歐盟科技倫理委員會公布和成生物學ELSI意見
歐盟科學與新科技倫理委員會（European Group on Ethics in Science and New Technologies, EGE）在今（2009）年11月18日公布合成生物學（Synthetic Biology）公布相關之倫理、法制與社會議題之意見，其中指出合成生物學具有可大幅降低生技藥品生產成本的極大潛力，但也可能帶來的風險，故應予注意。
對很多人來說，合成生物學是一個相當新穎的概念，經濟合作發展組織（Organisation for Economic Co-operation and Development , OECD）在其所公布的2030生物經濟發展議程中，將其列為最具有發展潛力的新興生物技術之一，近來更被歐美先進國家視為生物技術產業的未來重點發展方向。
根據OECD的定義，所謂合成生物學，是以工程方法為基礎，以改進微生物的新興領域，此技術使設計與建構新生物元件（part）、裝置（device）及系統（system），及對於既存的自然生物系統，使其更具有使用性。合成生物學的目的，在於藉由設計細胞系統，使其具備特定功能，從而消除浪費細胞能量之非期待的產物，以增進生物效率。目前合成生物學與市場較為接近的案例，乃一種將青蒿（sweet wormwood herb）、細菌與酵素等基因、分子路徑（molecular pathway）作結合，製造出可以生產治療瘧疾（malaria）的青蒿酸之細菌，此項開發成功突破過去僅能透過植物青蒿獲得，並產量有限的瓶頸。
正由於看好和成生物學的發展潛力，美國、英國與歐盟都開始對此項技術可能帶來的倫理、法制與社會爭議進行評估，歐盟EGE更公布意見以作為未來訂定法規範時的參考。EGE在意見中表示合成生物學使用於能源技術、生物製藥、化學工業或材料科學等都深具前景，故建議歐盟執委會應對此技術發展給予支持，並在歐盟架構計畫下，以產業利用為前提，給予經費的支持；然也必須重視其ELSI問題，包括使用合成生物產品的安全性、對環境的長期影響、惡意使用之防免、專利與公共財的爭議等，為了解決此等問題，其也要求各會員國必須針對合成生物學的各種議題，加強與民眾、利害關係人及社會的對話。由於我國一直將生技產業視為發展重點，合成生物學關係著生技產業未來發展，其未來發展實不容為我國所忽略。
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
劉憶成
法律研究員 編譯整理
The European Group on Ethics of science and new technologies (EGE) Opinion on the ethics of synthetic biology，2009年11月17日，http://ec.europa.eu/european_group_ethics/docs/press_release_opinion_25_en.pdf，最後瀏覽日：2009年12月03日
今年5月26日，歐盟高等法院做出裁決，認為魔術方塊不應擁有立體商標權的保護，結束了長達十年的魔術方塊立體商標權爭議。而本案於11月10日已結束聽證會（full hearing），多數意見仍然支持法院的觀點。 歐盟高等法院認為，魔術方塊的立體造型外觀，已成為他3D多面旋轉功能不可或缺的一部分，如果賦與其商標權保護，由於商標權可無限期展延的特性，等於永久阻止所有相同或類似造型外觀的產品上市，間接妨礙了技術上的突破與創新，形成一種相同或類似技術上的獨占地位（monopoly）。裁決更指出，其應以專利權作為申請標的，以保障發明人智慧財產權，而非以商標權變相延伸專利權的保護範圍。 在類似的案例中，雀巢的四指造型巧克力被歐盟法院（CJEU）駁回，理由之一為產品形狀為達到技術結果的必須條件（該造型提供了掰開巧克力的獨特方式），與本案有異曲同工之妙。 然而，反對見解認為，如不賦與魔術方塊立體商標，等於鼓勵仿冒者用相同或類似外觀作為商標使用，而不論該仿品外觀是否確實賦與相同之技術結果，間接限縮了立體商標權的保護效力。 我國立體商標審查基準中也有類似的規定，排除具有功能性的外觀造型註冊立體商標。然而，應該思考的毋寧是，當產品技術水準無法成功申請專利權保護時，如同時駁回該產品外觀的立體商標註冊，則該如何維護該產品的智慧財產權，又該如何防止他人抄襲與仿冒，是本案遺留下的重要問題。
歐盟執委會提出《歐洲晶片法案》應對半導體短缺並加強歐洲技術領先地位歐盟執委會於2022年2月8日提出《歐洲晶片法案》（European Chips Act），以確保歐盟在半導體技術和應用的供應鏈安全、彈性和技術領先地位。近來全球半導體短缺，迫使汽車及醫療保健設備等眾多領域工廠關閉，部分歐盟成員國的汽車產量於2021年下降三分之一，顯示在複雜的全球地緣政治背景下，半導體價值鏈極度依賴數量有限的參與者。《歐洲晶片法案》將動員公共及私人投資歐洲半導體產業，金額超過430億歐元；並制定政策措施以預防、準備、預測和迅速應對未來任何供應鏈中斷情形，幫助歐盟實現2030年將現行晶片市場占比提升至20%的願景。《歐洲晶片法案》共分成八大章節，涵蓋歐洲晶片倡議、供應安全、監測和危機應對、治理模式、保密處罰及程序等議題。