「達文希密碼」的著作權爭議
被告律師對於原告所提之控訴表示，「聖」書中的若干創意在本質上具備高度普遍化特質，無法成為著作權保護之客體。而原告律師亦強調，本案爭論重點並不在於「忽視他人創意成果」或是「獨佔想法或歷史事件」，主要是證明「達」書作者大量依賴「聖」書內容而完成「達」書。原告希望取得禁止令禁止「達」書使用「聖」書資料，此舉將迫使原訂今年5月中旬由湯姆漢克主演之原著電影延後上映。
著作權法之核心精神是保護「表達」，而非「想法」。對於同一題材之文學作品要區分何者屬表達，何者屬想法，並非易事。本案的出現僅是再次印證理論與實務之差距，而本案之後續發展亦值得繼續關注。
智慧局現正積極研修專利法，其中最為重要者包括： • 配合國際公共衛生議題，放寬強制授權條件； • 修正研究實驗免責相關規定； • 配合司法院智慧財產專業法院之成立，研擬設置爭議審議組； • 新型專利整體制度改革，考量原則開放「同一人」對於同一技術可「同時」申請，以利企業作專利佈局； • 大幅修正新式樣專利制度，開放多種新式樣保護標的，擴大新式樣專利保護範圍，以期帶動台灣文化創意及工業設計產業發展。 由於專利法這次修正為通盤修正，故智慧局刻正召開多場公聽會，參考各界意見及參酌國際立法趨勢為整體思考，以期建立更完善之專利制度。其中，針對新型專利制度之整體政策、專利年費逾越繳納期限產生失權後之救濟制度、以及以外文本提出申請取得申請日等三項議題，智財局已於 7 月 18 日 召開公聽會，聽取各界意見，尋求共識。 在新型專利整體制度改革部分，智慧局擬考量原則開放「同一人」對於同一技術可「同時」申請，以提供更多權益保障，以利企業作專利佈局。因此，企業一方面可取新型形式審查之便利領證，一方面也可取發明專利實體審查權利較穩定，而且二者前後接續。 有關專利權人逾越年費繳納期限產生專利權消滅後之救濟制度，依現行 專利法第８２條 規定，發明專利第二年以後之年費，未於應繳納專利年費之期間內繳費者，得於期滿六個月內補繳之，但其年費應按規定之年費加倍繳納。根據前開規定，專利權人超過年費繳納期限，得於到期後六個月內加倍補繳年費，但專利權人超過一日與超過五個月，同樣都須加倍補繳，二者顯然有所失衡，因此，這次修法預備採取比率加繳制度，也就是說，依照超過的期限多寡，比率補繳，並非一率加倍補繳。 另外，超過六個月補繳期後，依照現行 專利法第６６條第３款 規定，專利權當然消滅，只有在專利權人超過期限未繳年費是因具有不可抗力事由時，才能依 專利法第１７條第２項 申請回復原狀，但是，一些專利權人超過繳費期限，並非因為具有不可抗力事由，而是具有正當理由，若因此而喪失專利權，顯非專利法保護專利權人之意旨，故此次修正亦放寬申請回復原狀之事由，以保障專利權人之權益。 針對外文本提出申請取得申請日部分，現行 專利法第２５條第４項 規定，專利申請案允許申請人先以外文說明書提出申請，嗣後再補中文說明書，而專利法對於外文說明書之語文種類並無任何限制，以致外文本種類繁多，是否與中文譯本相符，認定上有困難。智慧局這次修正，研擬作適當限制，但是與會人員有不同意見，智慧局將再通盤考量。
概念驗證中心（Proof of Concept Center, PoCC）概念驗證中心（Proof of Concept Center, PoCC）源自美國研究型大學各校為加速大學科研成果商業化，於內部建立的專業型機構。全美第一所PoCC是2001年設立於加州大學聖地牙哥分校的「里比西中心」（the William J. von Liebig）。 為了因應美國大學科研成果商業化過程中所遇到的阻礙，例如：資金與資源缺乏導致研發人員動力不足、研發人員對於市場需求資訊不對等、技術開發提升緩慢以及政府激勵政策不足等問題。PoCC以解決大學與企業之間存在的各種差異與衝突為目標，並透過下列手段強化科技成果商業化動力，提升商業化績效：1、通過種子基金資助，為無法獲得資金支持的早期研究提供經費挹注；2、為大學科研成果商業化提供市場顧問與技術開發諮詢，以及智慧財產權保護等諮商；3、創業人才教育及培訓，促進創業文化並進行創業教育，以增強大學與產業協同創新能力。
