美國國防部發布《國防部資訊技術發展戰略》，以促進IT變革並為未來奠定基礎
美國國防部（Department of Defense, DoD）於2024年6月25日發布「關鍵點：國防部資訊技術發展戰略」（Fulcrum:DoD Information Technology (IT) Advancement Strategy），將持續促進DoD之IT變革，並為未來奠定基礎。
本戰略描述作戰人員在推動IT方面應達成之目標與重要性，並列出提供聯合作戰IT能力、資訊網路與運算現代化、最佳化IT治理、栽培第一數位人力等四大目標（Line of Effort, LOE），簡述如下：
（1）提供聯合作戰IT能力（Provide Joint Warfighting IT Capabilities）：在現今不斷變化且充滿競爭的全球環境中，該目標以使用者為中心，提供具功能性、可擴增、永續且安全之IT功能。並以改善作戰人員可用資訊為重點，以利在快節奏、多領域（multi-domain）作戰中獲得決策與競爭優勢。
（2）資訊網路與運算現代化（Modernize Information Networks and Compute）：該目標著重於迅速滿足任務與商務需求，利用卓越技術與以資料為中心的零信任（Zero Trust）資通安全方法，提供安全且具更快資料傳輸速度、更低延遲與高度彈性的現代化網路。
（3）最佳化IT治理（Optimize IT Governance）：該目標將提高傳送效率、節省成本，且透過從治理到資料獲取系統的簡化政策，以轉變治理制定更好的決策，包括使用強大資料功能。
（4）栽培頂尖的數位人才（Cultivate a Premier Digital Workforce）：該目標將確保作戰人員為新興技術之布署做好準備，並持續致力於識別、招募、發展並留住最佳數位人才。其擴展DoD網路人力框架（DoD Cyber Workforce Framework, DCWF），著重於更廣義的數位人力，包括資料、人工智慧、軟體工程的工作角色。
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
江敔菲
副法律研究員 編譯整理
Department of Defense [DoD], Fulcrum:DoD Information Technology (IT) Advancement Strategy, https://dodcio.defense.gov/Portals/0/Documents/Library/FulcrumAdvStrat.pdf（last visited Sep. 3, 2024）
周晨蕙，〈日本立法保護及促進重要經濟安全資訊之利用〉，資策會科技法律研究所，2024年8月，https://stli.iii.org.tw/article-detail.aspx?no=64&tp=1&d=9233（最後瀏覽日：2024/09/03）。
柯郁萱，〈歐洲議會全體會議投票通過《資安韌性法》草案，以提高數位產品安全性〉，2024年5月，https://stli.iii.org.tw/article-detail.aspx?tp=1&d=9170&no=64（最後瀏覽日：2024/09/03）。
劉心妍，〈美國國土安全部發布「2024人工智慧路線圖」，確保AI安全開發與部署〉，資策會科技法律研究所，2024年6月，https://stli.iii.org.tw/article-detail.aspx?no=0&tp=1&d=9184（最後瀏覽日：2024/09/03）。
羅文妗，〈德國聯邦內政部提出2025年數位政策計畫，加強推動國家行政數位化〉，資策會科技法律研究所，2022年8月，https://stli.iii.org.tw/article-detail.aspx?no=64&tp=1&d=8856（最後瀏覽日：2024/09/03）。
對於商標權之內容是否涉及對特定人士的產生不快或冒犯，以及國家是否有權禁止其註冊為商標之問題，我國法係在商標法第30條第1項第7款中規定，商標妨害公共秩序或善良風俗者，不得註冊；並經由經濟部智慧財產局訂定「商標妨害公共秩序或善良風俗審查基準」，建立認定準則，並認為應「考量註冊當時之社會環境，並就其指定使用商品或服務市場之情況、相關公眾之認知等因素綜合判斷」。 而在美國法中，亦有 Lee v. Tam一案，針對美國專利商標局 (United States Patent and Trademark Office, USPTO)是否有權依照 The Lanham Act第2條a款規定駁回商標申請的權利進行爭執，該條規定「包含不道德、欺騙、誹謗性、貶損或誤導他人(不論生死)、組織、信仰或國家象徵等意涵、或導致前者名譽受損之圖案，不可註冊為商標」。 該案在2015年12月22日於美國聯邦巡迴上訴法院進行判決，法院認為，儘管是具攻擊性的歧視言論，亦受到美國聯邦憲法第一修正案所保障，故美國政府不得以商標圖案的言論內容具攻擊性為理由，拒絕商標的註冊。本案經上訴於美國聯邦最高法院，最高法院於2016年9月29日已經同意其提起上訴，將對本案進行審理。