其中《歐洲晶片法案》主要由三大支柱組成，規範內容如下： 支柱一：歐洲晶片倡議（法案第3條至第9條）。歐洲晶片倡議將對現有關鍵數位技術重新進行戰略定位，以強化歐盟成員國和相關第三國及私營部門的「晶片聯合資源承諾」。歐盟預計將投入110億歐元用於加強研究、開發和創新，以確保部署先進半導體工具、原型設計實驗產線、測試和用於創新生活應用的新設備，培訓員工深入了解半導體生態系統和價值鏈。 支柱二：供應安全（法案第10條至第14條）。建立半導體「集成生產設施（Integrated Production Facility, IPF）」和「開放歐盟代工廠（Open EU Foundry, OEF）」，透過吸引投資與提高生產能力來建立供應安全的新框架，用以發展先進節點創新及節能晶片。此外，晶片基金將為新創企業提供融資管道，協助技術成熟並吸引投資者；投資歐洲基金（Invest EU）將設置專屬半導體股權投資的選項，以擴大歐洲半導體研發規模。 支柱三：監測和危機應對（法案第15條至第22條）。建立歐盟成員國和執委會間的協調機制，用以監測半導體供應、估計需求和預測短缺。透過蒐集企業的關鍵情報能發現歐洲主要弱點和瓶頸，從而監控半導體價值鏈穩定。歐盟將彙整危機評估報告並協調各成員國採取歐盟建議的應對方案，以便共同做出迅速正確的決定。
美國能源部加強推動智慧電網之網路安全，並提供自我評估調查工具美國能源部於今年（2012）6月28日發布一套新的網路安全自我評估調查工具（Cybersecurity Self-Evaluation Survey Tool），以強化保護公共事業的業者避免遭受網路安全的攻擊，這套工具也是能源部為施行其於5月31日公布的網路安全能力成熟度模型（Cybersecurity Capability Maturity Model）的一部分，同時此模型的發展也是為了支持白宮的電力網路安全風險管理成熟度倡議（ Electricity Subsector Cybersecurity Risk Management Maturity Initiative）。 網路安全成熟度模型的發展乃係由能源部與國土安全部共同領導，並且與業界、其他聯邦機構以及卡內基大學軟體工程研究所合作進行，該模型的四個目標在於：加強電力網路安全能力、使相關業者可以有效並持續設立網路安全能力的基準、分享知識、解決的方法與其他相關的參考資料、使業者得以排定對於改善網路安全的行動以及投資上的優先順序，以幫助業者發展並且評估他們的網路安全能力。 此次發佈的評估工具則是以問卷的方式，著重在情境式的認知與威脅及弱點的管理，而後能源部將針對自願提供評估結果的業者提供個案報告，幫助業者改善其網路安全能力，同時，能源部也建議業者，建立優先行動方案，以解決差距的問題，並且定期評估追蹤網路安全能力的改善進度，能源部也提醒業者注意網路威脅環境上與技術上的改變，以進行應變的評估。
美國商務部產業安全局擴大對中國半導體製造設備、軟體工具、高頻記憶體等項目之出口管制.Pindent{text-indent: 2em;} .Noindent{margin-left: 2em;} .NoPindent{text-indent: 2em; margin-left: 2em;} .No2indent{margin-left: 3em;} .No2Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 3em} .No3indent{margin-left: 4em;} .No3Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 4em} 美國商務部產業安全局（Bureau of Industry and Security，簡稱BIS）於2024年12月2日發布《外國生產的直接產品規則補充以及先進運算及半導體製造項目管制精進》（Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items），並於同日（12月2日）生效，部分管制措施的法律遵循延後至2024年12月31日。BIS開放公眾可以就本次管制提出意見。 因中國的半導體戰略旨在進一步推進中國的軍事現代化、大規模殺傷性武器（WMD）的發展，美國政府認為中國的相關政策與措施，將可能侵害美國及其友盟之國家安全。因此，本次管制之目的旨在進一步削弱中國生產先進節點半導體的能力，包括下一個世代的先進武器系統，以及具有重要軍事應用的人工智慧與先進運算。 為達上述目的，本次管制修正具體擴大的管制項目概述如下： 1. 24種半導體製造設備，包括某些蝕刻（etch）、沉積（deposition）、微影（lithography）、離子注入（ion implantation）、退火（annealing）、計量（metrology）和檢驗（inspection）以及清潔（cleaning）工具。 2. 3種用於開發或生產半導體的軟體工具。 3. 管制源自美國的高頻寬記憶體，以及於美國境外生產且美國管制清單中所列之高頻寬記憶體。 4. 新增對電子電腦輔助設計（Electronic Computer Aided Design）與技術電腦輔助設計（Technology Computer Aided Design）軟體及技術的限制。