可專利性(Patentability)與專利適格(Patent-Eligibility)常被混用,但實際上兩者並不可以畫上等號。 具專利適格不等於可專利一事,在指標判例In re Bilski可窺知端倪:「新穎性(Novelty)、進步性(Non-obviousness,或稱非顯而易見性)的分析,和35 U.S.C. §101(專利適格的法源)無關,而是分別以35 U.S.C. §102、35 U.S.C. §103作為法源。」顯示專利適格、實用性(Utility,或稱「產業利用性」)、新穎性、進步性,互不隸屬。梳理美國專利法教課書(Casebook)和判決內容,可知:「專利適格」是取得專利的基礎門檻、資格,具專利適格,並不必然可專利,還須符合實用性、新穎性、可進步性,才是一個「可專利」的發明。另應強調,「專利適格」除了需要滿足§101法條文字外,還需要滿足美國專利與商標局(USPTO)的兩階段標準(Two-Step Test)審查。 綜上,可整理出這個公式: 可專利性=專利適格(§101+兩階段標準)+實用性(§101)+新穎性(§102)+進步性(§103) 觀察美國專利法教科書的編排方式,亦可了解思考脈絡:先介紹專利適格,再依序介紹實用性、新穎性、進步性。另,「實用性」在作為名詞時是採“Utility”一字,而非“Usefulness”,這兩個詞微妙的差異是前者具「有價值的(Beneficial)」之意涵,也呼應Justice Story在 Bedford v. Hunt對「實用」(Useful)經常被援引的解釋:「要能在社會中做出有價值的(Beneficial)應用,不可以是對道德、健康、社會秩序有害(Injurious)的發明,也不可以是瑣碎(Frivolous)或不重要的(Insignificant)。」
基因資訊醫療運用與業務過失 美國國會推動研擬國家潔淨能源標準法案美國參議員院能源與自然資源委員會(U.S. Senate Committee on Energy and Natural Resources)主席Jeff Bingaman於2012年3月7日向國會提出推動建立潔淨能源標準(The Clean Energy Standard,CES)法案。該提案的主要內容為,自2015年開始,所有電力業者(electric utility)的能源必須最少有24%是來自於潔淨能源,並且每年增加3%直至2035年達到84%。 潔淨能源發電除了風力、太陽能等再生能源發電之外,還包括核能、天然氣和碳捕集與儲存(Carbon capture and storage, CCS)技術的燃煤火力發電等。同時,為了鼓勵發電廠採用再生能源,零碳發電機將可以得到全額的信貸,低碳發電機則可依其碳濃度(carbon intensity)(與最高效的燃煤火力發電廠的之比較)的比例獲得部分貸款。為使提案獲得支持,提案中並沒有對總量排放或是發電量成長上做出限制。至目前為止,共有八位民主黨參議員為該法案的共同提案人,Bingaman預計將在未來幾週內與行政官員和公用事業官員舉行聽證,並尋求支持。 歐巴馬總統在2011和2012年的國情咨文中皆呼籲國會通過潔淨能源標準,並且在2013年的預算提案中提到,確保美國在潔淨能源經濟的領導地位是政府的戰略核心之一,此法案的推動便是為了呼應美國目前重要的政策走向,因此政府對國會通過該法案亦表達了支持的立場。,潔淨能源標準將會驅動潔淨能源領域中的創新和投資,並且帶來大量的就業機會,幫助美國維持在潔淨能源經濟中的領先地位,因此,潔淨能源標準建立的討論是重要且必須的,而可以預期的是,除了吸引大量投資者、發展美國的多元化電力發電態樣和碳排放量的大幅下降以外,更重要的是,將引起世界各國對此議題的廣泛討論,因而值得持續關注。
美國陪審團裁定Rambus未違反反托拉斯法及其行為未構成欺詐美國聯邦法院陪審團(San Jose, California federal jury) 於2008年3月26日裁定Rambus之記憶體晶片專利未違反反托拉斯法 (anti-trust)及於制定晶片業重要標準時未非法欺騙JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)成員。 記憶體製造商Hynix Semiconductor, Micron Technology 及台灣南亞科技公司指控Rambus 的專利違反了反托拉斯法,企圖透過其專利壟斷六個技術市場。前三家公司並認為依法專利不得涵蓋產業組織JEDEC的設計規格,指控Rambus 的專利涵蓋關於DRAM介面技術的JEDEC行業標準中的內容。 此三家公司另指控Rambus於產業標準制定過程中蓄意扭轉關鍵JEDEC標準的制定,構成欺詐之行為。 但陪審團於3月26日的審判中否決原告的控訴,認為原告未能提出足夠證據以證明被告之違反反托拉斯法與欺詐行為。 Rambus 將可望藉此判決獲取最少美金1.344億元以上的權利金 (Rambus於2006年指控Hynix 侵犯其擁有的專利一案獲賠美金1.344億元)。Rambus 另控訴Micron Technology與三星(Samsung Electronics Co.)侵害其記憶體專利權。於獲得勝訴後,Rambus 表示其不排除尋求禁止令禁止Hynix 繼續製造侵害其專利的產品。 Micro Technology 則表示它堅決不同意陪審團判決,其法律事務副總裁Rod Lewis表示:Micro Technology認為,Rambus公司從事了一系列欺騙、銷毀證據、虛假證詞和其他不正當活動,企圖誤導和提取不公正的專利授權費用。因此,Micro Technology打算對判決結果進行上訴。另外,Micro Technology也認為,Rambus的專利權是無效的,已要求美國法院駁回Rambus向Micro Technology提出的專利索賠。