略」,以2010年該國寬頻覆蓋率超過百分之九十,作為寬頻基礎建設整備之政策目標。 詳言之,依照前開策略之記載,一則希望2008年底該國所有市町村均得接取寬頻,以求消弭目前尚有部分地區根本無從接取寬頻之區域落差現象,再則預計2010年底,全國能有超過百分之九十的家庭得以接取上傳下載雙向速度均超過30Mbps之超高速寬頻。於此過程,固然原則上係由民間主導相關整備活動之進行,惟官方亦應本諸技術中立之立場,施行適切之競爭政策,規劃吸引業者投資之誘因;其中,位處偏遠、投資效益可能偏低之地區,宜藉由中央、地方、居民、業者等各界相互交流合作,並配合技術層面之進展,妥善進行。另外,宣導整備成果、開發創新應用、維繫安全環境等,均屬重要,亦應於前開寬頻整備過程一併積極推動,以利後效。
美國陪審團裁定Rambus未違反反托拉斯法及其行為未構成欺詐美國聯邦法院陪審團(San Jose, California federal jury) 於2008年3月26日裁定Rambus之記憶體晶片專利未違反反托拉斯法 (anti-trust)及於制定晶片業重要標準時未非法欺騙JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)成員。 記憶體製造商Hynix Semiconductor, Micron Technology 及台灣南亞科技公司指控Rambus 的專利違反了反托拉斯法,企圖透過其專利壟斷六個技術市場。前三家公司並認為依法專利不得涵蓋產業組織JEDEC的設計規格,指控Rambus 的專利涵蓋關於DRAM介面技術的JEDEC行業標準中的內容。 此三家公司另指控Rambus於產業標準制定過程中蓄意扭轉關鍵JEDEC標準的制定,構成欺詐之行為。 但陪審團於3月26日的審判中否決原告的控訴,認為原告未能提出足夠證據以證明被告之違反反托拉斯法與欺詐行為。 Rambus 將可望藉此判決獲取最少美金1.344億元以上的權利金 (Rambus於2006年指控Hynix 侵犯其擁有的專利一案獲賠美金1.344億元)。Rambus 另控訴Micron Technology與三星(Samsung Electronics Co.)侵害其記憶體專利權。於獲得勝訴後,Rambus 表示其不排除尋求禁止令禁止Hynix 繼續製造侵害其專利的產品。 Micro Technology 則表示它堅決不同意陪審團判決,其法律事務副總裁Rod Lewis表示:Micro Technology認為,Rambus公司從事了一系列欺騙、銷毀證據、虛假證詞和其他不正當活動,企圖誤導和提取不公正的專利授權費用。因此,Micro Technology打算對判決結果進行上訴。另外,Micro Technology也認為,Rambus的專利權是無效的,已要求美國法院駁回Rambus向Micro Technology提出的專利索賠。