美國眾議院外交事務委員會於2022年6月13日在兩黨創新法案(HR4521)會議上,就對外投資機制新提案發表聯合聲明。兩黨達成協議修訂《國家關鍵能力防禦法案》(National Critical Capabilities Defense Act of 2022, NCCDA),擴大對外投資審查制度。促使美國制定NCCDA對外投資審查立法乃係源於經濟和國家安全考量,美國關注特定技術向中國轉讓以及美國企業可能透過特定投資幫助提升中國能力之風險。因此,雖然NCCDA會給國際投資帶來不確定性,但美國兩黨及兩院內部仍支持實施特定形式的對外投資審查程序,並且與利益相關者就如何制定強而有力且具針對性的對外投資機制進行建設性的討論,目的是確保美國不會將關鍵產業製造能力拱手讓給外國競爭對手。 NCCDA授權成立國家關鍵能力委員會(Committee on National Critical Capabilities),由美國貿易代表署擔任主席並與供應鏈安全相關聯邦機構成員共同組成,審查特定對外業務交易和活動包括:界定需要境外投資審查的活動範圍、明訂出境審查流程、及關鍵產業項目等。依據NCCDA第11條「國家關鍵能力(National Critical Capabilities)」定義,指對美國至關重要的有形及無形的系統和資產,若此類系統和資產無法開發、失能或遭到破壞,將對國家安全造成破壞性影響。委員會應負責界定涉及「國家關鍵能力」產品、供應鏈和服務;列舉國家關鍵能力產業領域包括:能源、醫療、通訊、國防、運輸、航空航太、機器人、人工智慧、半導體、造船、水等。若美國人和外國實體從事「涵蓋活動」者,必須在展開活動前至少60天以書面形式通知委員會。委員會將會通知審查,若確定所涵蓋的活動對國家關鍵能力構成不可接受的風險,委員會可以實施緩解措施,或建議總統採取特定行動,包括暫停和禁止該活動。美國兩黨期待各方利益相關者能以書面形式參與討論,確保NCCDA法案通過並滿足各方需求,使美國與盟友國的對外投資機制保持一致。
因應虛擬貨幣發展,日本內閣通過修法草案,允許創投基金得持有加密資產日本經濟產業省(METI)2024年2月16日於官網公布,內閣已審議通過《產業競爭力強化法》(Act on Strengthening Industrial Competitiveness)、《投資事業有限合夥契約法》(Limited Partnership Act for Investment, LPS法)等法律修正案。修法目標係為驅動企業投資新創、促進新創事業發展,其中允許創業投資基金(Venture Capital Fund, VC)得持有加密資產(crypto assets)即為本次修法亮點之一。 根據本次《投資事業有限合夥契約法》修正案,加密資產將被增列到「投資事業有限合夥」(Investment limited partnership, Investment LPS)得收購和持有的資產清單中。實務上日本創投基金多依《投資事業有限合夥契約法》規定,採投資事業有限合夥之組織型態存在。故若修正案最終能落實,將使新創事業得以透過向創業投資基金發行加密資產之方式進行籌資,可以大幅提高「加密貨幣與區塊鏈領域」之Web3新創獲得國內創業投資基金投資的機會,有助於日本建立更強大的區塊鏈技術(Blockchain Technology)和去中心化金融(decentralized finance, DeFi)市場。 日本本次修法,同時兼顧保護投資者利益與金融創新,頗值得我國借鏡。我國金管會雖已相繼公布「虛擬通貨平台及交易業務事業防制洗錢及打擊資恐辦法」以及「管理虛擬資產平台及交易業務事業(VASP)指導原則」,惟相關規範尚未完成細節。金管會主委今年初(2024年1月30日)表示,將朝設置專法強化投資人保障及管理之方向進行委外研究,草案預計今年9月出爐。面對區塊鏈技術暨加密資產快速發展帶來的監理挑戰,我國應持續積極關注國際組織及各國主管機關之監理發展方向,以研擬合適之法制規範。
全球四大晶片業者共同研發奈米蝕刻技術世界四大電腦晶片業者決定與紐約州合作,在今後五年內出資 5.8億美元,研究發展下一代電腦微晶片製造技術。紐約州預定出資1.8億美元,美國IBM、超微半導體(AMD)、美光科技(Micron)與德國英飛凌預定各出五千萬美元的現金與設備,另2億美元由多家提供物料與設備的廠商提供。惟世界最大晶片廠商英特爾(Intel)並未參與此計畫,英特爾目前在x86微處理器市場中,占有銷售量的80%、銷售額的90%。 此國際奈米蝕刻事業( International Venture for Nanolithography, INVENT)計畫的基地,預定設在奧伯尼紐約州立大學奈米科學與工程學院,預期共有500多位研究人員、工程師與其他人員,投入此計畫。 奈米科技是研究分子與原子級的科學,此一計畫研究重心是利用光線,蝕刻大約頭髮直徑十萬分之一大小的電路,讓參與公司及早取得與學習應用研究出來的蝕刻工具。由於近年半導體速度與複雜性快速提高,晶片業者製造更小、更快晶片的難度增加,研究發展成本飛躍上升,業界體認到必須合作,才能負擔。一具蝕刻工具成本可能高達 2500萬美元,蝕刻工具進步攸關晶片廠商繼續縮小晶片規模,使每個晶片具有更多運算與儲存能力。目前生產的最先進晶片運用90奈米科技,晶片廠商希望從2006或2007年起,生產65奈米晶片。
韓國提出一系列新創支援措施,以躋身全球四大新創強國為目標韓國中小企業暨新創事業部(Ministry of SMEs and Startups)於2021年8月30日發布「使韓國躋身全球四大新創強國之新創支持措施」(Venture Complementary Measures for Korea to Become One of the Top 4 Global Venture Powerhouses)。韓國總統文在寅指出,第二波創業爆發期為立基於西元2000年的第一波創業爆發期之上,如今韓國企業數量較當時已增加四倍,創投投資額更突破4兆韓元,顯示韓國新創的蓬勃發展潛力。為了能在政策面有效支持韓國新創能在第二波創業爆發期(Second Venture Boom)獲得所需的人才與資金,韓國中小企業暨新創事業部規劃三大面向、十二項任務作為推動韓國躋身全球四大新創強國之新創支持措施: 在打造韓國新創國際競爭力面向,推動股票選擇權改革、全面修正《促進新創事業發展特別措施法》並廢除落日條款、提高由政府對高科技新創公司貸款提供擔保的技術擔保(technology guarantee)額度上限至200億韓元、安排國際創投媒合價值1兆韓元的全球創投資金,以及配合全球關注ESG趨勢,以碳價值(carbon value)評估為基礎,提供價值5000億韓元的氣候應對保證(climate response surety)。 在擴大創業投資市場面向,包含創造私人基金投資的誘因及允許對特定智慧財產權進行投資、進行矽谷式的(Silicon Valley-type)創投基金監管、為早期新創公司引進一兆韓元的創投資金,以及提供創業加速器租稅減免等措施。而在多元化新創出場措施面向,則規劃新增技術創新併購擔保以及增加新創併購基金、給予更多併購租稅優惠,以及提供價值1000億韓元的出場基金等。 韓國中小企業暨新創事業部指出,在第一波創業爆發期中,韓國新創打下了良好基礎,為了把握第二波創業爆發期的發展機會,韓國政府將加強與民間合作,以發展新創來創造就業機會並作為國家發展動能。為了達成躋身全球四大新創強國的目標,中小企業暨新創事業部將全力協助人才與資金的募集,從而完善韓國的新創生態系資源。