紐西蘭通過「危害性數位通訊規制法」，對網路霸凌行為進行管制
紐西蘭於2015年7月通過了「危害性數位通訊規制法」(Harmful Digital Communications Act)。有鑑於網路霸凌現象日益嚴重，甚至影響紐西蘭人民生命及身體安全，故而修訂法律規範之。
重點摘錄：
一、目的：減輕數據通訊對個人造成之傷害，並提供有害數據通訊之受害者提供補救的快速和有效的手段。
二、方法：
(一) 創建新的民事執行制度，以迅速有效地處理有害的數據通訊內容。
(二) 創建新的刑事犯罪，以應對最嚴重的有害的數據通訊行為。
(三) 修正現行法規，以釐清數據通訊和技術的發展適用範圍。
三、內容：
(一) 授權法院得要求網路通訊協定地址提供者(Internet Protocol Address Provider (IPAP))提交匿名之通訊傳播者資訊。
(二) 經受害學生同意後，其所屬學校之負責人得代表進行訴訟程序。
(三) 法院得依據「威脅將造成損害」(threats to cause harm)標準發布命令。
(四) 若不遵守法院命令將有刑事責任。
(五) 行為人經確定判決後，可處2年以下有期徒刑。
(六) 網路內容所有者(online content host)應設置聯絡機制。供使用者聯絡回報，並課予收到申訴時48小時內通知內容作者、申訴人以及取下霸凌內容之責任。
惟法律之修訂，亦引起相關批評，因「有害的」(harmful)之定義不明，而以刑事規制之，恐有侵害言論自由之疑慮。
中國大陸國家知識產權局於2015年4月1日，公佈第四次《中華人民共和國專利法修改草案（徵求意見稿）》，其中涉及實質性修改條文共30條，包括修改現有條文18條、新增11條、刪除1條，並增加「專利的實施和運用」章。 具體修改重要內容包括： 一、強化外觀設計保護：1、產品局部外觀設計納入專利法保護範圍。2、增加外觀設計專利國內優先權制度。3、將外觀設計專利權之保護期限由10年延長到15年。4、鑒於實用新型和外觀設計專利權的授予沒有經過實質審查，具有不穩定性，草案增訂「專利權評價報告」作為侵權糾紛審理和處理過程中必須提交的「證據」，當事人無正當理由不提交，需自行承擔訴訟上不利後果。 二、提升發明人地位：1、草案規定「利用本單位物質技術條件完成的發明創造」，權利歸屬優先適用約定原則，若未約定時，申請專利權利歸屬於發明人或設計人。2、為解決國家設立之研究機構、高等院校專利技術移轉率低問題，允許發明人或設計人在單位怠於實施發明情形下，可與單位協商自行實施或者授權他人實施該專利，並按照協議享有相應權益，藉以激勵發明人積極進行技轉實施。 本次意見徵集時間已於4月28日截止，上述強化外觀設計保護及發明人地位作法，得否順利通過，有待後續持續追蹤。
日本制定綠色轉型基本方針草案，規劃未來10年政策藍圖在美中對抗、烏俄戰爭等地緣政治背景下，世界各國開始重視供應鏈穩定問題。日本在過去幾次供應危機中，逐漸從以化石能源為中心之產業結構，轉向以綠能為主之產業結構，為讓自身能最大限度地利用脫碳相關技術，並在維持能源穩定供應的同時，強化日本產業競爭力，日本經濟產業省於2022年12月23日公布「實現綠色轉型基本方針（草案）」（GX実現に向けた基本方針），提出未來10年政策藍圖，目前正於全國各地辦理意見交流會，徵集民眾意見。 根據上述方針草案，日本未來將採取之措施包括：（1）透過《能源使用合理化法》（エネルギーの使用の合理化に関する法律）徹底推動節能、製造業結構轉型為碳循環型生產體制，並導入蓄電池和控制系統；（2）再生能源成為主力電源，2030年再生能源占比達到36-38%；（3）2030年核能占比達到20-22%；（4）導入氫能、尿素等新能源，於2025年大阪萬博將進行實驗，並參酌外國實際案例，以安全為前提，制定合理之氫能安全戰略及國際標準；（5）整備電力及瓦斯市場，以確保供應穩定；（6）強化資源外交及國際合作，避免因依賴外國資源而產生斷鏈危機；（7）推動蓄電池產業；（8）促進資源循環；（9）運輸部門綠色轉型，包括下一世代汽車、飛機、船舶、鐵路、人物流等；（10）以脫碳為目的之數位投資；（11）住宅、建築物節能；（12）基礎設施投資；（13）碳捕捉技術；（14）食材、農林水產業轉型等。 除上述措施外，日本亦將運用綠色經濟轉型債券（暫定）及各種金融手段，支援綠色轉型前期投資。相關法案預計於下次國會提出，並於兩年內檢討具體措施。
美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制美國商務部（Department of Commerce, DOC）旗下國家標準及技術研究院（National Institute of Standards and Technology, NIST）於2023年2月28日發布《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act）補助具體內容，重點如下： 一、申請時間：補助採滾動式錄取模式（rolling basis），先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請（pre-application）與正式申請（full application）；成熟製程與其他相關生產設施的製造補助，將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額：補助分為直接補助（direct funding）、聯邦政府貸款（federal loans）或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保（federal guarantees of third-party loans）。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15％。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助，然整體補助金額不得超出預估資本支出的35％。 三、申請流程 1.意向聲明（statement of interest）：申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明，俾利NIST旗下晶片計畫辦公室（CHIPS Program Office）為未來審查進行準備。 2.預先申請：申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請：依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後，申請人應遞交完整的計畫申請書，內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後，會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄（non-binding Preliminary Memorandum of Terms），記載補助方式與金額。 4.盡職調查（due diligence）：在經過上述程序後，晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能（reasonably likely）取得補助，將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放：通過盡職調查後，DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股（stock buybacks）：受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫：申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元，須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限：受補助者必須於DOC所決定的特定日期（target dates）前開始或完成廠房建造，否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤：補助金額超過1億5千萬美元時，受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益，但最高不超過直接補助金額的75％。 5.不得於特定國家擴產與進行研究：受補助者於10年內或與DOC合意的期間內，除特定情況下（15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)），不得於特定國家，如中國，進行大規模半導體製造的擴產（material expansion）、聯合研究（joint research）或技術授權（technology licensing），違反者將會被DOC收回全額補助。
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