關於中國大陸商標不予註冊事由—在先著作權的認定關於中國大陸商標不予註冊事由—在先著作權的認定 科技法律研究所 法律研究員 林昭如 2014年12月26日 壹、前言 《中華人民共和國商標法》（下稱《商標法》）第32條規定，申請商標註冊不得損害他人現有的在先權利。中國大陸的商標確權案件中，常有以著作權登記證書主張在先著作權。然實務上，在部分情況，單以著作權登記證書證明著作權歸屬，其證明力仍嫌不足。 有一文化用品，將其完成幾乎與畢卡索名畫「夢」完全相同的作品，向上海市版權局申請著作權登記。隨後，亦向國家工商行政管理總局商標局申請商標註冊，指定使用於筆類等商品。國家工商行政管理總局商標評審委員會認為，該商標侵害他人的在先著作權，因而裁定不予核准註冊。該文化用品公司不服，因此向北京市第一中級人民法院提起行政訴訟，主張被異議的商標圖形為原創作品，且已取得上海市版權局之著作權登記證書，然法院表示，畢卡索的《夢》世界聞名，推定有接觸可能；且以被異議商標圖形的著作權登記證書為單一證據，尚無法證明系爭圖形之著作權歸屬於該公司[1]。 由於畢卡索的《夢》世界聞名，法院推定有接觸可能，較無疑問，故本文將分析除了著作權登記證書外，其他可作為著作權歸屬的佐證資料，提供台灣企業為著作產出過程的證據保存與管理之參考。 貳、重點說明 由上述事例案可知，當被推定有接觸據爭著作可能時，縱使已取得著作權登記證書，仍不足證明著作權歸屬。實務上，除了以著作權登記證書證明在先著作權外，亦有以在先商標註冊證，證明在先著作權者，關於其證據力分述如下。 一、著作權登記證書之證據力 最高人民法院《關於審理著作權民事糾紛案件適用法律若干問題的解釋》第7條規定，當事人提供的涉及著作權的底稿、原件、合法出版物、著作權登記證書、認證機構出具的證明、取得權利的合同等，可以作為證據。但，此僅作為登記人擁有該登記作品著作權的初步證明，因登記機關是根據登記人主張的創作完成時間為登記，並未進行創作歷程、有無抄襲等實質審查。 當作品早於系爭商標註冊申請日的著作權登記，若無反證推翻，即可能認定在先著作權成立，具有相對高的證明力。問題在於，晚於系爭商標註冊申請日的著作登記，又無法提出其他證據時，如：創作歷程佐證，即使著作權登記證書所載之創作完成時間，早於系爭商標註冊申請日，仍無法證明為著作人。 二、在先商標註冊證之證據力 實務上，有些圖形商標亦構成《中華人民共和國著作權法》（下稱著作權法）第3條的作品。惟原定既是作為商標使用，故通常僅取得商標註冊證，未另為著作權登記。有依據《著作權法》第11條第4款規定，如無相反證明，在作品上署名的公民、法人或者其他組織為作者。主張以商標註冊證所載之註冊人等資訊，為上揭條文之「署名」。有多件法院判決認為，在先商標註冊不足證明在先著作權成立[2]，原因在於《著作權法》中的「署名」為作者的姓名表示，然商標註冊證所載之註冊人則在於表示商標專用權人，與《著作權法》的姓名表示權意義不同。 參、事件評析 由上述重點說明可知，儘管有著作權登記證書或在先商標權註冊證，在多數情況下，如無其他佐證，仍無法證明在先著作權。著作權登記制度僅具公示力，證明某個著作在某個時點的特定人主張著作權，登記機關以登記人主張的創作完成時點、首次發表時點為準，並不進行實質審查，有可能發生非真正的著作權人進行登記。 故當對造當事人提出證據推翻著作權登記證書的公示資訊時，尚須再提出其他證據，證明作品為自行創作，其方式有： 一、在著作原件署名 依據《著作權法》第11條第4款規定，如無相反證明，即推定作品上之署名為作者。