瑞士諾華藥廠針對數間印度學名藥廠之ANDA申請程序,提起專利侵權訴訟

  瑞士諾華藥廠成立於1996年,為全球前十大藥廠之一,其首創新藥Entresto,係作用於心臟神經內分泌系統,以對抗心力衰竭症狀,其在美國也取得相關專利(US8101659、US8796331、US8877938和US9388134),專利效期大致落在2023~2027年間。藥品上市後統計至2019年6月,Entresto的全球收入已達約7.78億美元。

  印度學名藥廠Macleods、Alembic、Natco公司於2019年9月向美國食品藥品監督管理局(下簡稱FDA)提交Entresto學名藥簡易新藥上市申請(下簡稱ANDA),諾華於2019年9月11日接獲通知後,即於2019年10月24日,針對上述申請ANDA之印度學名藥廠提起專利侵權訴訟,試圖阻止該些印度學名藥廠仿製Entresto。

  依照美國規定,當學名藥廠提出ANDA申請時,若專利權人在45天內提出專利訴訟,則會限制美國FDA不得於30個月內核准該ANDA申請。因此,在實務上ANDA從申請到上市,需花費約三年時間,使得學名藥廠往往會選擇在原廠藥物專利尚未到期前,提早申請藥品查驗;而原廠也通常會積極於45天內發起專利訴訟,已鞏固其專利期間之市場地位。

  我國西藥專利連結制度業於2019年8月20日正式上路,建議我國相關生醫藥廠商應了解相關制度規範、與國外規定之差異,並提早納入企業內部之智財管理與智財策略規劃。

「本文同步刊登於TIPS網站(https://www.tips.org.tw )」

相關連結
你可能會想參加
※ 瑞士諾華藥廠針對數間印度學名藥廠之ANDA申請程序,提起專利侵權訴訟, 資訊工業策進會科技法律研究所, https://stli.iii.org.tw/article-detail.aspx?d=8330&no=57&tp=1 (最後瀏覽日:2026/09/28)
引註此篇文章
你可能還會想看
社群媒體發展網路不當言論管理機制之趨勢觀察

韓國科學及資通訊部發布「韓國科學技術主權藍圖」

  韓國科學及資通訊部(Ministry of Science and ICT, MSIT)於2024年8月26日發布第一次國家戰略技術發展計畫「韓國科學技術主權藍圖」(Blueprint for National S&T Sovereignty)(下稱科技主權藍圖),以促進國家戰略技術(national strategic technology)之發展。   韓國於2022年10月發表〈國家戰略技術培育計畫〉(National Strategic Technology Nurture Plan),選定12個國家戰略技術。本次發布之科技主權藍圖,旨在為國家戰略技術提供中長期之支援政策,主要政策與預期效果如下: 1. 支持國家戰略技術商業化:MSIT將在5年內投資30兆韓元(約7200億台幣)於國家戰略技術之研發,並推出「顛覆性差距特殊上市程序」(super-gap special listing procedure),為具顛覆性之新技術提供融資、租稅優惠等支援,加速其商業化。 2. 增強韌性:韓國將加強與戰略夥伴之合作,觀察國際趨勢,定期更新國家戰略技術清單,以利其對國家戰略技術保持良好的應變能力。另一方面,韓國希望保持半導體記憶體(semiconductor memory)、蓄電池與顯示器技術之領先,並積極發展人工智慧半導體、尖端生物技術與量子技術等三大顛覆性領域,以期在國際上建立韓國主導之戰略技術標準化體系。 3. 建立任務導向的研發體系:MSIT將建立任務和目標績效管理體系,並搭建創新平台,鼓勵戰略技術之研發,目標為創造15家以上的戰略技術獨角獸公司(unicorn start-up),以引領韓國未來戰略技術之發展。

英國提出巨量資料下之個人資料保護應遵循資料保護法之原則

美國國家標準及技術研究院公布晶片法補助申請細節及限制

美國商務部(Department of Commerce, DOC)旗下國家標準及技術研究院(National Institute of Standards and Technology, NIST)於2023年2月28日發布《晶片與科學法》(CHIPS and Science Act)補助具體內容,重點如下: 一、申請時間:補助採滾動式錄取模式(rolling basis),先進製程製造補助將於2023年3月31日起開放預先申請(pre-application)與正式申請(full application);成熟製程與其他相關生產設施的製造補助,將分別於2023年5月1日及6月26日開放預先申請及正式申請。 二、補助方式與金額:補助分為直接補助(direct funding)、聯邦政府貸款(federal loans)或第三人提供貸款並由聯邦政府提供擔保(federal guarantees of third-party loans)。直接補助的金額上限預計為預估資本支出的15%。每個計畫可透過一種以上之方式獲得補助,然整體補助金額不得超出預估資本支出的35%。 三、申請流程 1.意向聲明(statement of interest):申請人須提供半導體製造工廠投資計畫的簡要說明,俾利NIST旗下晶片計畫辦公室(CHIPS Program Office)為未來審查進行準備。 2.預先申請:申請人提供更詳盡的計畫內容。晶片計畫辦公室將給予調整意見。 3.正式申請:依照晶片計畫辦公室給予的意見修改後,申請人應遞交完整的計畫申請書,內容必須包含投資計畫的技術與經濟可行性之分析。晶片辦公室審核完畢後,會與申請人簽訂不具約束力的初步備忘錄(non-binding Preliminary Memorandum of Terms),記載補助方式與金額。 4.盡職調查(due diligence):在經過上述程序後,晶片計畫辦公室如認為申請人合理且可能(reasonably likely)取得補助,將對申請人進行盡職調查。 5.補助發放:通過盡職調查後,DOC將開始準備發放補助。 四、補助規範與限制 1.禁止買回庫藏股(stock buybacks):受補助者不得將補助款用於買回庫藏股。 2.人力資源計畫:申請人要求的補助金額若超過1億5千萬美元,須額外說明將如何提供員工可負擔且高品質的子女托育服務。 3.建造期限:受補助者必須於DOC所決定的特定日期(target dates)前開始或完成廠房建造,否則DOC會視情況決定是否收回補助。 4.分潤:補助金額超過1億5千萬美元時,受補助者須與美國政府分享超過申請計畫中所預估之收益,但最高不超過直接補助金額的75%。 5.不得於特定國家擴產與進行研究:受補助者於10年內或與DOC合意的期間內,除特定情況下(15 U.S.C. § 4652(a)(6)(C)),不得於特定國家,如中國,進行大規模半導體製造的擴產(material expansion)、聯合研究(joint research)或技術授權(technology licensing),違反者將會被DOC收回全額補助。

TOP