美國專利訴訟趨勢與科技專案研發成果運用之法制研析
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
經部致力推動太陽能整體產業發展，六月下旬舉辦兩場產官學座談會後，將制訂太陽能產業推動政策，整合太陽能上中下游供應鏈。 矽材料嚴重缺乏是目前國內太陽能光電產業發展面臨最大的障礙，經濟部能源局初步決定雙管齊下，一方面規劃引進德國 SolMic 公司退休人員團隊之技術人員，協助國內廠商突破技術障礙；另一方面將藉由研發火法冶金純化技術，生產矽材料，目前該技術已由工研院投入研發階段，政府預計投入十億元，希望在二 ○○ 八年達到生產三百噸，至二 ○ 一 ○ 年成長至一千噸。能源局指出，矽材料的供應問題若解決，國內將可建立完整上下游的太陽能光電產業供應鏈，預計二 ○ 一 ○ 年的產業規模可達六百億以上。
歐盟執委會針對研究發展與創新通過新的國家補助綱要架構（state aid Framework for Research, Development and Innovation）根據歐盟條約，國家補助的行為原則上為條約所禁止，例外須經歐盟執委會核准。為使會員國得以事先瞭解哪些行為會被認為符合共同市場的精神，歐盟執委會在11月22日針對國家補助規則，通過了「研究發展與創新綱要架構」（Community framework for state aid for research and development and innovation，以下簡稱為R&D&I Framework），期能加速此類案件的審理效率。新綱要架構規定預計自2007年1月1日起開始生效適用。 根據新的綱要架構，會員國在規劃其國家補助措施之際，仍有義務通知執委會，經執委會確認或核准後，始符合歐盟相關法制。不過執委會認為，會員國在規劃國家補助措施時，如能依循綱要架構的指導說明，將可加速執委會的作業，提升審查效率。 過去僅有研發補助可例外被認為符合歐盟條約之精神，惟根據新的綱要架構，除了研發補助以外，創新補助亦是可以獲得豁免管制者。此外，綱要架構對特定有助於研究發展與創新的國家補助措施類型，提供了詳細的指導原則說明，這類國家補助措施可以帶動私人企業的研發與創新投資，有助於經濟成長與就業，因而可提升歐盟的競爭力。 R&D&I Framework同時也允許會員國視其國內發展狀況與特殊條件，設計符合該國之補助措施，前提是要符合可矯正特定市場失靈的檢視要件，且其所設計的措施可能帶來的優惠超出補助對競爭可能造成之損害。 另新綱要架構也指出阻礙研發與創新的主要市場失靈的因素如下：知識外溢（knowledge spill-overs）的效果有限、資訊不足與不對稱（imperfect and asymmetric information）、缺乏協調與網絡建構（coordination and network failures）。此外，新綱要架構中亦針對各類行的國家補助措施，逐項為會員國解說如何妥善運用，以符合補助規則（state aid rules）。這些政策措施如下： ●研發計畫（aid for R&D projects）； ●技術可行性之補助研究（aid for technical feasibility studies）； ●對中小型企業智慧財產權費用給予補助（aid for industrial property right costs for SMEs）； ●對新創事業提供補助（aid for young innovative enterprises）； ●對服務流程及組織功能創新所提供之補助（aid for process and organisational innovation in services）； ●對智慧財產提供諮詢或支援服務之補助（aid for innovation advisory services and for innovation support services）； ●對中小型企業因晉用高級專業人員所需之貸款提供融資的補助（aid for the loan of highly qualified personnel for SMEs）； ●對創新育成事業提供的補助（aid for innovation clusters）。 新的綱要架構同時希望可以改善歐盟對國家補助的管控機制，集中資源於管理對可能破壞競爭的案件，故綱要架構對於具有高度破壞競爭與交易風險的鉅額案件，詳細說明了執委會如何進行個案評估。
美國陪審團裁定Rambus未違反反托拉斯法及其行為未構成欺詐美國聯邦法院陪審團(San Jose, California federal jury) 於2008年3月26日裁定Rambus之記憶體晶片專利未違反反托拉斯法 (anti-trust)及於制定晶片業重要標準時未非法欺騙JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)成員。 記憶體製造商Hynix Semiconductor, Micron Technology 及台灣南亞科技公司指控Rambus 的專利違反了反托拉斯法，企圖透過其專利壟斷六個技術市場。前三家公司並認為依法專利不得涵蓋產業組織JEDEC的設計規格，指控Rambus 的專利涵蓋關於DRAM介面技術的JEDEC行業標準中的內容。 此三家公司另指控Rambus於產業標準制定過程中蓄意扭轉關鍵JEDEC標準的制定，構成欺詐之行為。 但陪審團於3月26日的審判中否決原告的控訴，認為原告未能提出足夠證據以證明被告之違反反托拉斯法與欺詐行為。 Rambus 將可望藉此判決獲取最少美金1.344億元以上的權利金 (Rambus於2006年指控Hynix 侵犯其擁有的專利一案獲賠美金1.344億元)。Rambus 另控訴Micron Technology與三星(Samsung Electronics Co.)侵害其記憶體專利權。於獲得勝訴後，Rambus 表示其不排除尋求禁止令禁止Hynix 繼續製造侵害其專利的產品。 Micro Technology 則表示它堅決不同意陪審團判決，其法律事務副總裁Rod Lewis表示：Micro Technology認為，Rambus公司從事了一系列欺騙、銷毀證據、虛假證詞和其他不正當活動，企圖誤導和提取不公正的專利授權費用。因此，Micro Technology打算對判決結果進行上訴。另外，Micro Technology也認為，Rambus的專利權是無效的，已要求美國法院駁回Rambus向Micro Technology提出的專利索賠。
從歐洲法院Case C-527/15看新興數位裝置對著作權指令詮釋範圍之影響