何謂「CRADAs」?

  CRADAs係研發合作契約(Cooperative Research and Development Agreements)之縮寫,為美國國家衛生研究院(National Institute of Health,NIH)與業界和學術界進行科學技術研究發展產學研合作時所簽訂之契約。基於美國國家衛生研究院投入相關領域技術發展之機關設置目的,其所屬之科學家們可以利用本身的科研資源,與業界或學術界共同合作促進保健藥品和原型(prototype)開發與產品進一步的商業化量產。此外,業界也可利用本身私部門的研發力量,介接在國家層級最先進的技術研究合作。

  研發合作契約的目的是專為使政府設施、政府補助研發成果之智慧財產權,透過與私部門之產學研合作提供合作互動,以促進科學技術知識之發展轉化為具有市場價值之商業化用途。配合契約之簽署,針對研發合作之權利義務,美國國家衛生研究院另設置有科技發展合作中心(Technology Development Coordinator,TDC),作為研發合作早期階段進行磋商與諮詢之專業機構,以幫助瞭解和研擬適當內容的研發合作契約,並順利依法獲得相關主管機關之核准。

本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」

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美國財政部投資安全辦公室發布有關對外投資審查議題的法規預告

美國財政部投資安全辦公室發布有關對外投資審查議題的法規預告 資訊工業策進會科技法律研究所 2024年09月16日 隨著地緣政治局勢升溫,國際主要國家為強化技術保護,並防止資源持續流入國族國家敵對勢力(Nation-state adversaries),有研議新增「對外投資審查」為監管工具的趨勢,例如歐盟執委會(European Commission)於2024年1月發布「對外投資白皮書」(White Paper on Outbound Investments),以及美國總統拜登於2023年8月9日發布《第14105號行政命令》(Executive Order 14105,以下簡稱《對外投資命令》),確立美國應增設對外投資審查制度之目標。 壹、事件摘要 為了落實《對外投資命令》,美國財政部(Department of the Treasury)投資安全辦公室(Office of Investment Security)於2024年7月5日發布「有關美國於關切國家投資特定國家安全技術與產品」的法規預告(Notice of Proposed Rulemaking:Provisions Pertaining to U.S. Investments in Certain National Security Technologies and Products in Countries of Concern,以下簡稱法規預告),將半導體與微電子、量子資訊技術以及人工智慧列為三大目標監控領域。 依據法規預告,未來「美國人」(U.S. Person)若從事涉及「特定外國人」(Covered Foreign Person)的三大「特定領域活動」(Covered Activity)投資交易,除合乎例外交易(Excepted Transactions)情形外,皆屬未來對外投資審查法規的管轄範圍。 貳、重點說明 以下簡介法規預告的重點規範內容: 一、三大特定領域活動:包含半導體與微電子、量子資訊技術以及人工智慧三個領域。 二、美國人:指美國公民、美國法定永久居留權人、任何依照美國法律設立或受美國管轄的法人實體(Entity),及任何在美國境內的自然人。 三、關切國家:指中國大陸,並包含香港及澳門地區。 四、特定外國人:指「屬於關切國家的個人或法人實體,並從事三大特定領域活動者」,具體而言包含關切國家公民或法定永久居留權人、政府單位或人員、依關切國家法律設立的法人實體、總部位於關切國家的法人實體等。 五、雙軌制:法規預告將對外投資分為兩大交易類別,即「禁止交易」(Prohibited Transactions)及「通報交易」(Notifiable Transactions)。原則上投資若涉及三大特定領域活動且屬於法規預告指定之「先進技術項目」者,為禁止交易;未涉及先進技術項目,則屬通報交易。 