因此推定的效果，對於著作權人而言，在主張在先著作權利時，可以降低舉證責任。 二、保留創作紀錄 此為證明著作為自行創作的最直接證據，例如：工作會議紀錄、草稿、創作使用的素材、創意發想紀錄、依照日期進行不同階段的存檔…等。這些紀錄除可證明為原創，亦可證明是獨立創作而非抄襲他人。 最後，通常原規劃作為商標使用的圖形設計，大多不會進行創作歷程紀錄，甚或在作品署名，他日如有第三人主張在先著作權，往往面臨無法提出證據推翻之窘境，故建議針對具備創作高度而該當著作權保護之標的，比照上述方式，進行創作歷程保留並進行著作權登記，確保權利之取得與維護。 [1]谭乃文，〈商标确权案中的在先著作权〉，国家知识产权战略网，2014/08/29，http://www.nipso.cn/onews.asp?id=22682 (最後瀏覽日：2014/8/29) [2]徐琳，〈商標圖樣的著作權保護之困境與出路—《商標法》保護在先著作權條款的立法精神與審理標準探析〉，《電子知識產權》，第278期，頁54（2014）。
美國白宮發布《晶片與科學法》實施一周年總結美國白宮（The White House，以下簡稱白宮）於2023年8月9日發布《晶片與科學法》（CHIPS and Science Act，以下簡稱晶片法）頒布一周年之總結，說明相關補助及租稅優惠措施之實施成效。自晶片法施行以來，已吸引高達1,660億美元之私人投資，並有50所以上大學宣布將開設半導體人力培訓課程，顯示晶片法對半導體生產製造在地化已有相當成效。晶片法施行後推動之措施如下： 1.說明半導體補助申請流程及條件 美國國家標準及技術研究院（National Institute of Standards and Technology）於2023年2月28日分別發布「半導體製造補助之申請指引」（Funding Opportunit–Commercial Fabrication Facilities）與「半導體製造補助願景」（Vision for Success: Commercial Fabrication Facilities），說明晶片法補助目的、申請流程、條件以及注意事項，並於同年6月23日更新相關內容。 2.說明柵欄條款之運作方式 美國商務部（Department of Commerce）與財政部（Department of Treasury）2023年3月23日於美國聯邦公報（Federal Register）發布法規預告（proposed rules），詳細說明晶片法內柵欄條款（guardrails）之運作方式。根據法規預告之內容，受補助人於受補助後的10年內若未經美國商務部與財政部同意，不得於中國等特定國家進行半導體製造設施「實質擴廠」之「重大交易」，避免受補助人將晶片法提供之補助用於中國，進而侵害美國國家安全。 3.強化半導體研發創新 美國商務部於2022年9月6日發布「美國晶片補助戰略」（A Strategy for the CHIPS for America Fund），說明商務部將與國家科學基金會（National Science Foundation）等建立「國家半導體科技中心與執行國家先進封裝製造計畫」（National Advanced Packaging Manufacturing Program），協助美國維持半導體研發之領先地位，並大幅縮短研發成果商用化之時程。 4.保障區域經濟發展與創新 美國商務部於2023年5月發布第1期「科技中心計畫」（Tech Hubs Program）申請指引，協助區域製造、商業化和部署關鍵技術；並於2023年6月發布第1期「重新競爭領航計畫」（Recompete Pilot Porgram），為長期處於經濟困境的美國社區提供就業機會。