歐盟通過「負責任奈米科技研究活動」行為準則全球皆認同奈米科技具有策略性潛質，而安全性確保與公眾接受度尤為其應用與產品商業化的先決條件，因此各界同意奈米科技之發展與使用不應有所失衡。在此背景下，歐盟在「歐洲奈米科技策略」﹙Towards A European Strategy for Nanotechnology﹚及「奈米科學及奈米技術︰歐洲在二○○五至二○○九的行動計畫」﹙Nanosciences and Nanotechnologies︰An Action Plan For Europe 2005-2009﹚兩份重要文件中，皆表示對於此一議題的高度重視。據此，執委會﹙Commission﹚於去﹙2007﹚年7月19日提出「負責任奈米科技研究活動行為準則﹙草案﹚」﹙Code of Conduct for Responsible Nanosciences and Nanotechnologies Research﹙draft﹚﹚並對外進行公開諮詢直到同年9月21日為止，其後修正而於今年2月通過正式版本。 本準則之規範特色主要有三： 1、明確各項定義：為合理圈畫適用範圍，本準則特別針對奈米物體﹙Nano-objects﹚、奈米科技研究﹙N&N research﹚、奈米科技利害關係人及市民團體等用詞予以界定。 2、提列管理原則：包括意義﹙meaning﹚、永續﹙sustainability﹚、預防﹙precaution﹚、含括性﹙inclusiveness﹚、卓越﹙excellence﹚、創新﹙Innovation﹚、有責性﹙accountability﹚。 3、操作指引舉隅：為落實各項原則，本準則針對「奈米科技研究之良好管理」、「踐行預防措施」及「本準則之宣導及監管」等三大部分提供細部指引。 整體而言，本準則正式版本係在預防原則及保障基本人權之思維下，先行設立各項管理原則，而後提供各項操作指引。歐盟執委會以推薦方式邀請各會員國及利害關係人參與並落實，原則上各會員國應於2008年6月30日前通知執委會其意向，並於其後每年定期報告其所採取之具體措施、建議、運用成效，以及提供實際作法；而執委會亦將定期每二年檢視相關建議並監控後續發展。
國際能源總署發布「二氧化碳封存資源及其開發」手冊，協助能源部門及利害關係人了解地質封存效益、風險及社會經濟相關考量國際能源總署（International Energy Agency, IEA）於2022年12月發布「二氧化碳封存資源及其開發」手冊（CO2 storage resources and their development: An IEA CCUS Handbook），概述地質封存之效益、風險與社會經濟相關考量，並補充2022年度7月份的碳捕捉、利用及封存（Carbon Capture, Utilization and Storage, CCUS）法律和監管框架。該手冊架構可分為九個章節，重要章節包含：碳封存資源概述、碳封存開發生命週期、評估階段開發、風險管理、商業化、以及提供具體建議予決策者或私營部門。 由於CCUS涉及複雜管理及營運模式，IEA為決策者確立五個總體行動，簡述如下：（1）識別封存資源並提供必要資料：現有的地質資料是寶貴的起點，政府可以將現有資料數位化並建置資料庫，便於私部門獲取資訊。（2）確保法律與管制框架符合CCUS需求：政府應全面盤點既有法制體系是否到位，並應解決下列幾個關鍵問題：碳封存特定責任與風險、建立明確與適當的許可流程、地下孔隙空間的所有權、案場管理要求（如監控、關閉等）。（3）制定支持碳封存的政策：如將CCUS納入國家能源及氣候計畫、制定CCUS路線圖以協調發展策略、進行全面資源評估、制定獎勵措施（如獎勵資金、稅收抵免、可交易的憑證、鼓勵降低成本的創新計畫、風險緩解措施、碳定價等）。（4）支持先驅者並促進投資：產業先驅者時常面臨發展尚未成熟的開發環境或法制體系，因此建議政府得給予先驅者特定的獎勵措施。（5）支持發展CCUS的技術、專業能力：鼓勵石化與天然氣產業朝向CCUS轉型，如提供相關知識並培養相關技術，支持持續就業並避免人才流失等。
政府重申並未放寬輸往中國大陸半導體晶圓製程設備之出口管制由於國際出口管制組織「瓦聖那協議」（ Wassenaar Arrangement,WA）於去年(93)底修訂半導體晶圓製程技術水準之出口管制規定，由0.35微米放寬為0.18微米；國貿局為配合「瓦聖那協議」之修訂，亦於今年9月公告半導體晶圓製程技術之出口管制修正為0.18微米。 然，我國半導體晶圓製造廠商申請赴中國大陸投資，主要依據經濟部之「在大陸地區投資晶圓廠審查及監督作業要點」辦理，其中第四點申請要件明顯規定「大陸投資事業製程技術限於0.25微米以上」。此外，在國貿局「限制輸出貨品總彙表」更有規範半導體晶圓製造等相關設備之輸出規定121：需要有國貿局簽發輸出許可證；輸出規定488：（一）輸往大陸地區者，應檢附經濟部投資審議委員會核准投資文件；輸往大陸以外地區者，應檢附保證絕不轉售大陸地區之切結書。（二）外貨復運出口者，另檢附原海關進口證明文件。（三）屬戰略性高科技貨品列管項目者，除應申請戰略性高科技貨品輸出許可證，並檢附上述文件外，應另依戰略性高科技貨品輸出入管理辦法規定，檢附下列文件：１、進口國核發之國際進口證明書、最終用途證明書或保證文件。２、外貨復運出口者，如原出口國政府規定需先經其同意者，應另檢附原出口國政府核准再出口證明文件；其於原進口時領有我國核發之國際進口證明書、最終用途證明書或保證文件者，應再檢附該等文件影本。 國際貿易局強調，我國目前開放半導體晶圓製程技術輸往中國大陸仍限為0.25微米以上，並未放寬輸往中國大陸之出口管制。