近來常聽聞各國以公私夥伴關係(Public-Private Partnership, PPP)之模式發展產業科技,PPP故名思義,係指結合公私部門之力量,以共同達成公共政策目標之合作模式。公部門可借重私部門的專業、經驗與品質,使其服務更有效率,私部門也可得到政府與政策之支持。
如今科技進步程度往往可代表ㄧ國之競爭力,惟科技研發需投入大量成本,因此各國多有針對科研補助之相關政策,從早年的單方補助,到如今強調公私合作進行科研的PPP模式。各國亦提出各種產官學合作研發的模式或組合之立法或相關政策。例如成立獨立非營利法人讓各項研發活動進行更方便、研究設施設備共享更容易的日本「技術研究組合」、芬蘭之SHOKs。荷蘭近來亦大力推行PPP研發之策略。德國之高科技領先戰略計畫( Spitzencluster-Wettbewerb)亦以區域聚落(該區域聚落即包含產業界、大學及其他相關學術機構)為單位,藉競爭給予補助的方式,促成該地區產官之緊密合作。
本文為「經濟部產業技術司科技專案成果」
日本內閣於2021年9月28日閣議決定最新3年期《網路安全戰略》(サイバーセキュリティ戦略)。本戰略係根據網路安全基本法(サイバーセキュリティ基本法),針對日本應實施之網路安全措施進行中長期規劃。日本將從「以數位改革為基礎,推動數位轉型與網路安全」、「在網路空間朝向公共空間化與相互連繫發展下,縱觀全體以確保安全安心」、「加強風險管理措施」三大方向,推動網路安全措施。本戰略重點措施包括: 提升經濟社會活力,並推動數位轉型與網路安全:為達成數位改革,日本經濟社會須完成數位轉型改革。而在推動經濟社會數位化過程中,應將網路安全納入政策推動之考量。 實現國民得安全安心生活之數位社會:所有組織應確保完成任務,並加強風險管理措施。而數位廳將揭示並推動網路安全基本方針,以使政府提供網路安全環境保護國民與社會。 促進國際社會和平安定,並保障日本安全:為確保全球規模「自由、公正且安全之網路空間」,日本須制定展現該理念之國際規範,並加強國際合作。 推動橫向措施:在橫向措施方面,將進行中長期規劃,推動實踐性研究開發,並促進網路安全人才培育。此外,政府亦須與民間共同合作進行推廣宣傳,以強化國民對網路安全意識。
美國商務部提出CHIPS護欄條款,對受補助者實施限制以維護國家安全美國商務部於2023年3月21日對《晶片與科學法》(CHIPS Act)獎勵計畫中的國家安全護欄條款(guardrails)提出法規草案預告(Notice of Proposed Rulemaking, NPRM),並對外徵詢公眾意見,確保美國和盟友間的技術協調合作,促進共同國家安全利益。CHIPS作為國家安全倡議,以重建和維持美國在全球半導體供應鏈中的領導地位為目標,並確保CHIPS所補助的資金及尖端技術,不會直接或間接使中華人民共和國、俄羅斯、伊朗和北韓等特定國家受益或用於惡意行為,若CHIPS受補助者參與限制交易,政府可以收回全部資金補助。護欄條款對受補助者實施限制說明如下: 1.限制在特定國家擴張先進設施:自獲得補助起10年內,禁止對特定國家或地區的尖端和先進半導體設施為重大投資、協助擴大半導體製造能力。投資金額達100,000美元定義為重大交易,將設施生產能力提高5%為擴大半導體製造能力。 2.限制在特定國家擴建傳統設施:禁止在特定國家擴充半導體新生產線或將傳統半導體設施的生產能力擴大超過10%。若半導體設施的產出「主要服務」於該國國內市場(超過85%),則允許建造新的傳統設施,但最終產品只能在該國家或地區銷售。 3.半導體屬對國家安全至關重要項目:擬將一系列晶片歸類為涉及國家安全,並與國防部和情報局協商制訂清單管制,包括用於量子運算、輻射密集環境,和其他專業軍事能力的新進和成熟製程晶片。 4.加強美國出口管制:透過出口管制和CHIPS國家安全護欄條款,調整對儲存晶片的技術門檻限制並加強控制。對邏輯晶片應用,會設定比出口管制更加嚴格的門檻。 5.限制聯合研究和技術授權:限制與特定外國實體就引起國家安全問題的技術或產品進行聯合研究和技術授權工作。聯合研究定義為由兩人或多人進行的任何研究和開發,技術授權為向另一方提供專利、營業秘密或專屬技術的協議。
美國商務部產業安全局擴大對中國半導體製造設備、軟體工具、高頻記憶體等項目之出口管制.Pindent{text-indent: 2em;} .Noindent{margin-left: 2em;} .NoPindent{text-indent: 2em; margin-left: 2em;} .No2indent{margin-left: 3em;} .No2Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 3em} .No3indent{margin-left: 4em;} .No3Pindent{text-indent: 2em; margin-left: 4em} 美國商務部產業安全局(Bureau of Industry and Security,簡稱BIS)於2024年12月2日發布《外國生產的直接產品規則補充以及先進運算及半導體製造項目管制精進》(Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items),並於同日(12月2日)生效,部分管制措施的法律遵循延後至2024年12月31日。BIS開放公眾可以就本次管制提出意見。 因中國的半導體戰略旨在進一步推進中國的軍事現代化、大規模殺傷性武器(WMD)的發展,美國政府認為中國的相關政策與措施,將可能侵害美國及其友盟之國家安全。因此,本次管制之目的旨在進一步削弱中國生產先進節點半導體的能力,包括下一個世代的先進武器系統,以及具有重要軍事應用的人工智慧與先進運算。 為達上述目的,本次管制修正具體擴大的管制項目概述如下: 1. 24種半導體製造設備,包括某些蝕刻(etch)、沉積(deposition)、微影(lithography)、離子注入(ion implantation)、退火(annealing)、計量(metrology)和檢驗(inspection)以及清潔(cleaning)工具。 2. 3種用於開發或生產半導體的軟體工具。 3. 管制源自美國的高頻寬記憶體,以及於美國境外生產且美國管制清單中所列之高頻寬記憶體。 4. 新增對電子電腦輔助設計(Electronic Computer Aided Design)與技術電腦輔助設計(Technology Computer Aided Design)軟體及技術的限制。