日本內閣府組成「AI時代的智慧財產權研討小組」,由東京大學副校長渡邊敏也作為主席於今(2023)年10月4日召開首次會議,為討論生成式AI(人工智慧)發展帶來的智慧財產權問題。討論主題包括法規範現況、在人類參與有限的情況下由生成式AI所產出之發明是否可以申請專利等,目標於年底前彙整、蒐集企業經營者待解決議題。亦將從其他法律的角度進行討論,例如:AI模仿商品形態是否亦受到日本《不正競爭防止法》之拘束;AI與專利之間的關係,依據日本《專利法》,專利權目前僅授予個人參與創造過程的發明,隨著AI技術的發展,預計會出現難以做出決策的情況,將討論諸如取得專利所須的人類參與程度等問題;以及擁有大量資料的權利持有者向AI開發者提供有償資料的優缺點。與會專家表示,希冀看到從鼓勵利用AI進行新創作和發明之角度出發。日本文化廳和其他相關組織亦同步討論AI生成的作品,若與現有之受著作權保護的作品相似時是否會侵害著作權之議題。 日本內閣府早先於今年5月公布「AI相關論點之初步整理」(AIに関する暫定的な論点整理),我國行政院於今年8月31日正式揭示國科會擬定之「行政院及所屬機關(構)使用生成式AI參考指引」草案,我國經濟部智慧局亦規劃研擬就AI生成物是否享有著作權或專利權、訓練資料合理使用範圍、企業強化營業秘密保護等3大面向建立AI指引,國內外AI相關指引議題均值得持續追蹤瞭解。另,企業無論是擔憂AI技術成果外洩、不慎侵害他人智財權或智財成果被生成式AI侵害之虞等,因應數位化趨勢與數位證據保全而應強化相關管理措施,資策會科法所發布之《營業秘密保護管理規範》、《重要數位資料治理暨管理制度規範(EDGS)》協助企業檢視自身管理措施之符合性並促進有效的落實管理。 本文同步刊登於TIPS網(https://www.tips.org.tw)
歐盟網路接取與互連之規範現況與發展 英國寬頻競爭概況為了提高市場競爭,Ofcom於2006年時允許BT集團將旗下網路接取部門獨立為Openreach公司。當時,英國政府希望透過市話迴路細分化(local loop unbundling),並讓所有寬頻網路提供者得以於無差別待遇取得銅絞線網路(copper phone network)批發價,減少不公平競爭產生。在BT分拆多年後,根據Ofcom今(2013)年的統計,原細分化出租之線路從過去的12萬3千條,提升至900萬條,較過去成長70倍。銅絞線批發價公開、合理,亦促使民眾享有比過往更低的資費與更多元的服務,使社會福利成長。 除此之外,市話迴路細分化不僅促進既有固網市場競爭,使消費者僅用一半的價格取得相同服務,亦間接加速業者投資意願,提高英國「高速寬頻」(superfast broadband,30M)的發展。目前,BT光纖建置速度每星期達10萬用戶可接取,輔以Ofcom2010年要求BT光纖基礎設施開放與虛擬細分化(virtual unbundling),使英國已有80家以上業者透過光纖提供網路,增加民眾選擇的權力。是故,在高速網路接取率逐步提高下,致使英國在2012年年底時,已有13%的家戶採用高速寬頻,其成長幅度亦是過往兩倍。 雖然,英國高速網路發展逐步進入軌道,但亦仍有發展之隱憂。首先,有別於銅絞傳輸寬頻網路市場競爭,民眾在選擇高速寬頻網路商時,多數僅願意採用BT與Virgin,造成市場競爭失衡。此外,BT取得政府非商業區光纖建設之多數補助,這是否會造成不競爭,仍後續觀察。最後,BT雖允諾開放其於業者租用光纖線路,但已有多家ISP業者申訴BT利用「價格擠壓」的方式,增加市場優勢。 英國為了在2015年能成為全歐洲寬頻發展最為優秀的國家,近期已宣布將重新檢視現有固網接取市場的管制架構,藉由兼顧市場競爭與基礎建設加速投資,促使網路能普及於英國。
日本要求半導體等重要技術技轉前須進行報告,以強化技術管理日本經濟產業省下之貿易經濟安全保障局,於2024年9月公布「建立強化技術管理之新官民對話框架」文件(技術管理強化のための新たな官民対話スキームの構築について),指出在目前複雜的地緣政治情勢下,企業難以獨自進行技術管理,故須透過強化官民對話,讓雙方可共享現況及問題,俾利政府檢討管理措施。 經產省為強化技術管理,擬修正依《外匯與外國貿易法》(外国為替及び外国貿易法,以下簡稱外為法)授權制定之省令及告示,要求業者於技轉「重要技術」時,須依外為法第55條第8項進行事前報告,以利後續透過官民對話達成共識。經產省強調,上述規定目的不是禁止技術移轉,而是進行適當之技術管理,故原則希望能透過官民對話來解決問題。惟若在雙方對話後,經產省認為有技術外流之虞時,仍會要求業者申請許可。 根據經產省於2024年9月6日公布之省令及告示修正案,以下4大領域10項技術被列為「重要技術」: 1.電子元件:積層陶瓷電容(積層セラミックコンデンサ(MLCC))、SAW和BAW濾波器(SAW及びBAWフィルタ)、電解銅箔、介電質薄膜(誘電体フィルム)、鈦酸鋇粉末(チタン酸バリウム粉体)。 2.纖維:碳纖維(炭素繊維)、碳化矽纖維(炭化ケイ素繊維)。 3.半導體:光阻劑(フォトレジスト)、非鐵金屬材料(非鉄金属ターゲット材)。 4.電子顯微鏡:掃描式電子顯微鏡(走査型電子顕微鏡(SEM))、穿透式電子顯微鏡(透過型電子顕微鏡(TEM))。