六、半導體領域之禁止交易: 鑒於半導體產業對於我國影響重大,且亦為我國管制重點項目,以下簡要說明半導體領域之禁止交易: (一)先進設計:禁止任何涉及超出美國《出口管制規則》(Export Administration Regulation, EAR)的「出口管制分類代碼」(Export Control Classification Number, ECCN)3A090.a技術參數,或可於4.5克耳文(Kelvin)以下溫度運作的半導體先進設計相關投資。ECCN 3A090.a技術參數係指半導體「總處理效能」(Total Processing Performance, TPP)為4800以上;或TPP為1600以上且「性能密度」(Performance Density, PD)為5.92以上者。 (二)先進製造: 禁止涉及以下項目的先進半導體製造相關投資: 1.使用非平面晶體管架構(non-planar transistor architecture)或16奈米、14奈米或以下製程技術的邏輯晶片。 2.具有128層以上的快閃(NOT-AND)記憶半導體。 3.使用18奈米以下半週距製程技術的動態隨機存取記憶體(dynamic random-access memory)晶片。 4.使用鎵化合物(gallium-based compound)的化合物半導體。 5.使用石墨稀電晶體(graphene transistors)或奈米碳管(carbon nanotubes)的半導體。 6.能於4.5克耳文以下溫度運行的半導體。 (三) 先進封裝:法規預告禁止任何使用先進封裝技術的半導體封裝相關投資。先進封裝係指「以2.5D及3D進行半導體封裝」,例如透過矽穿孔(through-silicon vias)、黏晶或鍵合技術(die or wafer bonding)、異質整合等先進技術進行半導體封裝。 (四) 電子設計自動化軟體(electronic design automation software,以下簡稱EDA軟體):禁止開發、生產用於先進半導體設計或先進封裝的任何EDA軟體。 七、不採取逐案審查模式:法規預告不採取逐案審查模式,而係由美國人自行判斷投資類型為禁止或通報交易。 八、通報程序:原則採取「事後通報」模式,美國人應於通報交易完成日(completion date)後的30個日曆天(calendars day)內,透過財政部對外投資安全計畫(Department of the Treasury’s Outbound Investment Security Program)網站進行通報,並應將相關需求文件提供予財政部,如投資交易雙方的交易後組織結構圖(post-transaction organizational chart)、交易總價值及其計算方式、交易對價描述、交易後對特定外國人的控制狀況等。 九、例外交易: 法規預告的例外交易主要包含兩大類別,分述如下: (一) 技術不當外流風險較低的例外交易:某些交易類型的技術不當移轉風險較低,若實質上亦未賦予美國人超出「標準少數股東保護範圍之權限」(rights beyond standard minority shareholder protections),則此種投資即可排除於法規預告外,例如於公開交易市場的證券買賣、買斷關切國家法人實體的所有權,以及不取得管理決策權或出資金額低於100萬美元的有限合夥投資等。 (二) 基於其他外交、政治因素的例外交易:若交易發生於美國境外,且經財政部部長認為該國或地區已具備足以應對國安威脅的措施,或經財政部認定為對國家安全有利的交易,皆可排除於法規預告的管轄之外。 參、事件評析 美國財政部發布對外投資的法規預告,顯示出美國政府認為既有技術管制措施,如出口管制、營業秘密及對內投資審查等,已不足以涵蓋對外投資所生之技術外流風險,且對外投資若涉及關鍵領域的先進技術,所帶來的無形技術移轉利益,可能遠大於投資資金本身。 我國基於兩岸情勢及國安考量,自1992年以來即透過《臺灣地區與大陸地區人民關係條例》第35條,就赴中國大陸之投資進行審查。隨著地緣政治複雜化,加諸我國處於半導體等關鍵產業供應鏈的重要地位,我國應持續關注及研析美國等國家之對外投資審查制度發展,以利定期檢視相關機制的妥適性,並達到維護產業競爭力及防範先進技術遭到不當外流之目標。

綠色商標之挑戰—歐盟智慧財產權局發布綠色歐盟商標報告

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日本IPA/SEC公佈「IoT高信賴化機能編」指導手冊

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