美國參眾兩院於2009年「美國經濟復甦與再投資法」(American Recovery and Reinvestment Act of 2009)─即「振興經濟方案」─要求聯邦通訊傳播委員會(Federal Communications Commission, FCC) 在國家寬頻發展計畫中,須使用寬頻建設及服務,促進節能減碳與能源自主要求。智慧電網(Smart Grid)被認為係符合此要求的新技術。FCC遂公開徵求有關此一技術對國家寬頻發展計畫要求事項更進一步的評論與建言: 1. 使用公私網絡的智慧電網是否適合發展於通訊技術; 2. 何種通訊技術與網絡可符合且最常用於智慧電網科技; 3. 既有商用通訊網絡是否合於智慧電網的運用; 4. 在一般與緊急狀況下,商用無線通訊網絡得否可靠地藉由智慧電網傳輸資料; 5. 現有且合適於發展智慧電網的電力設備於全美的普及率為何; 7. 智慧電網對已發照釋出之頻譜需求為何; 8. 智慧電網使用毋須核照之頻譜是否遭遇介面(interface)上的問題; 9. 是否需要釋出額外或未使用的頻譜?原因為何; 10.如何確保消費者能即時獲知實際能源減耗數據與支付價額; 11.設備、技術提供者與消費者如何相互連結相關家電用品與網路; 12.何種資訊會在一類、二類與電力供應者間被擷取; 13.管理能源之家用網路區域(Home Area networks)在智慧電網中的角色為何? FCC對智慧電網所蒐集的資料與意見,將對欲發展節能減碳政策的台灣,有相當幫助,值得持續關注。
公私合作的科技創業投資機制研析-以德國高科技創業者基金(HTGF)為例 德國提出「對外貿易條例」修正草案德國聯邦經濟與能源部(Bundesministerium für Wirtschaft und Energie,BMWi)在2017年7月提出「對外貿易條例」(Außenwirtschaftsverordnung)修正草案,以規定基於德國的公共政策安全或基本安全利益,對於外國人(或企業)收購國內公司,在必要時得予以禁止或增加強制條件。 如果交易完成後(一)歐盟之外的收購方將直接或間接持有目標公司25%以上的表決權以及(二)出於公共秩序或安全原因有必要採取上述措施,聯邦經濟與能源部可禁止對德國公司的收購交易。 該法修正草案亦進一步規定,聯邦經濟能源部將在本法律框架下對於涉及以下(技術)領域相關企業併購案之合約談判的各方進行審查程序,以確保國家實質安全利益: 部分能源電力領域,例如:電廠控制技術、電網工程技術、電廠系統或系統操作的控制技術(供電、供氣、燃油或集中供熱等)。 部分用水領域,例如:用水控制、調配或自動化技術(飲用水供應或污水處理設施)。 訊息技術和電信軟體領域,例如:語音和數據傳輸、數據儲存系統及處理系統)。 金融和保險部門、其運營的軟體或現金系統。 涉及醫療保健軟體部門或醫院管理訊息系統、處方藥和實驗室訊息系統的運行等領域部分。 涉及運輸和交通領域內的控制系統、工廠或設施的運行、航空運輸、乘客和貨物系統、鐵路運輸、海運和內河運輸、公路運輸、公共交通或後勤物流等領域。
美國商務部產業安全局擴大對中國半導體製造設備、軟體工具、高頻記憶體等項目之出口管制.Pindent{text-indent: 2em;} .Noindent{margin-left: 2em;} .NoPindent{text-indent: 2em; margin-left: 2em;} .No2indent{margin-left: 3em;} .No2Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 3em} .No3indent{margin-left: 4em;} .No3Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 4em} 美國商務部產業安全局(Bureau of Industry and Security,簡稱BIS)於2024年12月2日發布《外國生產的直接產品規則補充以及先進運算及半導體製造項目管制精進》(Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items),並於同日(12月2日)生效,部分管制措施的法律遵循延後至2024年12月31日。BIS開放公眾可以就本次管制提出意見。 因中國的半導體戰略旨在進一步推進中國的軍事現代化、大規模殺傷性武器(WMD)的發展,美國政府認為中國的相關政策與措施,將可能侵害美國及其友盟之國家安全。因此,本次管制之目的旨在進一步削弱中國生產先進節點半導體的能力,包括下一個世代的先進武器系統,以及具有重要軍事應用的人工智慧與先進運算。 為達上述目的,本次管制修正具體擴大的管制項目概述如下: 1. 24種半導體製造設備,包括某些蝕刻(etch)、沉積(deposition)、微影(lithography)、離子注入(ion implantation)、退火(annealing)、計量(metrology)和檢驗(inspection)以及清潔(cleaning)工具。 2. 3種用於開發或生產半導體的軟體工具。 3. 管制源自美國的高頻寬記憶體,以及於美國境外生產且美國管制清單中所列之高頻寬記憶體。 4. 新增對電子電腦輔助設計(Electronic Computer Aided Design)與技術電腦輔助設計(Technology Computer Aided Design)軟體及技術的限制。